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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lf73llW4PMcKRXfZzqVC0g 人生最不幸处，是:

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Y655fPjksT6He_MhPqtthQ 注入横扩对10kV SiC JBS终端结构的影响（2018年_NCSU） 2018年，北卡关于铝离子注入横向扩散对10kV SiC JBS终端的研究，P横扩（约0.5um）改变了环形貌，其中对场环的影响最明显，其次为混合JTE，而对多区JTE的影响最弱；原因为场环中环 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lsv_QxkFt6ABRHujSVXP8g 最新通知-第五届高端电子化学品先进技术与新材料发展研讨会-三明/5月29-31日

别被电阻骗了！！它根本代表不了材料导电特性 https://mp.weixin.qq.com/s/RuFaopDp16JZEtfbEZnESw 电阻值只是宏观、直流、理想条件下的简化指标，它本质上混合了材料电阻率与几何形状信息，完全不能单独代表材料真实的

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7ZlL0lluVmwDUIEk7DAklg 人生小满，小得盈满。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/OuRkYcxd3zKh92rLeLZ4VQ 2025年SiC器件商用产品分析 SiC器件市场以MOSFET和SBD为主，后面几种目前市场份额极低

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/iNppQ1tQf214Kz4SzW3ehQ 2025年~2030年SiC器件产能分析 对2025年~2029年SiC器件各地区产能做一简单分析

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/SaxNTlbeJvgMoYGvleWWLA 去魅（午夜梦回） 先说说题目，午夜梦回，确实午夜，醒了才如泉涌，抓紧敲下来，感觉一敲就有遗失，只能随缘。去魅呢，是笔者最近深思的一个话题。抛两个观点，一呢，对芯片去魅，二呢，对老外去魅。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ETY_hbdN2JvaKySdhrMjrQ ASML的YieldStar系统介绍

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/FlFwuF15NglzDRIG78OCqw 我花了3年才搞懂，原来我们每天用的手机，底层全是“假信号”

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赶紧收藏--SEM、TEM、ESEM、EDS、EBSD的区别详解！ https://mp.weixin.qq.com/s/spchNuNR_xRm8-iNvOIEpQ SEM、TEM、ESEM 可实现从宏观形貌到原子尺度结构的高分辨表征，EDS 提供精准微区成分分析，EBSD

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/tJftxSqmoXYdrFXej433VA 美苏争霸：集成电路发展的世纪机遇 至1969年7月20日，阿波罗计划已购买了超过一百万只集成电路产品

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DhUD-MXgsBzo57wjxmIJLQ 1959~1969，集成电路专利之战 这世界充满利益冲突，却也不乏君子之争

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/i-bZf7wfAGc_eRfOZtlWEg 又见缺陷（博世-2022年） 2022年，博世高质量外延生长，研究发现通过优化 ‌4H-SiC外延层生长速率‌可降低其缺陷，提高芯片良率。‌低缓冲层/高漂移层（L-H）生长速率组合‌实现了最低缺陷密度，为高性能SiC功率器件提供了关键工艺优化方 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/EeGAVcYaw16N4XdDti2Rpg 布局三代半：华虹的“必答题” 是踩到风口，还是悬崖？

各位硕博，这些地方都去过吗？ https://mp.weixin.qq.com/s/eeLTtx9RuSLGuxBI_fdwEQ

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