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SiC MOSFET 负压驱动 https://mp.weixin.qq.com/s/HP6iF6_iu-lkpX5gvnHT6w 鉴于近期和客户沟通时有遇到负压问题，客户会有疑惑，规格书明确有标识Vgs max到-10V，我们还是建议

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vXrhkJZbsz1r1VReNWeGlA 干货分享：国产碳化硅已开始弯道超车（市场预测、成本趋势、全球厂商名单... ...） 干货分享：国产碳化硅已开始弯道超车（市场预测、成本趋势、全球厂商布局... ...） ...

SiC MOSFET双脉冲测试原理 https://mp.weixin.qq.com/s/IRQrEXQQG6C7_ypa0BC20g 鉴于SiC MOSFET开关频率高，驱动设计和layout情况对器件影响很大，设计阶段评估损耗也是通过双

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DmzcjFeoQJwEASfnV7GvDA 盘点6月：第三代半导体产业新闻汇总（客户需求.产能扩张.技术创新.融资等） 盘点6月：第三代半导体产业新闻汇总（客户需求.产能扩张.技术创新.融资等）

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NBiCh5O4bFaO827e7mEbhA 文献分享：3D IC Device的技术、工艺和趋势

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ekvksJnJwPk-md1VQZvfHA 功率二极管(八)：功率二极管的失效方式 功率二极管的失效方式有热失效、过电流失效、过电压失效、动态雪崩引起的失效。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UdyrGtS_XCPdk36lzLC3Eg 文献解读——1.5kV半超结Si MOSFET 通过8次外延，制备Si半超结MOSFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/dq48fk_jN9AwkKS5NVl7tw TDDB中的缺陷产生模型 TDDB的击穿分为两个过程，在电应力作用下，氧化层内部及Si/SiO2界面处发生缺陷累积，缺陷积累到一定程度，使得栅氧局部电场达到某一临界值，继而发生第二个过程。在电应力及热应力作用下，迅速使得栅氧发生击穿。即积 ...

国产SiC MOSFET器件可靠性发展趋势 https://mp.weixin.qq.com/s/V3QfbDiDoKFzk87NszlUag

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/eUV4vGzofnlwwbUu8cxCnQ 不发脾气的大领导 大家好，我是晏小北，懂点经济的理工男，今天，看到一个问题，“为什么一个从不发脾气的领导带不出优秀的团队？”借

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/pkl4EGOA_J_lI21y5WaIBw 解密：碳化硅MOS主要参数解析，如何根据参数进行替代？ 解密：碳化硅MOS主要参数指标解析，如何根据参数进行替代？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/n2o0CajIlLwcJTYGJPj2sw 半导体中的费米能级 费米能级（Fermi Energy，EF）是半导体物理中的核心概念，它表示了电子填充概率1/2的能级能量。

如何选择一颗合适的SiC MOSFET-开关损耗篇 https://mp.weixin.qq.com/s/KL0k8xoKnOVtMRPJdhDIAA 最近在工作过程中遇到几次客户选型时，同一个驱动方案，选择低Rdson产品时发现测试效果还不如高Rdson

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/RFNtQHQpTxqwVn8wQi8FLA 来自AIST/Fuji的最新研究：3.3kV SiC超结 MOSFET抗雪崩和短路耐受能力 本文摘自ISPSD2025的AIST/Fuji的最新研究：3.3kV SiC超结 MOSFET抗雪崩和短路耐受能力

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UQPXE9leSEjnRTfV7AGnaw 技术解密：保时捷在碳化硅 MOS 应用上的新技术及进展...Dauerpower逆变器 技术解密：保时捷在碳化硅 MOS 应用上的新技术及进展...Dauerpower逆变器

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/XE4y8lPFpwFiLs-zfwcjqg SiC MOSFET 和 Si IGBT 在永磁同步电机驱动器应用中的对比研究 SiC基PMSM电机驱动器损耗是Si基PMSM电机驱动损耗的1/2，效率提高了 1%左右。在相同工况下SiC基PMSM电机驱动的散热器温度对比Si温度低 2~3°C，并且在低速情况下SiC基PMSM电机 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7tixq1nS36R8K2pxQ-P1TA 深度解析：IGBT为什么不需要负压关断，英飞凌SiC MOS怎样做到不需要负压？ IGBT（硅基绝缘栅双极晶体管）和SiC MOSFET（碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管）在关断驱动策略上的差异，根源在于它们结构、工作原理和材料特性的本质不同... .. ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/feltHjqcoDPllnIfDbYMng 功率二极管(七)：功率二极管的设计 功率二极管应用场景不同，自然对其性能要求也不同，所以在进行设计时也需要按需设计。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/LoqaZuyRKPt57zCApu35Yg 基于碳化硅（SiC）器件的VIENNA整流器研究与设计 基于全SiC功率器件的应用于高速动车组充电机的VIENNA整流器，输入侧电感设计，输出侧支撑电容设计和控制器设计。结果表明，VIENNA整流器在交流侧实现了单位功率因数，三相输入电流THD满足性 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/iJQ0Eie1Ws0QPLjkHOtLhQ 动力电池检测用双向 DC/DC 变换器设计 本文基于Buck/Boost 拓扑结构，采用多模块并联方式。实验结果表明该变换器电流调节范围大，可满足0~±180A充放电控制；采用电压外环、电流内环的双闭环控制方式，能够实现变换器稳定输出，其输出精度 ...