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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/b-MRtPad_HCbY0i7tIZazg IGBT的商业化，两种技术路线之争 这个故事，涉及贾扬·巴利加（B. Jayant Baliga）、杰克·韦尔奇（Jack Welch）等著名大佬，非常有趣

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/2T_8lNzQT5xxOTqTUFoQ2g 1959~1969，集成电路专利之战 这世界充满利益冲突，却也不乏君子之争

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/k3c-V6WT2XLVxOFKCjF0jg 课件推送（金属化相关-功率半导体器件） 继续分享课件！题目：金属化相关的几个问题（阻挡层金属、金属场板），来源：功率半导体器件；图文并茂，对如何形成欧姆接触，金属阻挡层的选取，如何设计金属场板终端有较为详细的描述；另该号有 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Pl-Wh3lglv_nNTkq51OAbw 为啥俄罗斯芯片不发达？科技树点歪？！ 莫斯科郊外的泽列诺格勒，曾被誉为“苏联硅谷”，如今只剩一座座空荡的厂房和过时的设备，诉说着一段错失的科技革命。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/5KgU9z1HDzoe4bKFIyuGAg 论专注

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/blpUbcKNQnXDq2ZfubpTJQ 这60家半导体公司，近十年EPS保持15%增长，中国企业上榜！ 关注我们以后就可以常见面啦！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/14OS6qd_8kQeXthZ0KHz7g 三菱VS英飞凌：沟槽型SiC MOSFET产品技术路线推演 三菱的改进BPW结构，则是将侧壁P区设计成周期性阵列，以某种比例存于SiC材料之中

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/chbJTkuv1kKK2rXlcRnJ4A 德州仪器VS仙童，集成电路专利之战 在半年内，基尔比和诺伊斯先后走完了这段旅程——通向集成电路的智力之旅

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/t_hTQE_RnBKseGRGo1bG9g 又见万伏（阿秋） IEDM2024，Naval Research Laboratory报道了基于Ga₂O₃材料的10 kV增强型JFET器件，‌阻断电压10 kV‌，并在‌250°C高温下稳定工作。HTRB/HTGB考核时间1000s，有点短，会用在哪里呢？ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/QdIDybqo1AFI1f1qbBtn_w 文献研读：以IRDS路线图攻克半导体危机（上篇） 从美苏太空争霸的硝烟，到新冠疫情引发的全球断供，一部半导体产业的跌宕史诗，揭示技术如何在大国博弈与市场浪 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Js6eus1fHLNv71qAMPOLyA 文献研读：以IRDS路线图攻克半导体危机（下篇） （接上文）052020：全球化迷思——疫情冲击与第四次危机5.1 脆弱的全球化供应链到2020年，Foundr

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9GI4d11mRyLWQMw_zv2d8Q 这里说的不是大号透镜那套光学计算（Optical Computing），而是能上芯片、能做产品路线图的光子计

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/YStXmH4fpuFFfaY4tCWXHw 原来芯片是这么“炼”的？6 大核心阶段讲明白

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/oTj7SGim6FvqIYQSUTH7ug 芯企快讯 |华大九天、沈阳隆基、奥松电子、润和软件等企业本周最新进展！ 本周半导体企业大事件！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/V-udYSlvUo5aswRS35JdHA 为什么手机处理器性能逐年提升，依会卡顿和发热？存算一体芯片：打破“内存墙”的革命性突破 存算一体芯片：打破“内存墙”的革命性突破> 算力飞奔的时代，你的设备却可能因为一个70岁的老旧架构而“摸鱼”。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/fJcagaSQnqJhkleAB7rkcw 碳化硅深结MOSFET？（阿秋） 翻翻IEDM2024上功率器件相关的最新研究。首篇是关于SiC MOSFET 的，1.8um深P阱有啥好处呢？可实现低的损耗和高的坚固型。击穿电压1600V，阈值电压2.4V，比导3.35mΩ·cm2，损耗降低，短路5us，通过UIS测试。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/PF0kjW3Z4g46O_rUuTwVJQ 封装动态和未来（Dynex-2018年） 感谢网友，笔者的文章又源源不断的可以下载了。抓紧翻阅起来，修身也不能偷懒啊！两篇关于功率模块的文献，Dynex（2018年），McMaster University（2020年），碳化硅功率模块，尤其是车用碳化硅模块百花齐 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/tUjOMkGpvbVvJz33uP4ELA 一周半导体芯闻：安世半导体进展；大湾区半导体展；Meta首席AI科学家曝离职创业 一颗小小的芯片，牵动着全球半导体产业的神经。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/mstd6mlgYIkOUZ53Fm4pmA 高压碳化硅动态和未来（ABB-2018年） ABB，高压sic mosfet现状和未来的探讨，3.3kV-6.5kV SiC MOSFET在静态损耗和动态性能表现突出，但体二极管导通损耗大。15kV级器件可简化拓扑并降低系统总损耗，仍需在钝化、封装技术等方面突破才能实 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/szcMXNZfMf4K4sZ_MxFicQ 汇总更新 每两周汇总更新所有的推送文章，供读者朋友们连续性阅读，也可以翻阅公众号主页各菜单下的推送进行查阅。