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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/A13XLJ83mHkFvP_zbr2Q8w 基于高压SiC MOSFET模块桥式电路串扰抑制 基于桥式电路,SiC寄生参数的影响,桥臂串扰现象原因.提出了一种有源箝位的电路,可以有效抑制桥臂串扰尖峰,并且可以减小驱动电阻,减小开关损耗.此处搭建了桥式电路实验平台,通过实验验证了该方案的有 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/OX-maOjxeiER34gTmflJKA 从分立器件到集成电路 打开里屋的钥匙，是集成电路

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UIYv22Z94kxrKpS74BxjtQ 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET开关特性 SiC MOSFET开关特性

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/bjc-h-uUSL9g4kuKAt0lBw 过去十年，以碳化硅和氮化镓单管器件为主要驱动力的WBG创业大潮已经过去了，在产业应用里，它们已经无处不在。宽禁带半导体材料至少还有六七种，但想复制SiC和GaN的辉煌十年几乎没啥机会了。这一轮轰轰烈烈的宽禁带半导体功率单管器件创业大 ...

SiC MOSFET之与SOT-227封装产品 https://mp.weixin.qq.com/s/AVOSYQ4msP2JubXeTIvfWA

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/8SciHrlgq2O6OFZKFlwL1g 文献解读——衬底减薄对SiC MOSFET短路能力的影响 衬底减薄对SiC MOSFET短路能力的影响

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/OMMYiiyQGrL2-1O85D0d3w 继续WBG混合集成的调研学习笔记。把不同半导体的特色通过集成的方式结合起来，总是个让人着迷的技术。INTEL和台积电在推动下一代光电融合集成，Google在开始推动下一代AI计算/数据中心的电源构架和芯片供电构架。如果仔细看看，技术方案探索 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/KLEg9rqPCSRstwHnJ0Wdmg SiC器件分段混合调制的中频电源设计 本文基于SiC器件,应用于100kHz开关频率的400Hz机载中频单相逆变电源,结合双极性在过零点面积等效准确度更高、单极性在其他区间开关损耗更小的特点,在电源工作周期内单双极性混合的调制策略,在高开关频率 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Kpp7bfovSxM2_iPCkX8r-A GaN HEMT的三大可靠性问题 Vth漂移、Rdon退化，以及击穿失效

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/TbIwMuO9U3S5bQzxdWMZXQ 文献解读——ROHM第四代SiC MOSFET短路能力 研究ROHM第四代SiC MOSFET产品的短路能力

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/u0lEdonzSgvkCYmNWbHESA MOS结构界面分析 在讲阈值电压之前，我们需要对MOS结构的界面物理特性进行分析，理解了在不同情况下界面物理特性，才能更好的理解阈值电压。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DIWL11OmKCm1C8d-qfcSYw 今天一则国产氮化镓进英伟达供应链的消息炒的火热。我感觉很奇怪啊😦，过去几年在交流和50V低压时代各家氮化镓器件公司炒炒了那么久，Power GaN HEMT因为各种可靠性问题频出最后也没真正进去多少量，反而现在碳化硅器件在数据中心成了标配了 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-dunNecoMzpnJRCwh6JD6w 基于SiC bare-die的Buck变换器设计与性能分析 本文分析SiC-MOS的TO-247-4L和bare die裸片两种封装结构在实际工程应用中驱动回路与功率回路中的寄生参数和变换器的热阻模型，相较于247-4L封装结构，bare die封装具有更低的回路寄生参数，更 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3zCNotduK9DsBzgFzJT1Iw EDTM 2025报告合集：GaN器件的设计、性能和可靠性优化

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wclK7l5XNQWdVlHLil5HPg 继续WBG混合集成的调研学习笔记。把不同半导体的特色通过集成的方式结合起来，总是个让人着迷的技术。Google在好几年前就开始推动下一代AI计算/数据中心的电源构架和芯片供电构架——从48V one-step到 HVDC+/-400V，从更高功率密度的分立电源 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/aFNqYWa0ApqCwZKmXK2GOQ SiC MOSFET的加速DRB可靠性测试 利用无负载条件下的自加热现象，区分可恢复退化、永久性退化

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-sP5gSxKYse39n3pHTmfcQ 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET电阻成分分析 通过影响沟道电阻和漂移区电阻的占比，影响器件电阻的温度系数

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NUSKQrMJ06A11YgvL6SH8g PN结电容和MOS电容简介 PN结电容对于PN结，P区和N区的空间电荷区内的电荷随偏置电压的变化而变化。

SiC MOSFET 中Poly对性能的影响 https://mp.weixin.qq.com/s/VNJYyZq4-Y_AcMxMhecRQg 在SiC MOSFET中，Poly（多晶硅） 是栅极结构的关键材料，主要作为栅电极（Gate Elec

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vWJqkeEmWynZZmZvg3kWaw 继续WBG混合集成的调研学习笔记。把不同半导体的特色通过集成的方式结合起来，总是个让人着迷的技术。Google在好几年前就开始推动下一代AI计算/数据中心的电源构架和芯片供电构架——从48V one-step到 HVDC+/-400V，从更高功率密度的分立电源 ...