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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/qIvkN9_wQ3FHx2v2ufUeUQ 字节跳动采用800V HVDC，合作伙伴有哪些？ 秦淮数据、中恒电气、特锐德等

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/2XDF_xy9AwdA54PQuuz4rQ 英飞凌：SiC功率器件可靠性白皮书（15）- 长期应用试验 SiC MOSFET 的应用领域非常广泛，包括电动车充电站、光伏逆变器、电机驱动等。大多数应用可归纳为几种基本拓扑，这些拓扑有助于确定长期应用试验。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/EFlX02BkW90aKGYJRQDb7Q 辐照对SiC MOSFET短路失效模式之影响 500 krad总电离剂量辐照 + 3种栅偏条件，会改变1.2kV双沟槽SiC MOSFET短路失效模式

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/GuS5vlYASQO4jGwQ3UOzow 抗辐射半超结SiC MOSFET研究 在SiC超结MOSFET的柱区与衬底之间添加TFL层，使其演变为半超结器件

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/F3r0QaHHxC7U4OyJTVqI7w 32家企业SST进展盘点

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UcnpruhTI_Tq2_1c_UXZ7g 三菱化学集团、日本制钢所株式会社（JSW）

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/xj62f_FrZvIRMy-G4l4mVg 2026，先进功率器件“三族鼎立”：SiC血拼车规主驱，GaN奇袭AI电源，硅基IGBT死守光伏阵地

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/pi-cRv8hVcXHVfr2aZT1Hg 蔚来的SiC棋局 稳当下、赢未来

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/KoFXGzSuZNJ-gGz9xcCt8w 碳化硅沟槽辅助平面MOS究竟是谁家IP？— CREE起诉Navitas GeneSiC 感觉这次Wolfspeed诉讼的核心重点感觉还是碳化硅MOSFET，特别是这个“沟槽辅助平面”。原因很简单，当碳化硅平面MOS走到8寸，元胞往接近3um以下走，工艺窗口和JFET区的问 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/XkKT9zhlew31oR4atj1UYQ 台积电研发六骑士 1997年，台积电首次听说0.13μm技术，源自IBM， IBM开发的0.13μm工艺，互连金属选用铜，而非业界此前惯用的铝，这一改变可以使微处理器运行速度提升15%，轰动一时。 对移动电子行业而言，铜互连工艺意义深远，因其电 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/V75yCgc9drkkTNPV6wDw8A 电力电子器件的FOM值优化 电力电子器件的损耗包括导通损耗、开关损耗和栅驱动损耗

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/zoRfbSejgfytqVhtT8lIkw 温度变化对SiC MOSFET器件寿命的影响 加速反向偏置测试中，超 50%的失效发生在温度过渡阶段

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/CORmIbWfKsZ7MWeyB8WENg 90%的GaN工程师，都把钝化层理解错了！真正影响Dynamic Ron的，其实不是PI "SiN决定电子学可靠性，PI决定机械可靠性；真正优秀的GaN HEMT，靠的是整套可靠性架构，而不是某一种材料。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6bfEANtfp9aO0E7m-4UTmA 一枚高性能芯片的诞生，不只取决于电路设计，也离不开“长”出来的高质量半导体材料。气相外延技术正是其中的关键工艺，它决定着芯片材料的均匀性、缺陷密度和器件性能。面对大面积、低缺陷、复杂异质结构等制造难题，硅、碳化硅、氮化镓等 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/WeVEYnmOb5iTM2D3TU_UtA 第四代半导体，国产器件再破纪录！ 深圳平湖实验室

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vDjGT8oL-sJ7AGK2AtfVLQ 2026 年 7 月 7 日，Wolfspeed 在美国特拉华地区联邦地区法院对 Navitas Semiconductor 提起专利侵权诉讼。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/FBTFE2f_kxGL3ZLbSGI57w 三闯港股终圆梦 | 基本半导体（09971.HK）今日登陆港交所，国产碳化硅 IDM头部正式敲钟 三闯港股终圆梦 | 基本半导体（09971.HK）今日登陆港交所，国产碳化硅 IDM头部正式敲钟 ...