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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/JMrHvsbpMrWc96ey1Tb9og 半导体中载流子的运动 半导体中电子和空穴运动方式有很多种，比如热运动引起的布朗运动、电场作用下的漂移运动和由浓度梯度引起的扩散运动等。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/8543F4ln1zwVLQSQ6XGI0A 一种混合型有源中点钳位型三电平逆变器的效率优化与热管理技术。 本文提出Si-SiC混合型3L-ANPC方案及其调制策略，采用并联支路换流方式 ，很大程度减小了通态损耗，降低了开关管结温。实验结果表明，装置效率相较于采用本文调制策略的全Si ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7dBEx6PNQQ2nDHT44aYiIg 深度解读：碳化硅MOS应用中常见不良及原因分析及预防... ... 碳化硅（SiC）MOSFET 因其优异的材料特性（高禁带宽度、高热导率、高击穿场强）在功率电子应用中展现出巨大优势（高效率、高功率密度、高温工作能力）。然而，在实际应用中，如果 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/1NxiJdRyQ5fmqQgU_Ii7-w 深入分析复旦最新研究：1.7kV浅超结SiC MOSFET 该课题组通过优化离子注入工艺，设计并成功流片制造了正交结构和平行结构两种1.7kV电荷平衡辅助4H-SiC MOSFET。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/t7ptMA83IUTIAqb5uBPg-Q 具有快前沿的 10 kV 纳秒级脉冲电源的研制 本文方案在10kV/50A条件下实现了27ns的脉冲前沿时间，较同类固态Marx发生器100 ns提升 73%。本工作为高压快前沿脉冲电源的设计提供了关键技术路径，尤其在驱动电压超额策略、寄生参数协同抑制及串 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/JBNzyecoAwfo-_qqsX1Wcg 碳化硅：将成为驱动PCS(储能变流器)效能跃升的关键引擎 碳化硅MOS：驱动储能变流器（PCS）效能跃升的关键引擎...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/nJwUtVvlgRmYSpWyVJlTdQ 基于国产驱动芯片设计一款碳化硅MOSFET半桥驱动及保护电路。 基于国产芯片NSI6611设计了一款驱动及保护电路 。该电路在隔离原边信号与副边信号的同时，采用18V/-3.3V 的高低电平，实现对上下桥臂碳化硅MOSFET的控制，同时集成了欠压锁定， ...

功率器件可靠性测试模型 https://mp.weixin.qq.com/s/k0JZHgdApZxJhK_Nvy8v0Q 引言：本文将综合分析加速老化模型，包括其必要性、主流模型种类、应用领域与现状、不同模型的差异、优劣势、未来发展趋势

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/hOQH7HkJL16VNyoif-zqPQ 材料密码：金、银、铜、镍等金属材料在功率半导体应用中的深度特性分析 首家解析：金、银、铜、镍等金属材料在功率半导体应用中的深度特性分析...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Ch2glyvFXyXpGoB0aoIokA 工程师必看：如何提升碳化硅功率模块的出流能力？ 提升碳化硅功率模块的出流能力（载流能力）是一个系统工程，需要从芯片、封装、散热和系统设计等多个层面进行优化... ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/BJLwJ_1vUxgtEpg0WcZddA 碳化硅（SiC） 牵引逆变器技术在地铁中的应用研究 本文设计节能考核方案，在上海地铁 8 号线车辆进行装车节能测试，验证SiC 牵引逆变器的节能效果。结果表明 SiC 牵引逆变器能够实现节能 2% ～ 3% 。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/t8MjEoVZ_RXlNH1ICzD2Hw 一文读懂：IGBT 与碳化硅 MOS，谁的短路能力更强？关键差异？ 一文读懂：IGBT 与碳化硅 MOS，谁的短路能力更强？关键差异？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/tEqS4fkU3TLno-J8yhEEWQ 功率二极管(六)：软恢复二极管及载流子控制 对于快/软恢复二极管，不仅要求反向恢复快、反向峰值电流低而且反向恢复软。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/eqDaWpKRd8QBpvrK7zi9XQ CLLLC谐振变换器变频移相混合控制方法 基于时域分析建立了CLLLC谐振变换器的模型，并搭建了一台基于碳化硅（SiC）的1 kW级CLLLC谐振变换器实验平台，实验结果验证了所提混合控制方法的可行性和优越性，整机在宽范围内效率可达96%。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vHjmNw2a3yBsrJ8C5K5Wrg 碳化硅固态断路器：如何颠覆百年机械开关？ 碳化硅在固态断路器中的应用分析：开启电力保护新纪元... ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/S19_1YXEx0tBj4alHiRbZQ 功率器件中的雪崩耐量 雪崩耐量（Avalanche Ruggedness）是衡量功率器件在雪崩击穿条件承受高能量冲击的能力，它直接影响了器件的可靠性和抗瞬态过压能力。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/eaCA23lNi3Hz6tNzY8-41Q 半导体的表面性质 许多半导体器件都和半导体的表面性质相关，直接影响了器件的电场分布、载流子输运、界面态密度等。实际工程应用中，功率器件主要聚焦于半导体的表面性质有表面态、表面电场效应、表面钝化、表面粗糙度等。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/kjRyYCbrqE-h46VbLTZzKw 基于双脉冲测试平台的SiC MOSFET 与 SiMOSFET 开关特性的对比 在双脉冲测试平台上分别测试Si MOS和SiC MOS的开关特性，通过开关波形的分析，得出 SiC MOS的开通与关断时间比更短，并且 SiC MOS的开关损耗更小， 因此 ，SiC MOS更适合应用于 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/sLC8GREaHlkM5c3_fdyf_w 基于新型1200V碳化硅（ SiC）MOSFET 的三相双向逆变器的研究 本文研制了一种三相双向逆变式变换器，功率器件全部采用碳化硅MOSFET，它可以将功率开关器件的开关工作频率提高到 60 kHz， 优化了交流侧滤波电路的设计，实现了更高效率和更 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Vz4nPM2vfK0XJPPhoJn3iw 第456期|对话捷捷微电：30年功率半导体企业，用IDM模式筑牢定制化防卷之盾 供应链危机中寻找机遇，揭秘捷捷微电的生意法则