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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7VWdOiatTaFXRaSqtJ8x4g 电动航空驱动器的SiC MOSFET AGD优化设计 基于70kW级eVTOL电机测试平台，集成驱动控制板与功率模块构建完整驱动系统，通过优化散热结构与电磁兼容设计，开展全工况性能测试。实验结果表明，该驱动器可稳定运行于70kW持续功率工况，并满足eV ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/zzvBhDiHScQVPdwAWRsBtA IGBT的静态特性：饱和电压降解读 IGBT器件的饱和电压降的定义是：规定的栅压和集电极电流下，集电极-发射极两端电压的最大值。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/KzuGYWvgpk1tYN8McVIZig 最近几周都在深入思考🤔二堡下一个八年新的漫画故事究竟怎么搭上人工智能大爆发下一代AI供电系统发展的大车。前天在火车🚆上刚提到数据中心HVDC下一代SST供电百亿市场，很多朋友留言，数据中心的SST需要怎样规格的碳化硅器件呢？刚好，昨天去 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/HF3wjMYXwRew5efX2_4Oew Si基功率MOSFET三大类型 平面MOS，沟槽MOS和超结MOS

碳化硅缺陷对器件性能影响及MOSFET发展趋势 https://mp.weixin.qq.com/s/cii--Y_vT4iCYhbHX-yKow

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/IDdWiy6KaqGUckrLxs1rBA 热载流子注入的影响因素

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/LmTt2L7Cm3qyPqTdZcpwOA 功率器件AI知识库 已经拉开帷幕的AI时代，功率器件，不会缺席

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/rBp6FVOX7sDMW1fvAQAypg 影响MOS电容C-V特性的因素 功率器件中的典型MOS结构为Poly_SiO2/Si结构。结构中的电荷和缺陷包括流片工艺引入的和辐射引入的两种性质的电荷和缺陷。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/S_vp57jTPew3S3VAQEtSyQ SiC超结MOSFET短路能力研究 引入超结结构可以提升导通特性-短路能力的trade-off

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3r6RsI4Ci6w75pnFO1aPog 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET的额定栅压 有此差异，本质上还是SiC器件栅氧更易击穿所致

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/1hScUbUiy6I7w5u-jbQ7YA 最近几周都在深入思考🤔二堡下一个八年新的漫画故事究竟怎么搭上人工智能大爆发下一代AI供电系统发展的大车。有不少朋友留言说，二堡虽然你前些天展示了氧化镓光导开关器件确实可能在高压电网⚡有采购需求，但那才25万人民币，太少了啊😦😦😦 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/PAp54IJH1s9_OlKXn96jNA 基于碳化硅MOSFET应用设计研究 本文分析了SiC MOSFET功率器件开关特性，并通过对典型功率器件进行双脉冲测试，明确在一定范围内增大栅极驱动电阻以及选择合适的较低驱动关断负压来关断SiC MOSFET功率器件，可有效抑制关断过压及震荡、串扰 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Ic6fU8Sw_ASJ20r5UVnQ9w 来自三菱电机最新研究：通过垂直电荷不平衡来降低SJ IGBT的开关损耗

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/yXa7St4FczTRSkUWPjH70Q 基于碳化硅器件的半控三相有源整流器设计 本文设计了一种基于碳化硅器件的三相有源整流器，该整流器的上桥臂使用二极管，下桥臂使用SiCMOSFET，工作在较高的开关频率下，从整体上节省了开关管数量，减小了系统中电感和电容的体积，开关管的 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/VZTr6lyrCYjsupTAhJa3LQ SiC超结MOSFET终端设计 DR-JTE终端结构

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/rDH0F1uIufPwJoRO0o7s4A GaN HEMT的三大可靠性问题 Vth漂移、Rdon退化，以及击穿失效

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/v69IzUaXHR-_EFY_AapkvA 基于SiC功率器件的PFC电路设计 本文设计一款具有负压关断作用且输出400V、250W，效率为97％左右的功率因数校正(PFC)电路．该电路能够降低MOS管的开关损耗，提高电源功率因数，抑制电压与电流谐波系数，提升电源利用率以及稳定性. ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/IsewQkGIfo_LxHFOUg_6KQ 来自华为/山大的最新研究：1200V全垂直Si基GaN沟槽型功率MOSFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cyauDusXEB6E-HF7ZmSISQ SiC MOSFET可靠性评估——BTI试验详解 器件在偏压（Bias）和温度（Temperature）应力下，阈值电压随时间发生漂移的现象

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/V3qTBkoCA_yVDEJ9dEOGtA 文献解读——沟槽型SiC MOSFET的0V关断优势 研究1200V沟槽型SiC MOSFET的短路能力，和0V关断优势