功率器件 今日: 0|主题: 1480|排名: 14 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/qMtB8GUO0EyUhdRKFUTP2A 优化N+发射极设计来提高FS-IGBT的短路耐受能力 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）在降低开关损耗和短路耐受能力之间总是存在权衡，特别是最近轻穿通IGBT结构通过减 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/39vkYyXDsVr2qYfAiuTXKg 来自Wolfspeed的最新产品：采用新型顶部散热的SiC MOS和SBD分立器件 Wolfspeed新增采用顶部散热（TSC）封装的 U2 系列产品。该系列提供 650 V 至 1200 V 多种电压选项，能显著提升系统功率密度和效率，同时优化热管理性能并增强电路板布局 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/sqYFXLV4J7hGXOzUodnDkg 为什么功率模块出货前GS极要加导电套管？ 为什么功率模块出货前GS极要加导电套管？

SIC MOSFET模块应用-Easy 2B模块 https://mp.weixin.qq.com/s/6FR9iCd0EWavj9u9rOr5Cw

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NqIWPQHrbflKBfS9igXhBA 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET的额定栅压 有此差异，本质上还是SiC器件栅氧更易击穿所致

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/SuF54-J1NAkmAkw4YSuTHg 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET与Si IGBT对比 SiC MOSFET主要应用于600 V ~ 3.3 kV范围，用于替代Si基IGBT

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/jX7ZEq0OFBN7jB_FREzgXg 继续WBG混合集成的调研学习笔记。把不同半导体的特色通过集成的方式结合起来，总是个让人着迷的技术。Google在好几年前就开始推动下一代AI计算/数据中心的电源构架和芯片供电构架——从48V到HVHVDC+/-400V，从分立电源模块，MBVR走向新一代IV ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ezi_sripMksrPdZc2Srj1A 基于SiC-MOSFET功率模块，谐波抑制的配网静止无功补偿器优化设计。 本文基于功率器件SiC-MOSFET。研究基于谐波抑制的配电网静止无功补偿器(SVC)的优化设计,提出一种改进型三相四桥臂SVC拓扑结构.该拓扑结构通过辅助桥臂降低主桥臂开关管电 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-s9Bgmwgd1fFI-lORT0iKw 罗姆SiC器件应用笔记——SiC SBD简介 ROHM两代SiC SBD产品简介

清纯半导体SiC MOSFET技术解密 https://mp.weixin.qq.com/s/aT0xuzO1hjNx8twy6iBSSg

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/T4dpqAkG8EGLe65qsnHsUQ 基于SiC MOSFET，双脉冲测试参数设计与四开关Buck-Boost DC-DC变换器效率评估 基于SiC-MOSFET的四开关Buck-Boost变换器，分别对单管和双管并联的工作模式进行了双脉冲测试，获得了其开关损耗模型。通过2kW测试平台对变换器传输效率进行了测 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/SOOlZkUvtBUh_R0VsYhnkg SiC/GaN器件应用场景差异 SiC MOSFET和GaN HEMT使得功率器件向大功率、高频率的方向进一步发展

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wYXvp64wVuCQLsgR9P7WQQ 罗姆SiC器件应用笔记——SiC材料特性 学习《ROHM SiC器件应用笔记》

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-mZGc3DsMc2CsP0aIdibWA IGBT中的物理效应 IGBT具有MOS和双极型两种结构于一身，所以其器件具有一些物理效应就更复杂一些，下面来介绍一下。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/mjPGK9rm8G7kGwBTmp51iw 基于等效励磁电感的SiC串联器件型中压双有源桥变换器的软开关技术

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/8MveKvkOJir0Y4_U41yQrA 【功率半导体】面向电动汽车应用的垂直结构GaN功率半导体技术趋势 【功率半导体】面向电动汽车应用的垂直结构Ga功率半导体技术趋势随着全球能源危机、环境与气候变化问题的日益严重，为应对这些问题，全球范围内掀起了向2050年实现碳净零排放 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/rVXeIR_4KCd0o9V2lapKnQ 英飞凌SiC器件可靠性——学习笔记7 CoolSiCTM MOSFET产品汽车级认证

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vsUrXRlZrNeQ8XpivzWocA 基于SiC MOSFET高频双频Buck变换器平面集成磁件优化设计 本文设计了额定功率200 W、开关频率400 kHz的双频Buck变换器.结果表明:该变换器峰值效率将达到96.1％,功率密度为46.1 W/in3(1in=25.4 mm),验证了双频Buck变换器设计方法的正确性和有 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/zZbnhGWuhhp8BQjrO3AIdw 有朋友告诉我，美国🇺🇸能源部在2018-2023年这五年其实已经搞过一轮GaN的光导开关器件，是把以前他们面向大功率微波和高压脉冲源的PCSS光导开关器件技术研究直接用于高压电网。结果发现，不行🙅‍♀️。原因很简单。高压应力和电流应力下，缺 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6c1J9AkvSSuaZQRaah_Iqw 【功率半导体】Power Semiconductor分立器件以及集成电路 【功率半导体】Power Semiconductor分立器件以及集成电路