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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/smB4ckU1X3s1tTnyrka1GQ 一种SiC MOSFET串扰抑制的谐振辅助驱动电路 本文针对基于SiC MOSFET的桥臂电路在互补开关管高频开关时容易产生正压尖峰和负压尖峰的问题，提出了一种SiC MOSFET串扰抑制的谐振辅助驱动电路，能够在有效抑制正向串扰电压尖峰的同时保护栅极 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/0hd5OpzqnEB1Pxb2NPsz6w 国外报告分享：MOSFET组装工艺

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/2AyGJJk-cHq3X2euRkv1_g 为什么会与同事产生矛盾

SiC MOSFET 耗散功率和电流的关系 https://mp.weixin.qq.com/s/q5ZHAGWo3_Ui8WK3_AVM6g SiC MOSFET工作时会产生损耗，当损耗和散热条件一定时，结温升高并达到稳态Tj(steady)

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/5QqaZAiPXG4HRLgeI-seAg IGBT器件结构简要 IGBT为具有导电沟道和PN结，且流过沟道和结的电流由施加在栅极和集电极-发射极之间电压所产生的电场来控制的晶体管。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/5mK9MFHByXkkepioEQsVHQ 文献解读——SiC/GaN器件之趋异与竞争 劳动节，可不能闲着，发一篇旧文，新来的小伙伴，可以瞅瞅~版图工程师进阶指南大家玩得开心！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/2OBXsEmNiCqU2pZkCCIerg 深度解析：功率模块为什么有白色、黑色，为什么主流是白色？ 解析：功率模块为什么有白色、黑色，哪种是主流？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Mfs7RbFdVnnrPC8tkRIOIg 适用于功率芯片的TDDB寿命计算模型 在功率器件的TDDB的可靠性分析中，E模型（电场）和1/E模型（反电场）是最常用的寿命预测模型，它们适用于不同的场景与之对应的就是不同的失效机理。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/mbFBg3Ecucwkh35tlc8RSw 把不同半导体的特色通过集成的方式结合起来，总是个让人着迷的技术。这周GaN功率芯片圈子有几个让人震惊😲或振奋的消息。有的公司震惊，有的公司振奋。第一个是GaN Power的先驱台积电，从2012年就搞氮化镓功率芯片搞了十多年，突然在GaN功率 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/EQ43bjGfELLVLFaRWWfsUg 恩智浦技术文档：功率MOSFET设计指南

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/96cj_zTwMQKC5yFzazjGAA 载流子迁移率与杂质浓度以及温度之间的关系 流子的迁移率μ表示单位电场下载流子的平均漂移速度

SiC MOSFET在焊机上的应用 https://mp.weixin.qq.com/s/_dFLtt9cHwvXuoqp2a3RIA 电焊机及原理： 电焊机是将电能转换成焊接能量并能实现焊接操作的整套装置设备。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/aOqG8crltejFvDmm_sjBhQ 这周有个朋友告诉我，美国🇺🇸能源部和电网安全部门继续加大了投入，研究🧐下一代新型智能电网鲁棒性课题，其中特别提出来了很多宽禁带半导体高压光控技术方案，氧化镓光导辅助开关器件更是其中重点，包括两个特有意思的电压等级，一个是3300 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/AZoEraejkBe6btXACsP-iA 解密：碳化硅长期工作在 175℃结温，会不会有问题？ 关于碳化硅器件长期工作在175°C结温下是否有问题，需要从材料特性、器件设计、可靠性机制和实际应用等多个层面进行深度解析... ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/4Bj6TG_IBXgEM4Er30HRrg 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET体二极管特性 SiC MOSFET的体二极管特性、BV温度依赖性以及1700V SiC MOSFET应用

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/2xPCRJJAdFsIzBZfWQUQ_g 足以媲美SiC MOS的超结IGBT(SJ-IGBT) 超结IGBT可以进一步降低器件损耗，作者通过采用更宽的超结柱宽度和优化的掺杂浓度来对1200V的超结IGBT的开关损耗进行改善，并与SiC-Trench MOS进行对比。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/MzLMbuRry2yOBLE1az3nVw 第459期|不做投机生意的模拟芯片全球龙头： MPS用28年工艺基因破局汽车与AI市场 深耕汽车、AI与计算，MPS如何打通高端市场

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-cC9HZAjm4_A8cNvmogoSA 这几周几个大项目的关键节点，各种合作研讨，准备材料各种过程，关键天气热🥵，各种大雨，忙乎完了累的不行。好几周没来的及学习记笔记了。后台看到很多朋友留言讨论的，🈶持续问我，二堡你的碳化硅沟槽DOE咋不更新进展了?最近一批的DOE探讨 ...

SiC MOSFET NBTI效应全面解析 https://mp.weixin.qq.com/s/CJs_fS9y8qpg4u7UUZOHjg 鉴于SiC优秀的耐高温，高频，高压特性等性能，同时随着SiC MOSFET成本越来越低，性能越来越好，

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UkPjzZVJQNK3H31TRrf1QA 技术科普：变频器、逆变器、变流器原理、应用场景等有什么区别？ 技术科普：变频器、逆变器、变流器原理、应用场景等有什么区别？