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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/TcPU2bP9dWICZBIx-JKCNA 碳化硅晶圆划切技术

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/TtxglqCuPMi_x1JXlBTW7A 采用技术计算机辅助设计（TCAD）软件，对集成超势垒整流器（SBR）的对称型SiC MOS器件和非对称型SiCMOS器件的热特性、非钳位感性负载开关（UIS）过程和短路（SC）能力进行分析，揭示了新型SiCMOS器件的动态可靠性机理，弥补了SiC MOS器件可 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/YBeEnrWSN_QhzXatsM3DrA 2026 年 5 月 11 日，英飞凌发布 XHP 2 系列 CoolSiC MOSFET 2300 V 功

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ST-TOHSRnvckLoegzDl6NA APEC 2026，San Antonio。近 1300 份演讲与论文，五天议程，功率电子行业一年一度最密集的信息轰炸。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3QM0RQu_oxusvaofjetweg ITC 裁定解读：英诺赛科用产品再设计，绕过了 Infineon 的专利封锁

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/8KLnW5Xj7Z5QFpgN7AQeVQ 针对碳化硅MOSFET驱动电路中的栅极电阻，并没有一个固定的标准值，它需要根据具体的应用场景和器件特性来选定。一般来说，阻值大致在数欧姆到几十欧姆的范围内。 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/5gPDyrcNpdfnrr5fQp_IIA 牵引逆变器正在成为电动动力总成竞争中最关键的系统节点之一。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Mro1uZxlvwYQke_3TGty9Q 大量分布式光伏接入配电台区可能引起台区电压越限。受限于储能容量,传统的基于本台区的储能调度策略可能无法解决台区的电压越限问题。基于此,提出基于边缘控制的配电台区共享储能双层优化调度策略。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/fxktRPIQ19C_OHCN29_sMQ 2026 年 4 月，Enphase Energy 发布了一份 19 页的技术白皮书，披露了 IQ Soli

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lkwg0jKh68hbNirCudXtmA 碳化硅MOS并联驱动的注意事项碳化硅MOS功率模块并联设计注意事项碳化硅 MOSFET 并联均流的研究在同一个

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