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存储芯片 今日: 0|主题: 381|排名: 13 

  • [锐芯闻] HBM主流采用的MR-MUF封装技术有何优势?
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/4qYeYQkXbtPcRh2T-F_ACQ HBM主流采用的MR-MUF封装技术有何优势? 关注我们以后就可以常见面啦!
    00 zyadmin 发表于 2025-11-12 存储芯片
  • [锐芯闻] 存储巨头供需及动态一览:NAND供应也告急了!
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/BUTd8dt1aetT3VOTbW-ufg 存储巨头供需及动态一览:NAND供应也告急了!
    00 zyadmin 发表于 2025-11-12 存储芯片
  • [锐芯闻] 长鑫存储明年量产HBM3,采用的MR-MUF封装技术有何优势?
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/2Gw0432RIksO4MCVLzVjLA 长鑫存储明年量产HBM3,采用的MR-MUF封装技术有何优势? 关注我们以后就可以常见面啦!
    00 zyadmin 发表于 2025-11-12 存储芯片
  • [半导体先进技术与仿真] AI技术助推半导体研发 - 2 基于多目标贝叶斯优化的3D闪存湿法蚀刻槽优化设计
    AI技术助推半导体研发 - 2 基于多目标贝叶斯优化的3D闪存湿法蚀刻槽优化设计 https://mp.weixin.qq.com/s/La6BDPSni5tMWOFjFTAvIw 本CASE提出一种创新方法,利用多目标贝叶斯优化,基于流体动力学模拟的图像和物理量数据,推导湿法蚀刻槽的最佳设计参数。该方法通过模拟实验进行验证,结果用于有效识别最优的湿法蚀刻槽设 ...
    00 zyadmin 发表于 2025-11-10 存储芯片
  • [锐芯闻] DRAM生态学启示:单纯追技术,不如换赛道、定标准
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/NgJcQf0orYv3KBaILDDCsA DRAM生态学启示:单纯追技术,不如换赛道、定标准
    00 zyadmin 发表于 2025-11-6 存储芯片
  • [锐芯闻] 内存市场步入“超级周期”,AI推动价格全面飙升
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/74p-41EDIU8J0DgJPjdHGg 内存市场步入“超级周期”,AI推动价格全面飙升
    00 zyadmin 发表于 2025-11-5 存储芯片
  • [锐芯闻] IBM:AI时代的DRAM与NAND如何保证可靠性?揭示电荷损失机制/泄露路径
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/jtV6Q_5lvZaBbJ6AFxaqJQ IBM:AI时代的DRAM与NAND如何保证可靠性?揭示电荷损失机制/泄露路径 关注我们以后就可以常见面啦!
    00 zyadmin 发表于 2025-11-4 存储芯片
  • [锐芯闻] Memphis & TrendForce:DRAM价格持续高位,呈上行趋势
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/uYrEkpOZ--noqdRooNtRAw Memphis & TrendForce:DRAM价格持续高位,呈上行趋势
    00 zyadmin 发表于 2025-10-30 存储芯片
  • [锐芯闻] 存储超期周期来袭,DRAM何以成为国产芯片崛起新引擎?
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/jPEp12IVQRQzbMwkrAsB0Q 存储超期周期来袭,DRAM何以成为国产芯片崛起新引擎?
    00 zyadmin 发表于 2025-10-28 存储芯片
  • [锐芯闻] 探讨3D HBM的集成方案,助力LLM加速器先进封装
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/1Zef_WXbPwBMhZ_zPnr1WQ 探讨3D HBM的集成方案,助力LLM加速器先进封装
    00 zyadmin 发表于 2025-10-28 存储芯片
  • [锐芯闻] LPDDR6技术拆解:带宽提升、功耗降低、全面增强
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/wH-hIj4_DOfF_5E-JNR4Gw LPDDR6技术拆解:带宽提升、功耗降低、全面增强 关注我们以后就可以常见面啦!
    00 zyadmin 发表于 2025-10-25 存储芯片
  • [锐芯闻] 【FMS 2025】亚洲存储市场最新分析,中韩争夺内存主权!
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/Bf6ZdnEu5BXp0DvQWkY-rA 【FMS 2025】亚洲存储市场最新分析,中韩争夺内存主权!
    00 zyadmin 发表于 2025-10-22 存储芯片
  • [锐芯闻] 单片3D堆叠 DRAM:一种为大型语言模型加速的核心技术
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/0mcWUSfbNedJ_rxziF_baw 单片3D堆叠 DRAM:一种为大型语言模型加速的核心技术 分享一篇文章。
    00 zyadmin 发表于 2025-10-7 存储芯片
  • [锐芯闻] 48小时访韩!闪电签约震全球!存储涨价警报拉满!
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/YbKLp--3QGXHE4fSafPLeQ 48小时访韩!闪电签约震全球!存储涨价警报拉满! 半导体全产业链地图汇总
    00 zyadmin 发表于 2025-10-3 存储芯片
  • [锐芯闻] OpenAI结盟三星、SK:锁定每月90万片DRAM和90万片HBM晶圆供应!
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/Kw2FiFH7SafBuopVDuTHFA OpenAI结盟三星、SK:锁定每月90万片DRAM和90万片HBM晶圆供应!
    00 zyadmin 发表于 2025-10-3 存储芯片
  • [锐芯闻] 国内团队:三维堆叠IGZO-DRAM阵列研究成果,应用于存内计算
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/bainErW22f9Fd0NVQQKpJg 国内团队:三维堆叠IGZO-DRAM阵列研究成果,应用于存内计算
    00 zyadmin 发表于 2025-10-3 存储芯片
  • [元器件封装测试之友] HBM(High Bandwidth Memory)高带宽内存工艺支柱-TSV介绍
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/86rS2d6mVbK1IDpNX11gfg HBM(High Bandwidth Memory)高带宽内存工艺支柱-TSV介绍
    00 zyadmin 发表于 2025-10-3 存储芯片
  • [元器件封装测试之友] HBM(High Bandwidth Memory)高带宽内存介绍
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/vurNJehdUeLMSQeqpjgEVQ HBM(High Bandwidth Memory)高带宽内存介绍
    00 zyadmin 发表于 2025-10-2 存储芯片
  • [锐芯闻] 技术前沿:HBM技术本质与演进方向
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/6MfEvz-MhVw0jo-8hUjx2A 技术前沿:HBM技术本质与演进方向
    00 zyadmin 发表于 2025-10-1 存储芯片
  • [锐芯闻] 【FMS 2025】三星尖端内存解决方案,满足Agentic AI需求
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/HTwpczttiagW-s_7PsSwGw 【FMS 2025】三星尖端内存解决方案,满足Agentic AI需求
    00 zyadmin 发表于 2025-10-1 存储芯片
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