[半导体技术前沿] 中国芯“破卡”全景图:2026年四大核心突破深度解析
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最近,国产半导体圈子捷报频传,仿佛听到了“卡脖子”技术被陆续掰开的声音。
[元器件封装测试之友] 第五届高端电子化学品先进技术与新材料发展【福建三明/5月29-31日+参观考察】
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第五届高端电子化学品先进技术与新材料发展【福建三明/5月29-31日+参观考察】
[芯域前沿] Heterogeneous Integration(异构集成)概念简介
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Heterogeneous Integration(异构集成)概念简介
一块芯片不够了:异构集成,正在重写半导体的“摩尔定律”过去很多人理解芯片进步,靠的是“把晶体管做得更小”。 ...
[小江谈芯] 横扩对高压MOSFET的影响(2020年_SUNY)
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横扩对高压MOSFET的影响(2020年_SUNY)
2020年,纽约州立大学理工学院研究,P⁺注入的横向扩散会显著影响13-kV 4H-SiC MOSFET的性能。1、影响JFET导电通道(<2 µm)时,严重增大器件导通电阻;2、终端结构,扩散会侵蚀环间距 ...
[芯上人笔记] 每日三省自查便签(可下载)
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吾日三省吾身实操。日期:______1. 谋事尽心:今日为事务谋划,是否全力以赴?
[锐芯闻] 美国国会立法讨论草案:捆绑盟友,加大制裁中国半导体
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美国国会立法讨论草案:捆绑盟友,加大制裁中国半导体
关注我们以后就可以常见面啦!
[晏小北] 意法半导体简介
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意法半导体简介
1987年成立,由意大利的SGS微电子公司和法国Thomson半导体公司合并而成,
1998年,Thomson撤股,由SGS-THOMSON更名为意法半导体(STMicroelectronics),员工超过5万人,是集设计、制造为一体的IDM厂商。
ST的总部位于瑞士 ...
[芯鲜事] 你有多久没休息了
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你有多久没休息了
[硕博纵横] 3分钟掌握核心要点--图解什么是“极性”!
3分钟掌握核心要点--图解什么是“极性”!
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3分钟掌握核心要点--图解什么是“极性”!
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[晏小北] 2025年SiC中国市场发展趋势分析
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2025年SiC中国市场发展趋势分析
本土企业将市场份额视作第一优先级,甚至在利润之上,因此引发行业价格战
[芯途小栈 Chip Starter] 上海又一国资半导体大厂!30 秒看懂上海光通信,应届生入行首选
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上海又一国资半导体大厂!30 秒看懂上海光通信,应届生入行首选
30秒get核心信息,看完秒懂上海光通信是谁、做什么、实力有多强、值不值得去?
[功率半导体器件] 2026全国材料失效分析预防与残余应力检测论坛-长沙5.22-5.24
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2026全国材料失效分析预防与残余应力检测论坛-长沙5.22-5.24
2026年5月22日—24日在长沙市召开2026年全国材料失效分析预防与残余应力检测论坛。竭诚欢迎从事失效分析与残余应力检测行业的专家、科技人员、高校师生和企业界人士参加会议,欢 ...
[李傲谈芯] SOG出货解析:晶圆厂为什么要给客户“免费送样”?
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SOG出货解析:晶圆厂为什么要给客户“免费送样”?
什么是SOG?SOG,全称Sample Outgoing Form,直译为“样品出货单”。
[芯鲜事] 在SMIC累,但值得
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看到留言区两种声音:一种感恩SMIC培养了自己,一种抱怨每天加班到晚上8点多。我想说,这两种感受我都理解,也都经历过。
[硕博纵横] 干货总结--残余应力的形成与分布
干货总结--残余应力的形成与分布
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残余应力是指材料在无外力或热梯度作用下仍存在的内部应力,通常由制造过程引起的不均匀变形或约束导致。
[硕博纵横] 干货总结--残余应力的形成与分布
干货总结--残余应力的形成与分布
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残余应力是指材料在无外力或热梯度作用下仍存在的内部应力,通常由制造过程引起的不均匀变形或约束导致。
[小江谈芯] 碳化硅注入横扩浅谈(北卡-2022年)
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碳化硅注入横扩浅谈(北卡-2022年)
2022年,北卡关于SiC MOSFETP阱离子注入横向扩散的研究,P横扩有效沟道长度增加同时减小JFET区宽度,对器件性能带来影响;好的影响(如改善击穿特性、降低栅氧电场、改善短路等),也有坏的影响( ...
[晏小北] SiC MOSFET与Si IGBT短路能力对比
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SiC MOSFET与Si IGBT短路能力对比
典型工业级Si IGBT的短路耐受时间约为10 μs,而SiC MOSFET的短路耐受时间通常为3 μs左右,
究其原因,SiC MOSFET具备更高的电流密度、更小的芯片面积,以致于热量分布更加集中,短路耐受能力相对较差。
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[芯域前沿] 半导体行业术语缩写词典总结-H(第二轮)
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半导体行业术语缩写词典总结-H(第二轮)
作为半导体行业新人来说,最痛苦的莫过于各种缩写词术语了,有的缩写词一样但是会有不同的解释。