[行家说三代半] 基本半导体成功上市,港股“SiC芯片第一股”诞生
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募资净额约7.66亿港元
[行家说三代半] 露笑科技:终止两大SiC募投项目
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重点推进8英寸和12英寸SiC衬底业务
[碳化硅MOS与SiC模块技术漫谈] 基于精准损耗与热模型的感性元件优化设计(ETH Zurich)
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磁通波形,损耗,热模型,感性元件,DAB,固态变压器SST,PFC,碳化硅 MOS,Buck
[宽禁带半导体观察] 英飞凌:SiC功率器件可靠性白皮书(14)- 秒级功率循环试验
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英飞凌:SiC功率器件可靠性白皮书(14)- 秒级功率循环试验
要计算半导体器件在实际应用中的预期寿命,必须考虑内部连接技术的老化,这需要通过秒级功率循环测试来评估 ...
[晏小北] 三类Si基功率MOSFET
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三类Si基功率MOSFET
Si基功率器件的发展历史,已逾70年,
1952年,Si基整流器发明,随后晶闸管、BJT出现,
自1970年代末,三种重要结构陆续诞生:DMOS、IGBT和SJ。
可以从横向(Lateral)、纵向(Vertical)的角度,对功率器件分类,
...
[碳化硅技术] 两级式三电平储能变流器微分平坦控制
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针对常规控制策略下两级式三电平储能变流器功率变化时快速性不足、直流母线电压鲁棒性差的问题,研究了一种基于微分平坦理论的新型控制策略。首先,在dq坐标系下建立两级式三电平储能变流器的数学模型,证明电池侧和网侧变换器均具备平坦特 ...
[晏小北] ROHM第四代SiC MOSFET产品栅驱电路设计
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ROHM第四代SiC MOSFET产品栅驱电路设计
介绍ROHM第四代SiC MOSFET产品的栅驱电路设计
[晏小北] ROHM第四代SiC MOSFET短路能力
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ROHM第四代SiC MOSFET短路能力
相比三代,四代在降低比导通电阻的同时,提升了短路耐量
[行家说三代半] 2家SiC企业披露车规级新进展
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昕感科技、芯合半导体
[行家说三代半] SiC成光储“标配”?华为、海尔等集中采用
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华为数字能源、海尔新能源、中车株洲所、海博思创、林洋储能
[行家说三代半] 德国专利诉讼落定:英诺赛科现有产品可继续自由销售
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可继续在德国、美国市场自由销售
[碳化硅内参] SiC红海里的冷门生意
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SiC红海里的冷门生意
还做1200V SiC MOS?大哥你是来搞笑的吗?
[晏小北] SiC MOSFET栅极开关不稳定性问题
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SiC MOSFET栅极开关不稳定性问题
在SiC MOSFET领域,静态栅极偏压导致的可靠性问题已得到充分研究,目前业界公认的两种退化机制分别为:
1、偏压温度不稳定性(BTI),2、经时介质击穿(TDDB),
近年,动态栅极偏压导致的可靠性问题亦 ...
[晏小北] 英飞凌第七代OptiMOSTM功率MOSFET产品
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英飞凌第七代OptiMOSTM功率MOSFET产品
英飞凌第七代OptiMOSTM 40V功率MOSFET系列产品设计出发点及电机应用场景
[晏小北] 功率器件优化的两种途径
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功率器件优化的两种途径
在功率芯片中,多维器件可以突破一维器件的trade-off瓶颈
[芯氮鎵速记] 爆肝8小时DHTOL测试!650V SiC与GaN极限对决,真实数据打碎“完美”滤镜
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爆肝8小时DHTOL测试!650V SiC与GaN极限对决,真实数据打碎“完美”滤镜
本文基于DHTOL测试研究,深度对比了650V商用Trench SiC MOSFET与p-GaN HEMT在极限工况下的表现。测试显示,在接近真实应用环境的8小时持续应力下,两者的动态导通电 ...
[三代半食堂] 800VDC 的时间赌注:为什么真正困难的决定不是 交直流架构之争
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AI 机柜正冲向 1MW 级,54V 机柜内配电撑不住之后,行业几乎一致把方向指向 800VDC。但方向清楚,不代表现在就该动手。
[碳化硅内参] 14亿募资:东微半导的“野心”与“阳谋”
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14亿募资:东微半导的“野心”与“阳谋”
造芯容易,赚钱难
[行家说三代半] 4家SiC企业透露交付进展
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瀚薪科技、格力电器、华卓精科、澈芯科技
[碳化硅MOS与SiC模块技术漫谈] 电力系统中光伏发电并网技术应用研究
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SiC;光伏并网;电力系统;低电压穿越;碳化硅MOS模块;逆变器