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存储芯片 今日: 0|主题: 381|排名: 13 

  • [锐芯闻] ​英伟达 VR200 成本拆解:存储成AI “算力石油”
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/IAI5cLKx9ze74aaj82aXOg ​英伟达 VR200 成本拆解:存储成AI “算力石油”
    00 zyadmin 发表于 2026-6-5 存储芯片
  • [锐芯闻] 2030年,三星、海力士、美光存储三巨头总市值将达5 万亿美元
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/DKlhIdDLAGQ7vCU0hPWKMA 2030年,三星、海力士、美光存储三巨头总市值将达5 万亿美元
    00 zyadmin 发表于 2026-6-4 存储芯片
  • [锐芯闻] NAND 闪存三巨头营收全线暴涨,打响下一代制程竞赛
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/sUGi10kGcG4aHhUBgUBqkQ NAND 闪存三巨头营收全线暴涨,打响下一代制程竞赛
    00 zyadmin 发表于 2026-6-3 存储芯片
  • [ChipNote芯笔记] 【产品分析】NAND Flash 核心#2——Cell level, SLC MLC, TLC深度解析-核心问答 | 半导体生产工序必备知识点
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/_nwMUJPdu7Kq3K-Ix1fPjg 【产品分析】NAND Flash 核心#2——Cell level, SLC MLC, TLC深度解析-核心问答 | 半导体生产工序必备知识点 闪存存储容量技术:SLC / MLC / TLC 核心原理与挑战在今天的培训中,我们将了解如何增加闪存(Fl ...
    00 zyadmin 发表于 2026-6-2 存储芯片
  • [芯域前沿] 铁电随机存取存储器(FeRAM)简析
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/TK9P0_AuGWubZ97JwSj6hw 铁电随机存取存储器(FeRAM)简析
    00 zyadmin 发表于 2026-6-2 存储芯片
  • [锐芯闻] 三星LPDDR6设计报告,面向 AI 时代移动终端、车载、云服务器
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/qDqOuAbXzHiYiD2m0opg2Q 三星LPDDR6设计报告,面向 AI 时代移动终端、车载、云服务器
    00 zyadmin 发表于 2026-6-2 存储芯片
  • [Jeff的芯片世界] SK海力士新发布的iHBM技术是什么?
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/PLfyPu1p5I1SJJYmRfXE0A SK海力士新发布的iHBM技术是什么?
    00 zyadmin 发表于 2026-6-1 存储芯片
  • [芯上人笔记] 存储芯片巨头对决:长鑫科技的对手是美光?
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/tsLAIGR1_r9DU6Oy24ldPw 如果没有EUV怎么办?没有海外市场怎么办?周期利润下滑怎么办?美国制裁加剧怎么办?
    00 zyadmin 发表于 2026-6-1 存储芯片
  • [锐芯闻] IMW 2026发布:3D NAND 架构革新,为 AI 向量存储打造基础
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/PH3jODPUivcDMOqFUGBgdw IMW 2026发布:3D NAND 架构革新,为 AI 向量存储打造基础
    00 zyadmin 发表于 2026-6-1 存储芯片
  • [锐芯闻] IMW 2026 发布:新型 3D AND 型 1T1C DRAM,破解高位线电容难题
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/_1GBQhf791JLwzdU-E-PIw IMW 2026 发布:新型 3D AND 型 1T1C DRAM,破解高位线电容难题
    00 zyadmin 发表于 2026-6-1 存储芯片
  • [芯上人笔记] 长鑫存储的“合肥之战”:没有EUV、没有海外市场,如何挑战美光?
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/biPkPlSY8NwpvPjkU5YwAQ 是的,你没看错,长鑫现在的对手不是三星,也不是SK海力士,而是三巨头中排名第三的美光。中国乃至全球苦“三巨头”久矣。
    00 zyadmin 发表于 2026-5-31 存储芯片
  • [ChipNote芯笔记] 【产品分析】NAND Flash 核心#1——浮栅极Floating Gate-NAND / NOR Flash深度解析-核心问答 | 半导体生产工序必备知识点
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/DJri_ucsg1D14OXuzx85SQ 【产品分析】NAND Flash 核心#1——浮栅极Floating Gate-NAND / NOR Flash深度解析-核心问答 | 半导体生产工序必备知识点 NAND FLASH 核心——浮栅极Floating Gate-NAND / NOR Flash深度解析-核心问答 | 半导体生产工序必备知识点 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-5-31 存储芯片
  • [锐芯闻] 解读美光1α、1β、1γ 代 DRAM 技术,一代更比一代强
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/5BRhKOfA64Q76-Jiy8K9xg 解读美光1α、1β、1γ 代 DRAM 技术,一代更比一代强
    00 zyadmin 发表于 2026-5-31 存储芯片
  • [芯域前沿] Frame Cell、Filler Cell、Tap Cell等到底是什么?
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/Ax10oL0mAd38fs-JaC9xDg Frame Cell、Filler Cell、Tap Cell等到底是什么? 在芯片设计里,Cell 更接近“可复用的版图/电路单元”。
    00 zyadmin 发表于 2026-5-30 存储芯片
  • [锐芯闻] “HBM杀手”?英特尔牵头下一代 3D 内存革命
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/bC69wjEX8wLYDcn524mO-w “HBM杀手”?英特尔牵头下一代 3D 内存革命
    00 zyadmin 发表于 2026-5-29 存储芯片
  • [锐芯闻] SK 海力士推出iHBM 散热解决方案,突破AI热管理瓶颈
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/wGNtkGD60c-uAiBGXQVAqQ SK 海力士推出iHBM 散热解决方案,突破AI热管理瓶颈
    00 zyadmin 发表于 2026-5-28 存储芯片
  • [功率半导体生态圈] 刚刚!长鑫存储IPO过会
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/7eDzVSc1-NSI5jkJh2LI8Q 关注公众号,点击公众号主页右上角“ · · · ”,设置星标,实时关注功率半导体生态圈最新资讯
    00 zyadmin 发表于 2026-5-27 存储芯片
  • [芯上人笔记] 长鑫科技IPO获上市委审议通过
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/IzEud3zhDctXpF4TnNWOZg 2026年5月27日,国内存储芯片行业迎来里程碑事件!长鑫首次公开发行股票(IPO)申请正式获得上海证券交易所上市委审议通过。
    00 zyadmin 发表于 2026-5-27 存储芯片
  • [Jeff的芯片世界] 3D DRAM技术介绍
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/VvZPjHZD0K5NT4kgdx3J_w 3D DRAM技术介绍
    00 zyadmin 发表于 2026-5-27 存储芯片
  • [锐芯闻] 三星成功产出首款低于10nm DRAM 工艺功能芯片 采用4F² 单元架构与VCT
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/0fm5WIUocb7Hak0UIqm8MA 三星成功产出首款低于10nm DRAM 工艺功能芯片 采用4F² 单元架构与VCT
    00 zyadmin 发表于 2026-5-27 存储芯片
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