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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/pXTNvwB9rUO8kKw4iJzK5Q 2025年完全可以被认为是UWBG光导辅助开关器件元年。这之前连论文发表都没有，然后2025年初开始，论文爆发了，全国各个地方都在研究或准备立项埋项目搞Ga2O3或AlN和金刚石的超高压光导辅助开关器件。有朋友告诉我，美国🇺🇸能源部在2018-2023 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/72kF5rqO_zXdxvsf_K8ITA 热载流子注入效应的物理机制 在这期推送功率器件失效机理（一）：热载流子注入效应：中简要介绍了热载流子注入效应。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/26cuIwiUALIX-TemBe0IYg 九峰山实验室：纯国产沟槽SiC MOSFET器件的重大突破 日前，湖北九峰山实验室（JFS Lab）宣布推出两款SiC Trench MOSFET器件样品，该样品的研发主要是针对产业界及科研机构等对具有完全国产自主的知识产权的沟槽型SiC MOSFET器件的测试、分 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/660ZSFzNmRRIfA5njGTTjQ SiC MOSFET器件的并联均流性能研究 本文通过实验验证上述补偿思想。统计了104个来自4个生产商生产的平面型SiC MOSFET的器件参数，搭建了双脉冲测试平台，在有限元分析提取寄生参数的辅助下设计了4版PCB测试板，验证了两器件并联情形补偿思 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Yp4DhPQIVlKfefBkrI1zzA 有朋友告诉我，美国🇺🇸能源部在2018-2023年这五年其实已经搞过一轮GaN的光导开关器件，是把以前他们面向大功率微波和高压脉冲源的PCSS光导开关器件技术研究直接用于高压电网。结果发现，不行🙅‍♀️。然后2025年开始全世界的眼光都聚焦在了 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/evt4sz1mhJNcc3aAuF9u7g 3.3kV SiC沟槽超结MOSFET制备 制备三种3.3kV器件，non-SJ、semi-SJ与full-SJ

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/10TeWT8CmEysbqfUXA8eBg 文献解读——Infineon/ROHM沟槽型SiC MOSFET短路失效机制 两种沟槽型SiC MOSFET（Infineon的AT-MOS、ROHM的DT-MOS）的单脉冲短路失效机制

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/P8PSGCSIBH4OAUyv0hW52g 等效栅介质厚度 目前行业内都会利用低频CV特性曲线或者高频CV特性曲线来提取MOS器件栅介质的电学厚度。

清纯SiC MOSFET在焊机行业中的应用 https://mp.weixin.qq.com/s/oyPDsa7ZcGYazoN9qH9GtA 目前已有多家客户导入量产，如有兴趣进行驱动测试，可以联系清纯半导体销售人员或者张工18896821479（

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/W9ba-myl0sJPc-9WmlWhFw 二堡感言: 2015-2025，十年磨一剑，全球一流性能指标，，纯血的自主沟槽IP结构，在工程化管理资源有限的多种化合物半导体实验室级线体上，小批量提供1200V, 10-80mOhm， 2-2.3mOhm*cm2 全球独创创新结构SiC沟槽MOS裸芯片或TO247封装单管，助 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/0fFpI_CpAYcwgXIXxhYJDQ 基于SiC MOSFET 超高速永磁同步电机驱动器设计 本文以空压机永磁同步电机为试验对象，开发超高速永磁同步电机驱动器，驱动器采用由SiC-MOSFET组成的逆变器，采用TI公司的28069芯片，利用片上集成的FAST估算器，采用转速/电流双闭环控制，实 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7IBxa8IMZKWQ-XIwIONalw 深入浅出：理想i8功率模块的供应商及无端子LPM技术研究 理想i8作为理想汽车首款纯电SUV，其核心动力部件——碳化硅（SiC）功率模块采用自研技术并依托独特的供应链模 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7ODnoemJoSKJhNgasJB9YQ 2025年完全可以被认为是UWBG光导辅助开关器件元年。这之前连论文发表都没有，然后2025年初开始，论文爆发了，然后全国各个地方都在研究或准备立项埋项目搞Ga2O3或AlN和金刚石的超高压光导辅助开关器件。有朋友告诉我，美国🇺🇸能源部在2018-2 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/TXMoukFKQ1196YfDH8igPw 3.3kV SiC半超结肖特基二极管侧壁注入沟槽的优化制备

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ZfazREK1TQ5DR3ZZdMA8JA 第464期|承接恩智浦积淀，借国产化破局，瑞能半导体全球双榜领先 从意法半导体到瑞能：半导体老兵的跨界转型与行业洞察

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/F_s6a8MxVl10zbWBYZ7yqQ 面向开关时序与驱动电压自主协同调控的SiC/Si混合开关驱动电路 该文提出一种面向开关时序与驱动电压自主协同调控的HyS驱动电路软硬件架构设计方法,所提驱动电路不仅能为HyS提供由不同开关时序与驱动电压组成的三种开关模式,而且能根据负载 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/2RrxM6lw9q5N171NXE3r8Q 今天有朋友说二堡你没猜对，今天不仅没吃面，而且是30厘米大肉串。好吧，咱们书呆子🤓完全搞不懂。还有朋友问了个让我想了半天的问题: 800V高压直流AI供电的48V到12V-5V能不能也用SiC?我是个业余爱好做功率器件的，其实对电源电路构架不太懂 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ZtabvaiwJHl9HjSvMxSbZw SiC器件之逆向分析 被大卸八块，用各种放大镜老花镜细细端详

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/QpsUG4p6VfsK3m47Nv52AQ 文献解读——SiC TMOS器件UIS失效机制分析 AT-MOS与DT-MOS的单脉冲UIS失效机理

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/SYwTLikk916x1c2jN0dWvQ 4H-SiC中的n型接触及p型接触 。