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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/uuWhFB7WA3mSOV8KveHBOg 英飞凌：SiC功率器件可靠性白皮书（10）- 沟槽式SiC MOSFET的雪崩能力 电路中的杂散电感（或称为寄生电感）是SiC功率MOSFET进入雪崩模式的"罪魁祸首"。杂散电感引发电压过冲，一旦过压超过器件击穿电压，雪崩就发生了。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ebq2o0ICQQbMnVqeZtmmhg 东芝600V超结N沟道MOSFET产品 东芝推出内置快恢复二极管的600V超结N沟道MOSFET产品，封装可选形式包括TO-247、TOLL、DFN8×8， 其中，DFN8×8封装产品TK058V60Z5 ，典型RDS(ON)​=50mΩ， 主要应用于服务器 SMPS、UPS 不间断电源、光伏逆变 ...

5–20kV GaN与SiC垂直SJ结构设计 https://mp.weixin.qq.com/s/3J37eKBQNp5oghGs126S0A

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/2l_kMhpyTX17MKed6jmdSQ 功率器件钝化层 | GaN HEMT 的表面钝化 一只 GaN HEMT，数据手册上的导通电阻很低。常温下测它的输出特性、阈值电压和漏电流，每一项都落在规格之内。把它装进开关变换器，让它在几百伏母线上连续硬开关一段时间，再回头测导通压降，会发现导 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/xVLdtKvNWkd3EuA0397mnA AI的尽头是电力！国产芯片“硬汉”士兰微，凭什么给AI服务器装上“强心脏”？ 士兰微是国内唯一全链条IDM功率半导体龙头。文章总结其2025年业绩亮眼（营收130.52亿），并深度解析公司通过SiC器件、电源管理芯片及MEMS传感器切入AI算力中心 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/q4a7hwuTuPubGbdg8jEg2w 太空纪元即将到来。面向未来十年商业航天/太空算力2035的高压>1200V大功率碳化硅抗辐照MOSFET器件及特种航空电源，是未来的蓝海市场。Rohm双沟槽的沟槽栅底部A/B两点的单粒子TCAD仿真显示电场瞬间就上去了，这样看起来，看起来只要是碳化硅栅 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/_zoG56LqJFGOHFGaZyKR1A 国产模拟IC黑马矽力杰（Silergy，6415.TW）：从电脑电源龙头，到全车规一体化解决方案玩家 国产模拟 IC 龙头矽力杰，依托齐全车规资质、电源 + MCU 一体化方案、进口兼容替换优势，其车规多细分赛道稳居国产前列。公司业务持续优化，车规业 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Q62uPfjoDR-KBt9ZPWHxPQ 4000字长文——GaN器件之全面介绍 1993年，Khan发明铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管（AlGaN/GaN HEMT）

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lMtkyQQ4zmwOsCxEwPSA7A 功率器件钝化层 |终端区电场与钝化 高压下，边缘比中心先失效。导语高压 Si 功率器件的击穿，往往不在版图正中的主结，而在器件边缘。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/GTL8KrErQwwZVXsEzk7jQg 太空纪元即将到来。面向未来十年商业航天/太空算力2035的高压>1200V大功率碳化硅抗辐照MOSFET器件及特种航空电源，是未来的蓝海市场。很多朋友留言说太空算力卫星现在只看到300V需求。实际上，太空电源系统的功率器件都是降额使用，300V电源 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lZUC9w2xEdejZ7eR4t6kjQ 英飞凌：SiC功率器件可靠性白皮书（9）- CoolSiC MOSFET的短路能力 降低SiC MOSFET短路峰值电流很重要，可以通过增强p-body区的JFET效应，或降低VGS来实现，但所有这些都会牺牲Ron。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/zjaylb4LgV-5KMmR-tVhNQ GaN器件发展历程 1993年，Khan发明铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管（AlGaN/GaN HEMT）, 1996年，加州大学圣塔芭芭拉分校（UCSB）制备GaN微波功率器件， 这两项成果确立了GaN作为电力电子领域潜力材料的地位。 1999年，Nitres公司、康奈尔 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/pVdp0G9m3AnxuOjYDEySZg 高频变压器绕组损耗解析计算分析 本文系统分析铜箔、实心圆导线与利兹线三种绕组的高频损耗，修正了Bartoli与Tourkhani公式的漏写错误，推导了使损耗最小的最优导体厚度，指出多层连续绕制会显著增大损耗。实验表明，改进Ferreira算法误差 ...

1500℃高温氧化工艺提升 4H-SiC 场效应迁移率 https://mp.weixin.qq.com/s/v5YFGUy3hxD9NymCUfWlrg 1500℃高温氧化工艺提升 4H-SiC 场效应迁移率

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/i-YWTZr1HVzefcYABSq-Dw 三种沟槽栅SiC MOSFET栅极开关应力退化机制对比 研究三种沟槽栅SiC MOSFET器件的GSI退化模式

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lAh9j4gcnaMAqwY6wYGFtA 6000字长文——沟槽栅功率MOSFET之由来 从BJT和横向MOSFET的缺点→V型槽功率MOSFET→矩形槽功率MOSFET→深P区沟槽栅功率MOSFET→间断分布深P区沟槽栅功率MOSFET

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/EHZokOsp3uNT2tYM6Y5K2Q 伦斯勒理工学院/GE公司：高压超结、电荷平衡和传统SiC DMOSFET在高低温下的性能评估 实验研究了3.3kV超结（SJ）、3.3kV级电荷平衡（CB）和1.2kV级商用常规SiC DMOSFET（Conv）在低温77K和高温423K下的静态性能。 ...

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