[硕博纵横] 赶紧收藏!超细解读:如何让聚合物“乖乖”结晶?
赶紧收藏!超细解读:如何让聚合物“乖乖”结晶?
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你是否也曾困惑——同样是高分子材料,为什么有的硬如磐石、性能优越,有的却软塌无力、毫无章法?答案往往藏在“结晶”二字里。
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[半导体行业前沿] 光模块及光芯片技术行业深度报告
光模块及光芯片技术行业深度报告
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摘要:由于半导体行业体系庞大,理论知识繁杂,我们将通过多个期次和专题进行全面整理讲解。
[晏小北] V型槽功率MOSFET
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V型槽功率MOSFET
VMOS结构,与如今的沟槽栅MOSFET没有本质区别,只是沟槽形状为V型,
最近数十年,DMOS(Double-diffused MOSFET)被广泛用于描述所有采用连续扩散或非均匀沟道浓度的绝缘栅场效应器件(无论横向纵向),来历却渐渐不为人知 ...
[硕博纵横] 一张图,彻底分清“中间体”与“过渡态”
一张图,彻底分清“中间体”与“过渡态”
https://mp.weixin.qq.com/s/gV7oC_2uDxLUavQvIOV48g
在学习有机化学反应机理时,有两个概念总是形影不离,又常常让人一头雾水——中间体和过渡态。
[硕博纵横] 一张图,彻底分清“中间体”与“过渡态”
一张图,彻底分清“中间体”与“过渡态”
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在学习有机化学反应机理时,有两个概念总是形影不离,又常常让人一头雾水——中间体和过渡态。
[功率半导体器件] 半导体器件的可靠性工艺控制手段
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半导体器件的可靠性工艺控制手段
多数半导体器件在应用时出现的失效模式大多数与工艺过程的质量控制不严有关。
[芯片揭秘] 2026年浦东新区集成电路技能大赛启动仪式暨电子气体创新赛公开路演圆满完成
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2026年浦东新区集成电路技能大赛启动仪式暨电子气体创新赛公开路演圆满完成
以赛促创 共筑中国芯产业新高地
[碳化硅内参] 九峰山论坛后记:国产SiC器件龙头的长远博弈
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九峰山论坛后记:国产SiC器件龙头的长远博弈
“内卷求生”走向“全球竞合”
[中南微电人] 以先进制造为骨,以芯片为魂 | 中南微电子专业企业生产实习预热中。。。
以先进制造为骨,以芯片为魂 | 中南微电子专业企业生产实习预热中。。。
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中南大学微电子科学与工程专业诚邀更多集成电路制造、先进封装、功率半导体、半导体专用装备、测试验证、电子材料与电子信息领域的企业,能够为我们微电子专业学生提供宝贵的实习机会。
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[芯域前沿] 【报名开启】抢占半导体关键材料新风口!
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【报名开启】抢占半导体关键材料新风口!
【创新引领,赋能未来】抢占半导体关键材料新风口!
[硕博纵横] 赶紧收藏,如何判断化学键断裂,附表征方法
赶紧收藏,如何判断化学键断裂,附表征方法
https://mp.weixin.qq.com/s/HhxWr2eyDx3fPFGUEWgi5Q
✨什么是化学键? 原子(或离子)间能形成稳定聚集体的强相互作用力,形成的核心驱动力是能量最低原理,让原子电子构型趋向稳定。
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[硕博纵横] 赶紧收藏,如何判断化学键断裂,附表征方法
赶紧收藏,如何判断化学键断裂,附表征方法
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✨什么是化学键? 原子(或离子)间能形成稳定聚集体的强相互作用力,形成的核心驱动力是能量最低原理,让原子电子构型趋向稳定。
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[晏小北] 对晶圆代工的误解
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对晶圆代工的误解
英文的foundry是一个中性词,无褒贬之意,中文将其译作晶圆代工,而“代工”在此前的中文语境里具有低技术、低资本的意味,
“低技术”、“低资本”这两个标签,在晶圆代工领域并不成立,
但中文语境的固有习惯,仍会使外 ...
[Jeff的芯片世界] DTCO与STCO都是什么?
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DTCO与STCO都是什么?
[硕博纵横] 晶粒尺寸怎么测?组织结构如何看?EBSD给出终极答案
晶粒尺寸怎么测?组织结构如何看?EBSD给出终极答案
https://mp.weixin.qq.com/s/vk-X2qpDpqj5OY-RHqASmA
晶粒尺寸怎么测?组织结构如何看?EBSD给出终极答案
[硕博纵横] 晶粒尺寸怎么测?组织结构如何看?EBSD给出终极答案
晶粒尺寸怎么测?组织结构如何看?EBSD给出终极答案
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晶粒尺寸怎么测?组织结构如何看?EBSD给出终极答案
[半导体技术前沿] 中国芯“破卡”全景图:2026年四大核心突破深度解析
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最近,国产半导体圈子捷报频传,仿佛听到了“卡脖子”技术被陆续掰开的声音。
[元器件封装测试之友] 第五届高端电子化学品先进技术与新材料发展【福建三明/5月29-31日+参观考察】
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第五届高端电子化学品先进技术与新材料发展【福建三明/5月29-31日+参观考察】
[芯域前沿] Heterogeneous Integration(异构集成)概念简介
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Heterogeneous Integration(异构集成)概念简介
一块芯片不够了:异构集成,正在重写半导体的“摩尔定律”过去很多人理解芯片进步,靠的是“把晶体管做得更小”。 ...
[小江谈芯] 横扩对高压MOSFET的影响(2020年_SUNY)
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横扩对高压MOSFET的影响(2020年_SUNY)
2020年,纽约州立大学理工学院研究,P⁺注入的横向扩散会显著影响13-kV 4H-SiC MOSFET的性能。1、影响JFET导电通道(<2 µm)时,严重增大器件导通电阻;2、终端结构,扩散会侵蚀环间距 ...