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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7ireU0bUeEtHCAjs4KQsfA 应用基础【1】：什么是Buck（降压）电路？ Buck电路（降压变换器）是一种将输入直流电压转换为较低输出直流电压的开关电源拓扑。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/2GSuXZQTmRQIYTAMWDexLA Si/SiC/GaN器件电参数对比 通过数据，定量对比两种材料形成的几种器件

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/0CrAIIWQnmzpgTWR-NNctw 芯片价值链条——如何实现职业生涯转型 对价值链的认识越全面，思考维度越高，职业生涯的前景越佳

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vQYcbPVK9gsMfA25mchiLg 这几周不少朋友们对美国🇺🇸能源部搞的这五个千万级的WBG宽禁带光导辅助高压开关器件项目感兴趣，想要论文链接🔗。我还真没找到有他们发的论文，只是偶尔有些零碎的新闻。很多朋友建议二堡专心学习研究氧化镓光导辅助开关器件技术，别没事儿 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/C9uqvXcNwvqlqzazTNMrPA 基于SiC MOSFET同步BuckDC/DC变换器的共模EMI模型研究与新抑制方法。 该文通过分析Si CMOSFET同步BuckDC/DC变换器共模EMI产生机理，进而提出一种基于同步脉冲补偿(synchronous pulses compensation,SPC)的新型共模EMI抑制方法。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/_Rc5-rj6gOa-OaTU4dozvQ SiC MOSFET导通电阻的影响因素

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ESoLs57WcZhG4JWpEl-CTA 文献解读——条形、方形和六角元胞SiC MOSFET的UIS能力

SiC MOSFET SPICE Models https://mp.weixin.qq.com/s/B232bWsnqwdjS2sDIBsXTQ

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/p9pX2AsZCxff3QLe2VFJ3w SiC MOSFET器件双脉冲测试开关特性研究 本文对SiC MOSFET器件双脉冲测试过程中不同条件下的器件开关时间、开关能量、回路尖峰电压、尖峰电流参数进行了分析。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UbI0gCDZXrQMCxlJ9tFBQQ 罗姆SiC器件应用笔记——SiC MOSFET电阻成分分析 通过影响沟道电阻和漂移区电阻的占比，影响器件电阻的温度系数

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/SiZd_9nsd4dEyHQSvwkDRA 基于4H-SiC的高温驱动电路设计与制造 本文基于4H⁃SiC材料，设计了一款可耐高温的SiC驱动电路，优化了离子注入等工艺后，进行了流片制备，并对该驱动电路进行了常温和高温性能测试。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Msh-Lt_tpMEvzKXXfInamQ 技术解密：碳化硅SBD、硅基二极管、快恢复二极管和肖特基二极管有什么区别？分别应用场景 技术解密：碳化硅SBD、硅基二极管、快恢复二极管和肖特基二极管有什么区别？ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/F9UJwB4HqtsxGtMfC09itw 文献解读——GaN单片集成&功率器件结构本质 功率器件的本质，是顶部并联的元胞 + 底部串联的漂移区和衬底

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ygkaIrQuGWI-aBzk41ud1g IGBT的纵向结构 IGBT的纵向结构与器件特性密切相关，决定了器件的耐压水平、饱和电压降和开关速度。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/GsrjLEaYxqFHiLGG85QRtw 全碳化硅牵引变流器在城轨车辆中的应用研究 基于Si C MOSFET器件的永磁牵引变流器通过高度集成化设计，可使变流器占用面积减少约27%，质量减轻15%。为了降低电机谐波损耗及电机噪声，将全Si C牵引变流器的开关频率提高至2 k Hz。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vUEI2sKne1roYIBKwS1vwg TDDB中的软击穿 之前在栅介质的经时击穿中提到了软击穿（Soft Breakdown，SBD）这个概念，从定义上看，软击穿是定义在TDDB应力作用期间，与应力诱导的漏电流异常增大和电流波动所对应氧化层击穿。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3nWxIx8oNaozW1Domr53Cw 一种SiC MOSFET双阈值检测短路保护电路设计与研究 双阈值检测保护电路保护速度随着母线电压的增大而加快。在两种短路模式下均能实现200ns内完成快速、准确的短路保护。能够抑制高频杂散信号对检测电路的干扰，并且有效降低了FUL短路电流峰 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/mciCTmdEPERKg0iWJQauWA 半导体电阻率和杂质浓度/温度的关系

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/mnFsYZOzV22b9udbDq0PHg 一种SiC MOSFET有源串扰抑制驱动电路 一种有源串扰抑制驱动电路。使用辅助电源和辅助低功耗Si MOS组成的低阻抗放电回路，有效抑制了正向串扰；由快恢复二极管和SiC MOS的体二极管提供低阻抗放电回路共同抑制负向串扰.通过阻容元件构成的放 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/n4bIjUuBoXUZEFojQ4Emvg 罗姆SiC器件应用笔记——沟槽型SiC MOSFET产品 ROHM的第三代SIC MOSFET产品