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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/MQO1MnPIufd5Ws_DFwmRNA 从Planar到GaN：功率半导体40年进化史与下一次技术革命

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/WRQav28K7kTdnrH3HoohsA 中电科55所、国电南瑞、中电变压器、宏景智能

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/4gmYoliYnsA-J4vMFvKY7Q Fraunhofer IAF 在 PCIM Europe 2026 展示 1200V 级 GaN 功率模块进入 800V 双向 DC 充电系统验证，重点不在 3kW，而在高压 GaN 能否跨过器件到系统的关键门槛。

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/xmfcahuBPmjYEirXWwG3Bw AI数据中心进入800V时代：碳化硅、GaN与HVDC全面重构供电体系

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/oWO_mTNivUi_F-hohj2vNw 针对碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）在第三象限导通下的体二极管高损耗和双极退化问题，提出了一种基于自适应浮空栅控制的双向导通沟槽型SiC MOSFET。 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/blTWYaonjGOdfaBYvyvPAg 功率电子进入单级时代：BDS GaN正在重构下一代电源架构

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6S6E-y-2XoSW_k9qH8mRhg 1200V SiC MOSFET芯片价格两年跌去80%，6英寸衬底价格几乎腰斩。

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/VfpoBs2_iPb_KiFD5qeFjQ 涉及10kV MOSFET、固态断路器、地铁牵引系统等

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