[硕博纵横] 赶紧收藏,图文详细解说什么是吸附
赶紧收藏,图文详细解说什么是吸附
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🔥大家早上好!做气体分离、水处理或催化剂,还在被“吸附量忽高忽低、选择性贼差”搞得头秃?别再只会调材料比表面积了!
[半导体芯路历程] 全网嫉妒!SK海力士员工年薪加奖金或超千万,工服成了顶级“相亲战袍”
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全网嫉妒!SK海力士员工年薪加奖金或超千万,工服成了顶级“相亲战袍”
最近,一则飘洋过海的消息,炸得国内互联网彻夜难眠。全球芯片巨头SK海力士的员工正经历一场史无前例的“泼天富贵”。 ...
[晏小北] 博世SiC高质量外延生长研究
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博世SiC高质量外延生长研究
缓冲层与外延层生长速率对关键缺陷数量的影响有所不同,欲获得高质量外延层,二者需协同设计
[小江谈芯] 儿时游戏(阿铁)
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儿时游戏(阿铁)
跟铁子是发小,同窗兼好友。铁子清明归来,抓紧小聚一把,相谈甚欢。聊了好多小时候的故事(当然也有事故),才发现铁爹们比我们玩的还多,还花样,还自由。 ...
[碳化硅内参] 狂赚52亿,英飞凌又赢麻了!
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狂赚52亿,英飞凌又赢麻了!
有人吃的是澳龙,有人连汤都喝不上
[芯途小栈 Chip Starter] 行业快讯|狂砸550亿美元!马斯克官宣超级芯片工厂,重塑全球AI与航天芯片格局
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行业快讯|狂砸550亿美元!马斯克官宣超级芯片工厂,重塑全球AI与航天芯片格局
马斯克旗下SpaceX再度抛出重磅投资计划,拟斥资550亿美元在得克萨斯州打造超级Terafab芯片工厂 ...
[芯途小栈 Chip Starter] 行业快讯|国产6G超宽带芯片重大突破!全频段通吃,登顶《自然》
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行业快讯|国产6G超宽带芯片重大突破!全频段通吃,登顶《自然》
我国成功研发出全球首款6G超宽带光电融合集成通信芯片,攻克了长期困扰6G发展的全频段通信、高速传输核心难题 ...
[晏小北] 英飞凌GaN半桥产品
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英飞凌GaN半桥产品
英飞凌扩展CoolGaN™产品组合,推出CoolGaN Drive HB 600V G5系列产品,
四款产品型号分别为:IGI60L1111B1M、IGI60L1414B1M、IGI60L2727B1M、IGI60L5050B1M,
设计思路是——将两颗600V GaN开关器件以半桥拓扑集成,并 ...
[芯鲜事] 我有多久没有接触半导体方面的知识了
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我有多久没有接触半导体方面的知识了
[硕博纵横] 我曾以为催化剂全身都是宝,直到有人指给我看那“亿分之一”的位置......
我曾以为催化剂全身都是宝,直到有人指给我看那“亿分之一”的位置......
https://mp.weixin.qq.com/s/sxWz1L4PNIUl6hbL63tvSw
🔬做电催化天天找活性位点,但它到底是啥?看文献天花乱坠,其实就三点!
[硕博纵横] 我曾以为催化剂全身都是宝,直到有人指给我看那“亿分之一”的位置......
我曾以为催化剂全身都是宝,直到有人指给我看那“亿分之一”的位置......
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🔬做电催化天天找活性位点,但它到底是啥?看文献天花乱坠,其实就三点!
[晏小北] SiC器件产业发展趋势分析
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SiC器件产业发展趋势分析
垂直整合(Vertical integration)已成为SiC功率器件产业生态的核心发展趋势
[芯途小栈 Chip Starter] 行业快讯|406 亿重磅并购落地!中芯国际将全资控股中芯北方
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行业快讯|406 亿重磅并购落地!中芯国际将全资控股中芯北方
406 亿产能整合|中芯国际全资收购中芯北方即将上会
[晏小北] 1984年,一起未遂的半导体投资案例
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1984年,一起未遂的半导体投资案例
1983年10月31日,这是张忠谋在德州仪器的最后一天,
11月1日,他呆在家里,正式告别德仪,
莫理士·张从德州仪器辞职的消息很快登上了《华尔街日报》和《电子新闻》,猎头开始对这位正值盛年的高管进行电 ...
[硕博纵横] 决定材料科学与催化领域性能的关键之一晶界怎么分类、调控?
决定材料科学与催化领域性能的关键之一晶界怎么分类、调控?
https://mp.weixin.qq.com/s/oZwnIVflDggNrDu3qqYASg
一块金属, 看起来是完整的, 但在显微镜下, 它其实是很多“小晶体”拼起来的。
[硕博纵横] 决定材料科学与催化领域性能的关键之一晶界怎么分类、调控?
决定材料科学与催化领域性能的关键之一晶界怎么分类、调控?
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一块金属, 看起来是完整的, 但在显微镜下, 它其实是很多“小晶体”拼起来的。
[Jeff的芯片世界] TC Wafer 与 RTD Wafer 都是什么?怎么选择?
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TC Wafer 与 RTD Wafer 都是什么?怎么选择?
[碳化硅内参] 2026,碳化硅首轮降薪优化潮来袭!
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2026,碳化硅首轮降薪优化潮来袭!
老板们的账本上已经没有了温情这一栏!
[晏小北] 偏压温度不稳定性BTI简介
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偏压温度不稳定性BTI简介
使用器件时,由于半导体-氧化层界面处缺陷的产生以及充放电的进行,SiC MOSFET的Vth会产生漂移,对器件长期运行产生影响,
一般来说,Vth往更大方向漂移,使得电阻变大,损耗增加,且无论正负栅偏,Vth漂移一般在前 ...
[硕博纵横] 进收藏夹吃灰吧!Endnote傻瓜入门!
进收藏夹吃灰吧!Endnote傻瓜入门!
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❄️毕业季要来啦,或者暑假准备回家闭门写文章的科研狗们,不管是大论文还是小论文,Endnote准没错啦!!!