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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/G24iESmnNsHBpiszCxSnjQ Google IS06.3 把 ±400V 机架配电与 10000A 级 ML chip 供电放进同一条从 rack 到 silicon 的约束链。

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/EVuCnGaVSX6SS_XQQhRMwA IVWorks reGaN 选择性再生长工艺支撑 45nm GaN HEMT fmax 推至 742GHz，GaN 正进入亚太赫兹器件讨论。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vTo9vDa2jR6Z11P34uTomw 7月1-3日，超2000家展商参展

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9qbg3AFgT7SjJATnrBeR8Q 阿基米德、爱微电子、宇泉半导体

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/CG32nqDXGKLVX2SQShs9iw 从海外转向国内

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9V0cZELQhj9P_4BAEAa3EA SiC MOSFET由于栅氧化层较厚，在空间辐射环境中对电离总剂量效应敏感。测量辐照前后器件的阈值电压（VTH）变化是评估其抗总剂量特性的重要手段。本文通过开展不同阈值电压测试方法的比较，分析认为由下扫I-V 曲线提取器件阈值电压更为准确。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ZXU2nI95372sPXagMSkTGA ROHM 正在把 GaN 的工艺平台、8 英寸外延与 200mm ALE 刻蚀逐步拉回内部，产业焦点从参数竞争转向产线控制力。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/iZxagWSsI-HY-5k8bjXQZg 西安电力电子、为光能源、宏景智能、南京华塑

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/CLUEqoKvryD1c3RgZijYNQ SiC欧姆接触技术和MOS界面钝化技术是制作SiC MOS器件的关键技术。针对低电阻高稳定的SiC欧姆接触难于形成的问题，采用电子回旋共振(ECR)微波氢等离子体对SiC表面进行预处理，研究了低温退火条件下Ti／4H—SiC欧姆接触特性。 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DAWv3r_R6Ub3vUo_QEZsIg 6月11日，Wolfspeed新一代碳化硅（SiC）MOSFET技术媒体发布会在北京举行。

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