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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cCMB3WmZ8FLX0LYg5uYsUw 什么是功函数 之前很多期推送都提到了功函数这个概念，尤其是在金半接触等，功函数的概念在其中起到了非常关键的作用。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9vdlHDCEhn02RIoyCEx26g 基于碳化硅器件的电力电子变压器单元设计 本文提出了一种三级式PET各个单元的设计方法,包括拓扑结构、控制方式、主要参数计算等。进行了仿真实验, 验证了设计的可行性。 采用 SiC MOS搭建了缩小电压及功率水平的实验样机, 其逆变单元采用 F ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/zPYkvidTNxvO8T6JV0BnvA SiC MOS的平面结构和沟槽结构的可靠性对比 市场上的SiC功率MOSFET存在两种结构，平面双扩散MOSFET（DMOSFET）和沟槽MOSFET（UMO

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/SHZ0VlQ8YeDtPEKNB5G0Uw 海信功率半导体最新自主研发的全SiC智能功率模块 海信功率半导体于日前发布了自主研发的Full SiC IPM。该产品是国内首款SDIP-26系列的全碳化硅智能功率模（HMS15A075D1）。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/2KD0AySqGVvlFwLO4bRaOA 高dV/dt工况，SiC MOSFET的终端可靠性 研究高dV/dt条件下，SiC MOSFET的终端可靠性

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-IheMRuL8y4EuqRy3ZdRnA 英飞凌SiC器件可靠性——学习笔记6 CoolSiCTM MOSFET产品的质量筛选方法

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/z8tez0QyAPuleKbLPb_n3w 基于碳化硅 MOSFET，两相 LLC 谐振变换器均流控制系统设计 本文针对两相交错并联LLC谐振变换器拓扑结构,提出了移相均流控制策略,并设计了变换器参数,开发了仿真与实验平台,验证所提均流策略实用有效,达到了预期效果. ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/EtUMPqRbnQWJZM0EmmVL0A 功率器件芯片设计知识库 知乎直答——功率器件芯片设计知识库

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wv09x3C-ja1MKp3KnawdKA 英飞凌SiC器件可靠性——学习笔记5 研究SiC MOSFET的抗宇宙射线能力

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/W0jEJI4IiV1qITb1BJnyAQ 功率芯片中的钝化层 钝化层（Passivation）是功率器件中非常关键的薄膜层，它覆盖了芯片的有源区和金属之间，还有芯片边缘的终端区域。主要目的就是避免栅极/源极(发射极)之间短接，终端区域的钝化层主要是保护芯片受到外部环境水汽、金属 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DRC4k15v4XXSE5Ei60_C4A 基于碳化硅与人工智能的高效电力控制系统设计 本研究设计的基于碳化硅（SiC）和人工智能（AI）的高效电力控制系统在转换效率、能耗和稳定性等方面显著优于传统系统。碳化硅器件的优异特性与人工智能技术的智能决策能力相结合,使系统能够高 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/X2PLxlr0RUB51QoQetMhgg 英飞凌SiC器件可靠性——学习笔记4 大家好，我是晏小北，懂点经济的理工男。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Rw0mDSl4-haxtQzK0YkHdA 有朋友告诉我，美国🇺🇸能源部在2018-2023年这五年其实已经搞过一轮GaN的光导开关器件，以及SiC的光导开关器件了，但最后发现都有问题，不能满足高压电网鲁棒性应用需求。所以从2025年起，才寄希望于氧化镓和金刚石，才又重启了一批千万级别 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/VBjwU-D40nCmJ1zFKZK_uA 基于碳化硅 MOSFET的新型配网三相功率调节装置的设计与研究 本文分析了SiC MOSFET开关振荡形成机理并提出了相应抑制方法。设计基于SiC的新型配网三相功率调节装置,给出了总体方案、硬件电路、软件程序设计方案,并通过基于本文所提方法研发 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ct4hO2nBkABODiBeY2-tpg 英飞凌SiC器件可靠性——学习笔记3

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/EHucVS-UBikXvmjE6n56uw 深度解析：功率模块为什么有白色、黑色，为什么主流是白色？ 解析：功率模块为什么有白色、黑色，哪种是主流？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7iesG48UI1xehbWWF1J0sQ 大功率高速电机SiC MOSFET逆变器设计及对比 本文搭建功率80kW试验平台, 在开关频率12.5 kHz、功率80kW上下对 SiC逆变器及IGBT逆变器进行对比, 在该工况下SiC MOSFET可以逆变器效率提升2%左右。且在更高频工作下 SiC逆变器对转矩脉动改善的 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Xfgr_CjfonnmEgJwujqu-Q 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET开关特性的影响因素 SiC MOSFET开关特性的影响因素

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6d8UKbuYJhUHoQLR6UYDvw 英飞凌SiC器件可靠性——学习笔记2 大家好，我是晏小北，懂点经济的理工男。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/k9KON2Pf4QezXxo0ny6waw IGBT的工作原理 IGBT的工作过程中，除了闩锁效应外，还会存在一些其它的物理效应，像MOS表面结构效应、电导调制效应、电子注入增强效应等。