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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/1aIhHrsh5rGFuMfI8I7dhw SiC MOSFET两种栅氧缺陷 SiC MOSFET栅氧缺陷可分为两部分：外在缺陷和内在缺陷。 外在缺陷指在制造过程中引入的局部缺陷，如氧化层的局部变薄、杂质颗粒的掺入等，后果是局部电场增强，增加击穿风险。 外在缺陷是早期失效的主要原因。 内 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Hbsi3zZGVDQveBm5MoCeFQ 聊了好几期SiC芯片结构，今天换换口味。聊聊封装技术吧。SiC时代，一提到die attach（芯片贴装），大家首先想到的是烧结银，更激进一点的是烧结铜。但英飞凌作为行业领头羊，在其.XT Technology中采用了一条貌似"非主流"路线——扩散焊（Diff ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/RxXfOTITHt9svl3n2vcNDg 缺货 | 真相拆解：SiC二极管产能被“掏空”，核心瓶颈在哪里？真缺还是假缺？ 缺货 | 真相拆解：SiC二极管产能被“掏空”，核心瓶颈在哪里？真缺还是假缺？ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/4UDIOGMg7Sx89J-L144TVQ 太空纪元即将到来。面向未来十年商业航天/太空算力2035的高压>1200V大功率碳化硅抗辐照MOSFET器件及特种航空电源，是未来的蓝海市场。核心技术难点是，增强单粒子抗辐照特性，特别是SEB加固。从业界对碳化硅平面MOSFET，以及Rohm双沟槽，英飞 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/jtymvvwpSit9-60juKD6dA SiC器件终端可靠性：HV‑H3TRB与温度循环联合评估 传统 HV H3TRB 测试不足以完整评估SiC器件终端可靠性，必须补充温度循环测试才能进行全面评价

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/gzLvbV_CLyHbV76X-EGi9w 准平面沟槽SiC MOSFET制备 首次制备准平面沟槽SiC MOSFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/W1oZvfwkSiIvjq4hFyTDkQ 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Qnjr8vEZqYDj0wsTDego0g 供给收缩遇上国产替代：功率半导体开启新一轮涨价潮

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/FWD9ngn9Hzesmxke9vaIPw 【芯笔记】电动汽车的下一张"王牌"：垂直结构GaN功率半导体技术全解析 电动汽车的下一张"王牌"：垂直结构GaN功率半导体技术全解析前言：为什么是GaN？为什么是"垂直"？ ...

功率半导体封装可靠性 Vol.04 | SiC 开关越快，封装里的小电感越难装作不存在 https://mp.weixin.qq.com/s/HgAUIrAVsDimCsVq24I84w SiC 的高速开关会把封装和布局里的寄生参数推到台前。过冲、振铃、误导通、EMI 和并联振荡，很多时候要从功率回路、栅极回路和模块布局一起看。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/gP8kBPsX3sXzLN1PKL8Gpw 富芯半导体：杭州半导体“隐形基建巨头”，凭什么撑起江浙芯片半壁产能？ 富芯半导体是浙江本土 12 英寸车规模拟 IDM 龙头，采用代工 + 自研双轮模式，背靠国资加持，服务众多头部芯片企业，填补长三角高端模拟制造缺口。目前产能持续爬坡 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/xwzrlpKdIg5tcwB3nOgecg 港股SiC第一股基本确定：基本半导体通过港交所聆讯深度分析、或影响国内碳化硅产业链加速洗牌... ... 港股碳化硅第一股基本确定：基本半导体通过港交所聆讯完整深度分析、如何重塑国内碳化硅产业链格局... ... ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/b0Jir2PnfS0BhabTigHo2A 太空纪元即将到来。面向未来十年商业航天/太空算力2035的高压>1200V大功率碳化硅抗辐照MOSFET器件及特种航空电源，是未来的蓝海市场。很多朋友留言说太空算力卫星现在只看到300V需求。实际上，太空电源系统的功率器件都是降额使用，300V电源 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vVAD9FwaVqlM1mD0SF0_kw 沟槽栅功率MOSFET在同步整流和DC/DC变换领域的应用 某一具体应用场景的器件选型，从损耗的角度看，其实就是导通损耗与开关损耗之间的零和博弈

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从原子电子角度理解功率半导体的散热的本质 https://mp.weixin.qq.com/s/-mxBDJTizcSHFCtyel8-OA 在上回热的本质中提到，对于金属来说，传热是电子“兴奋”的传递，传递速度很快。对于陶瓷，无机物和树脂来说，热的传递是分子振动的传递。其中由于树脂的分子链很长，传递相对较慢。而对陶瓷，无机物来说，取决于不同的原 ...