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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/OeIMqLXmijA8q07hVeyy1A 会议通知 || 2026年第二届氧化镓技术与产业发展研讨会 点击阅读原文，立即报名第二届先进光子术研讨会！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/U_QKSMGsINE3Ss4jpTk2iA 该GaN项目一期封顶，预计年内投产 2025年营收10.2亿元

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/h-gzAzlR3bg50uM8cq5Qbg 3个SiC项目建设提速，合计投资近25亿 博涛创芯、悟凡科技、河南创研

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/RBkv4NW4ZbpLzY2Ezu5fcQ 再战IPO！飞仕得能否成为下一个联讯仪器？ 时间会把套利者和深耕者筛得清清楚楚

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/I131xiLEAXeSx1t8xNWr9w SiC MOS硬扛3倍负载1秒可行吗？深度热学分析 SiC MOS硬扛3倍负载1秒可行吗？深度热学分析

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9-B_uHAVqUGxjoBARmEJ7w Microchip 3.3kV HV‑D3 SiC功率模块 Microchip推出3.3kV HV‑D3 SiC功率模块，旨在加速超大规模 AI 数据中心及其他高压电力设备的固态变压器（SST）商用落地进程， 该产品在行业通用62 mm封装内，集成 3.3 kV SiC MOSFET与肖特基二极管 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Li1lEAPtrztcu5B_rXOa4w JFET宽度对沟槽栅SiC MOSFET短路能力之影响 制备两款沟道结构相同、JFET区设计不同的沟槽栅SiC MOSFET器件A和B，对比短路能力

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/nTvT0oxzcei_Kl9Be4y5YQ SiC MOSFET体二极管导通诱发双极退化研究 基于商用1.2kV SiC MOSFET，研究SiC MOSFET体二极管导通诱发双极退化问题

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/eVv3KmlsiiQ2070GcWSX-A 电力电子的下一个前沿领域研讨(苏黎世联邦理工) 碳化硅MOS，宽禁带半导体，固态变压器SST，SiC模块，AC/DC-DC/DC-DC/AC

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/1B8DCV6a1TKbrv5KfOI76w 最终日程已定，来看看嵌埋式封装有哪些技术是GaN HEMT可以借用

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/FRysJFZxP-g4q5tFZwnpYQ 慕尼黑电子展上的GaN玩家 今年慕尼黑上海电子展，国产GaN的玩家来了三家，格晶半导体，镓未来，云镓，希望未来各种展会都有中国GaN的身影#慕尼黑电子展上海#功率半导体#GaN #GaN Hemt ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/EPy0yGIdR6y3RXl7mLMJIA 大理，第二届半导体物理与电子器件创新会议！ 大理，第二届半导体物理与电子器件创新会议！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ajNx6bHKWquwlo78jCEnYw 为什么功率GaN HEMT爱用铜线，而不是铝线？ 最准确的说法不是“铜比铝更好”，而是：GaN的高频开关、高功率密度、低阈值、无体二极管和对Source寄生电感的敏感性，决定了封装互连必须向更低电感、更低电阻、更高机械稳定性方向演进；铜线 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/dLvF__ZwNK_5LtQWB9Qt5g 爆肝8小时DHTOL测试！650V SiC与GaN极限对决，真实数据打碎“完美”滤镜 本文基于DHTOL测试研究，深度对比了650V商用Trench SiC MOSFET与p-GaN HEMT在极限工况下的表现。测试显示，在接近真实应用环境的8小时持续应力下，两者的动态导通电 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/CORmIbWfKsZ7MWeyB8WENg 90%的GaN工程师，都把钝化层理解错了！真正影响Dynamic Ron的，其实不是PI "SiN决定电子学可靠性，PI决定机械可靠性；真正优秀的GaN HEMT，靠的是整套可靠性架构，而不是某一种材料。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/J6Kv2l6vdbBnJZYMUuxI2Q 很多人认为CMP只是抛光，其实它决定了GaN HEMT能做到什么水平 在传统CMOS时代，CMP是一项平坦化工艺；而在GaN HEMT中，它已经逐渐演变成一项影响器件制造能力的重要工艺。不仅影响后续光刻和金属互连，更影响界面质量、电场分布以及器件一 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/CItwD2ax6_AZUIQoUiTQQw 阳光电源 EnerNeo 新产品发布：一台发布即可售的固态变压器 阳光电源首款全自研 EnerNeo SST 在合肥亮相，发布即可售、首批订单落地，背后指向 AIDC 供电从低压配电向中压直挂和 800V 直流架构的重构。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/rW36gKYW7G_4_nsjl9ky4Q ETH Zürich固态变压器SST技术研讨七：架构与核心设计（近年高校 / 企业 SST 研发成果精选） 固态变压器SST，碳化硅模块，PET,碳化硅MOS，智能变压器，DAB/CHB，AC/DC-DC/DC-DC/AC ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/OyIr7jpyChCIE3GtZi5smg 宽输入范围、全范围 ZVS 的高效率 BBLLC-LLC混合变换器的 DCX 工作模式研究 Buck-boost LLC；LLC-DCX；SiC MOS；Sigma 变换器；部分能量传输；碳化硅模块；固态变压器SST，宽禁带半导体，AC/DC-DC/DC-DC/AC ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ZLaMit-T6wXHen59oxJybQ —种优化动态特性SiC MOSFET模型及其在高压固态开关的应用 为设计一款保护J-TEXT托卡马克电子回旋管的高压固态开关，新型宽禁带半导体SiC-MOSFET凭借低开关损耗、高耐压和MHz级别的开关频率等优良电气特性，在其中承担核心作用。 ...