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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/i4iM6GwVs0b58W4a7XnYCw 聚焦CoWoS和HBM，突破AI芯片性能瓶颈

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/E40OkFPS-qzS_K12tJ8c-A 长江存储：中国存储芯片逆袭战，294层黑科技打破美韩垄断，惊动三星 武汉东湖新技术开发区，一群工程师在无尘车间里屏息凝视，中国首颗300层以上3D NAND闪存芯片正在接受最终测试。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/kQOApKgUfgduyXbdOBx9QQ 三星报告：​​1x nm节点后存储器三维化技术突破​​

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vHL6HsvZNmbI38ZTCCRruQ 半导体江湖黑话指南：从Flash到BCD的12个通关密码 一行行术语背后，隐藏着数字世界的物理根基。

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/EzXJQR_yFcZLuiqoMrWv5w 三星和 SK 海力士推进 4F² DRAM 作为 3D Dram Gateway

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/IxZck1bMlugZXX01j27sBQ 突发！美国拟撤销对三星/SK海力士/台积电在华晶圆厂“豁免” 当地时间6月20日，据《华尔街日报》援引知情人士的话报道称，负责美国商务部工业和安全局（BIS）的商务部副部 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/aUGsHH8ZrpGRTN5hAETArQ SK海力士的30年豪赌：4F²垂直栅极平台SRAM技术IEEE VLSI 2025亮相！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/yld0FEPkyKbUk8ahpzM_xg 韩国最新报告：从HBM4（2026）到HBM8（2038）的技术发展路线 关注我们以后就可以常见面啦！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7w649yVmmgB-mIsPXQeXkA 海力士报告：面向AI计算的创新内存解决方案

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/MHWy9MwntSDVXd3E4dXTJw 海力士报告：面向未来存储的先进封装技术（HBM的整体介绍）

HBM2/HBM3/HBM3E https://mp.weixin.qq.com/s/ZArl5WONNSlmVKGGyQhb1g HBM（High Bandwidth Memory，高带宽存储器）是一种高性能的3D堆叠DRAM技术，广泛应用于高性能计算（HPC）、人工智能（AI）和图形处理等领域。