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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lhEDFnWs1ZvZ2gJlJSYAHA 2300V CoolSiC™MOS XHP™2功率模块 英飞凌拓展 XHP™ 2 功率模块产品矩阵，推出搭载 2300V CoolSiC™ MOSFET的多款衍生型号，面向高压电力系统应用。 2300V 等级器件可适配最高1500V直流母线电压，顺应系统电压持续提升的行业发展趋势 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6hmto3q33iMZU9HCBbt2-A 2026，SiC/GaN 封测“绞肉战”：800V 高压催命，AI 电源抢电，银烧结产线昼夜不熄火

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/p8CTct9ABMu52oXHiskplQ 各位电源老铁们，咱做设计的，谁不是天天跟参数表较劲？导通电阻、开关速度、耐压……数字漂亮得让人心动。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NYn_C8YJIgHBjwoY-SXv2g 为了解决传统有限控制集模型预测控制(FCS-MPC)方法运算量大，多目标控制时权重因子设计繁琐等问题，提出了一种分层单日标MPC方法。以级联H桥(CHB)整流器为控制对象，建立控制变量的单日标评估函数，直接计算得到最优值，减少系统的计算量， ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/gfeBadHtWODt5Bmbv-Vw3g 沟槽栅功率MOSFET的防抱死制动系统和电机驱动应用 沟槽栅功率MOSFET的两大应用，包括防抱死制动系统和电机驱动

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/GdftWdA0JMGamoXG1ql8tw 沟槽栅功率MOSFET在汽车安全气囊中的应用 介绍沟槽栅功率MOSFET另一应用场景——汽车安全气囊辅助约束系统（SRS）的点火具驱动器

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ajNx6bHKWquwlo78jCEnYw 为什么功率GaN HEMT爱用铜线，而不是铝线？ 最准确的说法不是“铜比铝更好”，而是：GaN的高频开关、高功率密度、低阈值、无体二极管和对Source寄生电感的敏感性，决定了封装互连必须向更低电感、更低电阻、更高机械稳定性方向演进；铜线 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/uPWWXcS_TsvnJzOkV7xOSQ Wolfspeed 副总裁兼工业与能源事业部总经理 Guy Moxey 详解 10kV SiC 对 SST、AI 数据中心 800V DC 供电与高压器件生态的真实意义。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/rWAt9-muJd03EnGNYlvdZQ 2026，功率模块“地基战”：800V高压一冲，这几块陶瓷板比SiC芯片还金贵

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ecxur7mIcSt47tiU8w8MWA 加速部件国产化

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/KY1IVG54LyFJTOe9mDYNoQ 加速布局SiC和GaN

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/hGkugPVpRObab83XUyLSew 固态变压器（SST），碳化硅MOS，电力电子变压器（PET），SiC功率模块

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/jDsdzS7CV9651MDV0RCOJw 台积电诉梁孟松 2009年年底，台积电首任CTO胡正明（FinFET发明人）过生日，胡教授的妻子发邮件给众多学生， 大家突然发现，梁孟松的邮件地址已变成“msliang@samsung.com”， 此事登上报纸，台积电人事部门拿着报纸询问梁孟松，梁一再保 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/78Ns_-j54bLaGIZwV3fHWw 版图布局对Channeling注入形貌之影响 制备平行、正交两种条形版图，对比channeling注入效果

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/YGnuq0FYEGJJyFEvyTP8Jw 功率超结MOFET的提出及工作原理 以第5216275号美国专利《Semiconductor power devices with alternating conductivity type high-voltage breakdown regions》为标志

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/EPy0yGIdR6y3RXl7mLMJIA 大理，第二届半导体物理与电子器件创新会议！ 大理，第二届半导体物理与电子器件创新会议！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ja457Dzux4_hwI6scKihkw 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/8ydAakXAo55xojygol8phQ 国电南瑞、远景储能、米格电气、宇超股份

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/2iWmpn3B5DoGNYo_3R_zPA 国镓芯科、远山新材料、微崇半导体、IVWorks

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/o6Rcbg3oghS3_f7126pBlg SiC JBSFET器件 SiC JBSFET，结构如上，在SiC MOSFET元胞结构中集成JBS器件，以实现更优的第三象限特性。 相比常规平面MOSFET，唯一区别是最左侧的Schottky Contact（肖特基接触孔），即红色区域， 这里的红色区域是N型掺杂，浓度一般在 ...