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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ZSA_K6F5_CrCOQXoNzQz3w IGBT的输出特性和转移特性

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/haJr1k9-fvweJZDE60qa7A 功率器件耐压层优化 耐压层（VSL）+低压控制元件

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Q9z-9zjKPlqtuRVk7MnXRg SiC MOSFET导通电阻的影响因素

功率模块之芯片粘接与互连材料 https://mp.weixin.qq.com/s/ApzH9Yr-39BBEY2KY8tuiA

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/j3tRm0H3w1JDzZavCLucwA 热载流子效应的表征 热载流子注入引起的器件退化一般被描述为器件参数的退化，比如饱和区漏极电流、线性区漏极电流、阈值电压等等。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/WdJnYZrHyrFS--rEOC-rBA SiC MOSFET串联均压控制技术研究 本文以串联SiC MOSFET为研究对象，旨在探究串联器件动态不均压的机理， 解决SiC MOSFET串联不均压的问题，在不增大串联器件关断过电压的情况下实现串联SiC MOSFET全周期的可靠运行. ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ahbUI8bajaWseazljKoHFQ 两种SiC超结MOSFET制备工艺 通过多次外延（ME）、沟槽回填（TFE）的方式分别制备SiC SJ MOSFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Ap9W9R-464WSF-r7vITXkw 文献解读——1.5kV半超结Si MOSFET 通过8次外延，制备Si半超结MOSFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/y41tIX-nioGcPsnLbw-2GA 基于LTSPICE的SiC MOSFET双脉冲测试仿真研究 本文基于LTSPICE仿真软件设计了ＳiＣ器件双脉冲测试平台， 完成对ＳiＣ MOFETS相关电气特性的评估， 通过仿真对比可知， 各项仿真结果与数据手册基本保持一致， 证明了该软件测试平台的准确性 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/EomZkTqyXeFmDqnd8LKSOg 来自浙江大学的研究：集成JBS的分裂栅和分裂源SiC MOSFET的短路能力对比

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/BEpO-YpWXqNG7EpTd9UCPA 美国🇺🇸能源部在2024年底开始的5个千万级项目，推动高压电网鲁棒性需求的氧化镓高压光导开关器件，想把以前他们面向大功率微波和高压脉冲源的PCSS光导开关器件技术研究直接用于高压电网。然后2025年开始全世界的宽禁带半导体研究团队眼光都 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/4yw3yvyFgFPvI5XYLnwiRA 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET外接栅阻与死区时间 为避免上下MOSFET同时导通，通常设有死区时间

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/WwbC4uJ53IlE9nIkHCwfSg 罗姆SiC器件应用笔记——沟槽型SiC MOSFET产品 ROHM的第三代SIC MOSFET产品

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/POS5DAsY_RW5T7wtJVvpJQ 基于电流检测的SiC MOSFET并联均流控制策略 本文设计了对应的电流检测电路,提出了一种调节驱动电阻的均流控制策略,通过调节多级驱动电阻,逐步调节不平衡电流。仿真结果验证了所提控制策略的有效性,电流不平衡度显著减小。结果表明,设置合理 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/pDilJQ2Lf1mvC5iLrd-UOw 继续WBG混合集成的调研学习笔记。把不同半导体的特色通过集成的方式结合起来，总是个让人着迷的技术。Google在好几年前就开始推动下一代AI计算/数据中心的电源构架和芯片架构。大家伙儿都在想办法给下一代AI大芯片供电集成。如果看roadmap， ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/uEgYYuS9hJiAIr1GsL2kcg SiC器件之质量筛选 SiC器件可靠性筛选不同于Si器件的底层逻辑

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/e7UFnN8d_B_brAsAAPjoxA 可靠性工程师的进阶之旅 不懂器件的“存在”，何谈理解器件的“状态”

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cnbPPx0tjN_xeGK_Bk6ggw 阈值电压详解 阈值电压是描述MOS结构栅极输入特性的一个极为关键的参数，它定义为MOS结构的Pwell表面形成强反型所需要的最小栅极电压。阈值电压的高低反映了MOS的抗干扰能力的强弱与驱动的难易程度。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/VyYJRWI0OvRO0n0QjVKgGQ SiC器件三大可靠性问题 包括阈值电压漂移、栅氧可靠性以及短路能力

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/h-xJFkx-lpBGowXDttBBfg 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET体二极管特性 SiC MOSFET的体二极管特性、BV温度依赖性以及1700V SiC MOSFET应用