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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/HWKOqup0nmx5O7eaqqr-AA 4H-SiC MOS的栅氧性能提升 SiC MOSFET目前还存在沟道迁移率低，阈值电压漂移等问题，这都与栅氧界面缺陷有关，由于SiC/SiO2界面缺陷的存在，SiC MOSFET器件的沟道迁移率被严重限制了，可靠性和阈值电压稳定性也深受其影响。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/0j-HXzFdy9bIos85b8fRTA 工程师必看：碳化硅功率模块的实际出流能力与标称额定电流，有一个固定的比值吗？ 关于碳化硅（SiC）功率模块的实际出流能力（载流能力）与标称额定电流，有一个固定的比值吗？ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/D1eiX3bDA11QLFrvXT5VdA 半导体器件流片中的核心工艺：光刻 光刻是集成电路工艺中的关键性技术，通过在晶圆上涂覆光刻胶薄层，经过光照、显影在光刻胶上留下掩模版的图形，然后通过光刻胶图形作为掩膜，对特定区域进行刻蚀或进行离子注入，形成器件或电路结构。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-wgIRRejOtEtJawTsBdK1w 基于碳化硅（SiC）MOSFET功率器件的电动汽车电机控制器研究。 测试结果表明，所设计的SiC电机控制器最高效率达99.4%，较传统Si控制器提升超过1%，低速低扭区域效率最高提升5.1%；谐波补偿算法使电驱动系统近场噪声降低18-25dB，显著改善了 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DniQ_CeQMTdffUQwt5I3eA 一文读懂：碳化硅在光伏发电中的关键作用 一文读懂：碳化硅在光伏发电中的关键作用...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/RmjBUtXBZUH2yuVEt0h2gg 功率二极管(五)：快恢复二极管和功率肖特基二极管 为了实现二极管的快速恢复特性，需要控制阳极注入效率，对于中低压级器件，常采用浅结、肖特基结或pn结与肖特结相结合的方法；而对于高压级别的二极管，可以采用深结或超结结构以及欧姆接 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Qoy_UvpzmpcSWUf_uV95pQ 碳化硅（SiC MOSFET）功率器件在‌eVTOL飞行器的应用及发展趋势 本文系统分析了碳化硅(SiC)MOSFET功率器件在电动垂直起降(eVTOL)飞行器中的关键应用与技术发展路径。研究表明，SiC器件凭借其高耐压、低损耗及高温稳定性等特性，正在成为eVT ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/BRFKD_HLOnNR1BmiF8Of4w 技术研究：碳化硅MOS驱动电压与导通内阻变化分析 碳化硅（SiC）MOSFET的导通电阻（Rdson）与驱动电压（Vgs）呈显著的非线性关系，本文以典型驱动电压+12V、+15V、+18V为例，结合实验数据与物理模型，定量分析不同Vgs下Rdson的相对变化... ... ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/4tgQKMcMr1vHTzGONm_5xA 功率器件中的闩锁效应 闩锁效应是指在半导体器件中（如MOSFET、IGBT等），由于器件结构寄生晶体管的意外导通，导致器件进入闩锁状态，此时门极无法控制器件的开关，进而引发热失控甚至器件烧毁的现象，这是一种破坏性的失效模式。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/fkq1SyH1AyvhIZp8shdU2A 基于GaN 器件的5kW交错并联图腾柱整流器和基于SiC MOSFET的20kW 维也纳整流器设计与实验并验证可靠性与有效性。 经测试，图腾柱整 流器在5.4kW 交错并联DC-DC 实验中，满载效率高达99.1%，GaN 器件外表温度不超过50.6度；维也纳整流器 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/nLdsgLDuXduPU1qXp0mz0A 金属和半导体的接触：肖特基接触和欧姆接触 肖特基接触肖特基接触是指金属-半导体之间形成的整流接触（具有单向导电性），即肖特基势垒二极管

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/dUMlthAOatBhChJw6eo9fg 深度探讨平面栅和沟槽栅中栅氧的电荷捕捉现象 栅氧电场Eox在栅氧层(SiO2)中引起的电子捕捉和空穴捕捉影响了器件了的阈值电压和漏电流

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NVeMetIczrXzeM_-8V7OLw 第455期|从新能源到机器人，光耦芯片以“隐形桥梁”身份撬动千亿级市场 群芯微董事长揭秘光耦千亿市场增长逻辑

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/LC3J5RW2C7PeVcL3ayV6KQ 基于碳化硅（SiC）器件的全砖2kW移相全桥高压DC/DC变换器设计 本文设计了一款基于SiC器件的全砖2kW移相全桥DC/DC变换器，介绍了移相全桥软开关拓扑工作原理，并完成了变换器关键参数设计，同时运用原边钳位二极管电路对输出整流管的电压尖 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/HJoHxma0V-eHRLrhpfUJAA 抑制SiC MOSFET桥臂串扰与栅源电压振荡的推挽式电容辅助电路分析及参数设计方法 通过仿真验证了推挽电容参数设计方法的有效性，并在两电平SiC变换器测试平台上进行双脉冲实验及连续运行实验，验证了基于PPCAC的驱动电路开通关断的快速性及 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/aMzKkUKU3Uxlu13y6Ng1mA 5月盘点：国产功率半导体强势逆袭，士兰微、比亚迪冲进全球前十... ... 5月盘点：国产功率半导体强势逆袭，士兰微、比亚迪冲进全球前十... ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/CJvVNWLvA0mEcT4FA-X2jQ 国产碳化硅：突破工商储能PCS高效极限 引言在全球能源转型与“双碳”战略驱动下，工商业储能系统对储能变流器（PCS）的效率、功率密度和可靠性需求显著提升... ... ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/eKPCVfHE0G1os6I9TANazw 碳化硅赴港第一股：基本半导体提交赴港上市申请（招股说明书简要分析） 2025年5月27日，深圳基本半导体股份有限公司（简称“基本半导体”）向港交所递交上市申请，这也是中国碳化硅功率器件第一家赴港提交上市申请的厂商... ... ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3nqVDY98PDAXDF9wuW7rYg 深度解析：碳化硅模块在eVTOL中应用分析【优势/难点/散热等】？ 以下是基于当前技术趋势与行业实践的详细分析，综合了碳化硅功率模块在eVTOL中的应用优缺点、散热与封装方案选择、现存问题及解决方案，并结合主流技术路线展开论述... ... ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/JI_npKwgjT3XXRTBraEt-A 技术研究：碳化硅功率模块并联应用，从均流难题到驱动优化，全维度讨论... ... 碳化硅（SiC）MOS模块并联使用能提升系统功率容量，但也面临诸多挑战。以下从问题分析、解决方案、器件及驱动要求、注意事项等方面进行详细阐述... ... ...