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第三代半导体 今日: 0|主题: 330|排名: 4 

  • [行家说三代半] 基本半导体成功上市,港股“SiC芯片第一股”诞生
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/80TNuAjw3f9iCIzYu3esBg 募资净额约7.66亿港元
    00 zyadmin 发表于 2026-7-8 第三代半导体
  • [行家说三代半] 露笑科技:终止两大SiC募投项目
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/evwEM_fVsK4r-gOxCYEByA 重点推进8英寸和12英寸SiC衬底业务
    00 zyadmin 发表于 2026-7-8 第三代半导体
  • [碳化硅MOS与SiC模块技术漫谈] 基于精准损耗与热模型的感性元件优化设计(ETH Zurich)
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/-wOjkQhMArJeyzeayAQ4YA 磁通波形,损耗,热模型,感性元件,DAB,固态变压器SST,PFC,碳化硅 MOS,Buck
    00 zyadmin 发表于 2026-7-8 第三代半导体
  • [宽禁带半导体观察] 英飞凌:SiC功率器件可靠性白皮书(14)- 秒级功率循环试验
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/ZQfGpIyhvAlH_9nMPsaFSA 英飞凌:SiC功率器件可靠性白皮书(14)- 秒级功率循环试验 要计算半导体器件在实际应用中的预期寿命,必须考虑内部连接技术的老化,这需要通过秒级功率循环测试来评估 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-7-8 第三代半导体
  • [晏小北] 三类Si基功率MOSFET
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/goZZF8Q_b-B_0DiCiKJH7g 三类Si基功率MOSFET Si基功率器件的发展历史,已逾70年, 1952年,Si基整流器发明,随后晶闸管、BJT出现, 自1970年代末,三种重要结构陆续诞生:DMOS、IGBT和SJ。 可以从横向(Lateral)、纵向(Vertical)的角度,对功率器件分类, ...
    00 zyadmin 发表于 2026-7-8 第三代半导体
  • [碳化硅技术] 两级式三电平储能变流器微分平坦控制
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/mPrETN5KFg4oUIL0MEiRcA 针对常规控制策略下两级式三电平储能变流器功率变化时快速性不足、直流母线电压鲁棒性差的问题,研究了一种基于微分平坦理论的新型控制策略。首先,在dq坐标系下建立两级式三电平储能变流器的数学模型,证明电池侧和网侧变换器均具备平坦特 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-7-8 第三代半导体
  • [晏小北] ROHM第四代SiC MOSFET产品栅驱电路设计
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/lSnxHS6PjM_kDChMguXzcw ROHM第四代SiC MOSFET产品栅驱电路设计 介绍ROHM第四代SiC MOSFET产品的栅驱电路设计
    00 zyadmin 发表于 2026-7-7 第三代半导体
  • [晏小北] ROHM第四代SiC MOSFET短路能力
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/mpW7wS9eo3yFprPezi-xtw ROHM第四代SiC MOSFET短路能力 相比三代,四代在降低比导通电阻的同时,提升了短路耐量
    00 zyadmin 发表于 2026-7-7 第三代半导体
  • [行家说三代半] 2家SiC企业披露车规级新进展
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/FfG2I8QQo7-vwMneNTMiQg 昕感科技、芯合半导体
    00 zyadmin 发表于 2026-7-7 第三代半导体
  • [行家说三代半] SiC成光储“标配”?华为、海尔等集中采用
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/9okV8fLp_ogXTwXCtfd_aA 华为数字能源、海尔新能源、中车株洲所、海博思创、林洋储能
    00 zyadmin 发表于 2026-7-7 第三代半导体
  • [行家说三代半] 德国专利诉讼落定:英诺赛科现有产品可继续自由销售
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/gGE-AmUdtZTvhRiWXTvdYw 可继续在德国、美国市场自由销售
    00 zyadmin 发表于 2026-7-7 第三代半导体
  • [碳化硅内参] SiC红海里的冷门生意
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/5JdP-CwqMzNfNinaWBfFug SiC红海里的冷门生意 还做1200V SiC MOS?大哥你是来搞笑的吗?
    00 zyadmin 发表于 2026-7-7 第三代半导体
  • [晏小北] SiC MOSFET栅极开关不稳定性问题
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/G7KzfOvcJY4pQkeb56VyNg SiC MOSFET栅极开关不稳定性问题 在SiC MOSFET领域,静态栅极偏压导致的可靠性问题已得到充分研究,目前业界公认的两种退化机制分别为: 1、偏压温度不稳定性(BTI),2、经时介质击穿(TDDB), 近年,动态栅极偏压导致的可靠性问题亦 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-7-7 第三代半导体
  • [晏小北] 英飞凌第七代OptiMOSTM功率MOSFET产品
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/BqUOMbGMEJdpLBOOXlesgQ 英飞凌第七代OptiMOSTM功率MOSFET产品 英飞凌第七代OptiMOSTM 40V功率MOSFET系列产品设计出发点及电机应用场景
    00 zyadmin 发表于 2026-7-6 第三代半导体
  • [晏小北] 功率器件优化的两种途径
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/9g6c9B4D597iIKV68OVhAw 功率器件优化的两种途径 在功率芯片中,多维器件可以突破一维器件的trade-off瓶颈
    00 zyadmin 发表于 2026-7-6 第三代半导体
  • [芯氮鎵速记] 爆肝8小时DHTOL测试!650V SiC与GaN极限对决,真实数据打碎“完美”滤镜
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/dLvF__ZwNK_5LtQWB9Qt5g 爆肝8小时DHTOL测试!650V SiC与GaN极限对决,真实数据打碎“完美”滤镜 本文基于DHTOL测试研究,深度对比了650V商用Trench SiC MOSFET与p-GaN HEMT在极限工况下的表现。测试显示,在接近真实应用环境的8小时持续应力下,两者的动态导通电 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-7-6 第三代半导体
  • [三代半食堂] 800VDC 的时间赌注:为什么真正困难的决定不是 交直流架构之争
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/BTFgFF7kIlZ5SbQ5qZQFuA AI 机柜正冲向 1MW 级,54V 机柜内配电撑不住之后,行业几乎一致把方向指向 800VDC。但方向清楚,不代表现在就该动手。
    00 zyadmin 发表于 2026-7-6 第三代半导体
  • [碳化硅内参] 14亿募资:东微半导的“野心”与“阳谋”
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/B6nYzjXczah5peA2tXntpg 14亿募资:东微半导的“野心”与“阳谋” 造芯容易,赚钱难
    00 zyadmin 发表于 2026-7-6 第三代半导体
  • [行家说三代半] 4家SiC企业透露交付进展
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/qWSycXJGeg0ZkwDC9t4HHQ 瀚薪科技、格力电器、华卓精科、澈芯科技
    00 zyadmin 发表于 2026-7-6 第三代半导体
  • [碳化硅MOS与SiC模块技术漫谈] 电力系统中光伏发电并网技术应用研究
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/n4tRPCVkHiBCsDYSEFFsrA SiC;光伏并网;电力系统;低电压穿越;碳化硅MOS模块;逆变器
    00 zyadmin 发表于 2026-7-6 第三代半导体
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