第三代半导体 今日: 0|主题: 330|排名: 4 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/JtOH97T-ecqutH4ZjOONgg JFET 这条一直叫好不叫座的路线，终于找到了一个比 MOSFET 更能发挥其特性的战场：固态电源保护。

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/pLhHbEZKHLGNM8LS1EuMqA 剑指大中华区SiC综合排名第一

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/f5DMhzU16hCKdKC5kW_IPw 格晶半导体

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/4ARfrx19Af1uz5eV_C2htQ 毫米波无线隔离产品CMTI能力达到400kV/μs

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/GVUjWblohANyGgP53a73Tg 700V PowerGaN 入场，SiC 继续重构产能：ST 在财报压力下战略押注宽禁带双线

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/sS8MRCOO6yBVbw33Cefwug SiC MOSFET量产的核心瓶颈是SiC/SiO₂栅氧界面缺陷。传统热氧化工艺易产生碳簇残留、硅悬挂键及晶格失配问题，造成界面态密度高、沟道迁移率低、栅氧可靠性不足，无法满足车规、高压工业器件的使用标准。原子层沉积（ALD）硼源是解决该难题 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/mRLsuWPF-2yuNvvMyBr6MA 文章来自：中文科技期刊数据库（全文版）工程技术作者：董宇轩摘要：随着智能电网技术的发展，固态变压器（ SST

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/sYaBwQ3a1COzkclBNLjbvg 、 引言：COMPUTEX 前夕，AI 服务器产业链重新站队2026 年 5 月底，COMPUTEX 2026

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/kz4nvc4saAJAfWyV4mE_TA 针对碳化硅(SiC)金属一氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)中SiC/SiO2界面态密度偏高、迁移率低、栅氧击穿场强退化与阈值电压不稳定问题，系统研究了氧化温度、NO退火组分对界面特性及器件性能的调控机制。 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/t9tmeQlIX3JQSWYjiQBr5g 固态变压器即用 SiC 等半导体器件 + 高频变换替代传统工频铁芯，把被动变压升级为可交直流互转、双向控功、智能治理电能质量的高效紧凑 “电力能源路由器。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/aDRfN4CTPcB0DO-Rxv_vBw 这是「APEC 2026 精讲」第 5 篇。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/nDJiTPniyA4Md3WZh3CmMw 6600 万欧元砸向碳化硅源材料：欧洲为什么在价格战里下了反直觉赌注？

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