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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ePvxM3mDCjxFTBhGqxTMrw 后摩尔时代，先进封装如何解决芯片难题 总之，先进封装不再是简单的“封装”环节，而是融合了芯片架构、材料、工艺和设备的 “系统级工程”。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/nIyX2EZEn4t6PTKBuecIHg 突破铜互连瓶颈：先进制程下互连技术的产业化路径与解决方案 铜互连的黄金时代正在谢幕。产业界正在从“如何优化填充”的思维，转向“如何更好地刻蚀成形”的新思路。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/PlKyiybuzEybDIQGBaBhAA 2025中国半导体设备进口创纪录！光刻设备成最大亮点，全球巨头业绩格局生变 尽管ASML在2025年第三季度业绩会上曾预测2026年中国区需求将因“需求正常化”而显著下滑，但伯恩斯坦认为，中国在先进逻辑芯片领域的产能扩张投资持续强劲，2026 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/x_rF4dsbnjWz6-dBP-w5Gg 超低溫混合键合技术引领3D集成与RDL中介层革新 更多信息放在星球了，我们在星球中每日会更新Ai及半导体行业信息，相关供应链数据，技术拆解报告，市场分析报告，欢迎订阅~ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/c9tV52r5zape4YYou8iSUg 2025年第四季度移动DRAM市场解析 中国（占全球22.6%）因补贴政策效果减弱，2025年销量仅微增1.5%；印度（12.7%）因消费高端化转向，销量增1.6%

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/8FtX0jAU2_Nv6tAUqlSTig NAND市场的结构性复苏（NAND Market Report Q4 2025） 长江存储的技术迭代（如232层3D NAND量产）与产能扩张，不仅打破国际垄断，更成为全球供应链稳定的关键变量。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/mDsz9N4QnUxv3KP2eNp3Vg 美光-新兴存储技术突破内存墙 新兴存储的机会在于填补DRAM与NAND之间的空白，尤其在成本敏感的AI推理与边缘计算中

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/a0RZiks9tilIr8uxbrNODw 伯恩斯坦-中微公司解析 长江存储（YMTC）与长鑫存储（CXMT）的 IPO 进程也有望成为中微公司的潜在催化剂。据悉，中微公司 65% 的晶圆制造设备（WFE）订单来自 NAND 与 DRAM 领域，两大存储巨头的上市将进一步带动设备需求增长。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/fWYaPBkEwNa4nwah2NEMLQ GDDR7测试瓶颈新突破！ 更多信息放在星球了，我们在星球中每日会更新Ai及半导体行业信息，相关供应链数据，技术拆解报告，市场分析报告，欢迎订阅~

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Ilu10wXDFgyqnan8dKw_-g Arm架构服务器CPU崛起-2026年将抢占16%市场份额 Arm架构有望从x86的“补充选项”升级为“主流选择”，重塑服务器CPU市场的竞争格局

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/_Y0g515jopQvRAYInw6atg AI浪潮下的DRAM新变局-omdia视角 分层内存扩展了DRAM和SSD在AI中的边界，例如GDDR7、DDR5和企业级SSD的需求被进一步激活

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/rBxq-7RUyeMI94ILB-y-tw 三星电子-晶体管技术的局限性与技术创新 Myunggil Kang博士系统梳理了晶体管技术从平面到FinFET、GAA（全环绕栅极）纳米片，再到3D堆叠FET（3DS-FET）的演进路径 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/mlR9mDql0w3BCehJj3vx1w HMI传感器赋能可穿戴设备：市场增长与技术革新并行 更多信息放在星球了，我们在星球中每日会更新Ai及半导体行业信息，相关供应链数据，技术拆解报告，市场分析报告，欢迎订阅~ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/w-jfU3xjmfapNbJUjYvH9g 2025年AI数据中心高速互连技术深度解析 在高速互连赛道，NVIDIA与Broadcom凭借差异化战略占据主导地位

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/V6SAb9lb0DTe9ez1oty3Ng TSMC-双端口SRAM的RC优化技术深度解析 更多信息放在星球了，我们在星球中每日会更新Ai及半导体行业信息，相关供应链数据，技术拆解报告，市场分析报告，欢迎订阅~ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/aO-y4z1OT-SGCmY9V1kZnQ 2026年云计算的三大关键趋势 2026年的云计算，将在主权合规、AI深度渗透与无服务器扩展中重塑边界

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7X9VjUxPZ4Yrd_2Ds7nIgQ 三星电子-DRAM技术的演进、挑战与HBM的崛起 DRAM的诞生可追溯至1968年罗伯特·登纳德（Robert H. Dennard）的突破性构想

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/23Pe0S0GH07eShLqtZTDDg 从“单一系统”到“混合架构”的量子革命 更多信息放在星球了，我们在星球中每日会更新Ai及半导体行业信息，相关供应链数据，技术拆解报告，市场分析报告，欢迎订阅~ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/94EkT1C6Wf8sKbRpkoZvDw 2025年第四季度HBM产业深度解析 2025-2026年是HBM产业从“高速扩张”转向“结构优化”的关键期：供应端需解决HBM4良率爬坡与产能分配问题

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/FXRYfRrVrrWS_2dxF2Wc1A 清华大学-3D-IC垂直供电创新解决方案 传统握手驱动难以应对多级飞跨电容拓扑的死区时间优化问题。团队设计逻辑握手响应器（HSR），通过状态触发序列动态调整开关相位，消除过冗余死区，降低开关损耗。 ...