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IC设计 今日: 0|主题: 355|排名: 20 

  • [半导体行业前沿] 【转发收藏】最新半导体量测技术深度报告,国产替代正当时—附PDF
    【转发收藏】最新半导体量测技术深度报告,国产替代正当时—附PDF https://mp.weixin.qq.com/s/3oXLhpZYAlSTdWGiuz0x9Q 武汉罗博半导体聚焦半导体光学量检测系统设计与系统集成;开发泛半导体光学检测量测高端精密装备;致力成为一流半导体供应商。 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-6-15 IC设计
  • [中南微电人] Sentaurus TCAD 学习笔记 Vol.02 | 导入结构与模型,看懂 NMOS 电学仿真
    Sentaurus TCAD 学习笔记 Vol.02 | 导入结构与模型,看懂 NMOS 电学仿真 https://mp.weixin.qq.com/s/EdvOT1boqAa64FGLXwFNEA 在工艺结构基础上,继续梳理 Sentaurus Device 电学仿真流程:文件导入、电极设置、物理模型、数值求解、曲线输出和 Svisual 结果查看。 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-6-14 IC设计
  • [中南微电人] Sentaurus TCAD 学习笔记 Vol.01 | 从 180 nm NMOS 开始,跑通工艺仿真
    Sentaurus TCAD 学习笔记 Vol.01 | 从 180 nm NMOS 开始,跑通工艺仿真 https://mp.weixin.qq.com/s/yPFmVPspaZEAf8B8UTaoRA 从 Sentaurus Workbench 建立项目开始,以 180 nm NMOS 为例梳理 Sentaurus Process 工艺仿真流程,包括衬底定义、P 阱注入、栅极形成、侧墙、源漏重掺杂、电极接触与 Split 分步仿真。 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-6-12 IC设计
  • [芯域前沿] Topological Design Rules—WN (N-well) Rules
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/Aw-OFSCNnfCRHAri9jdAVw Topological Design Rules—WN (N-well) Rules 芯片里最隐秘的“地下国界”:N-well规则,为什么能决定良率、生死电压和模拟精度?
    00 zyadmin 发表于 2026-6-11 IC设计
  • [芯片设计之路] 毫米波 LNA 核心创新:增益平坦化与三谐振输入匹配技术详解
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/sWMy4q4e1UL-I20U6M59Zw 毫米波 LNA 核心创新:增益平坦化与三谐振输入匹配技术详解 大家好,我是远山,一芯一微波,一日一进步。
    00 zyadmin 发表于 2026-6-10 IC设计
  • [锐芯闻] 3D堆叠SRAM,挑战HBM的AI内存地位?
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/CF_W40UJqeCxdamEqF1v9A 3D堆叠SRAM,挑战HBM的AI内存地位?
    00 zyadmin 发表于 2026-6-9 IC设计
  • [IC资源集合站] 一文快速回顾和学习IC常用电容C
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/lt92xwcF4aWOeSk-2x5jhA 快速了解模拟电路设计与版图电容知识回顾,MOM,MIM,MOS电容的区别
    00 zyadmin 发表于 2026-6-7 IC设计
  • [芯途小栈 Chip Starter] 紫光国微怎么样?一文看懂国产特种芯片龙头
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/a1Sxv_6QEJJTg3dEHQJ7lw 紫光国微怎么样?一文看懂国产特种芯片龙头 如果你希望进入一家兼具技术积累、行业地位和长期发展空间的芯片企业,那么紫光国微无疑值得放入你的校招目标名单 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-6-5 IC设计
  • [李傲谈芯] 先进制程必看:6T SRAM工作原理与关键参数解析
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/s49OnPpa4cM-RALyINL-1A 先进制程必看:6T SRAM工作原理与关键参数解析 在先进逻辑工艺中,SRAM(静态随机存取存储器)占据着芯片面积的大半壁江山——微处理器中 SRAM 的晶体管数量或面积占比可达 70%。而对于我们这些在 Fab 一线摸爬滚打的人来说,SRAM 不仅是设计 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-6-5 IC设计
  • [芯途小栈 Chip Starter] 想做射频芯片?先了解北京力通通信有限公司
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/8MwhFHdMjkC0ApIzuR-eaQ 想做射频芯片?先了解北京力通通信有限公司 30 秒看懂北京力通通信
    00 zyadmin 发表于 2026-6-4 IC设计
  • [芯语咔咔] 文献阅读_JTE结构
    文献阅读_JTE结构 https://mp.weixin.qq.com/s/DiZ-JflTJAjlR6aPa5MXkA 1. 概述:提出一种新型边缘终端结构 ——阶梯双区结终端扩展(Step‑DZ‑JTE),数值仿真结果表明 St
    00 zyadmin 发表于 2026-6-3 IC设计
  • [芯片设计之路] 写的太好了!真心建议所有做芯片设计的研究者都去学一遍,赢麻了!!!
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/JVrw0somBNH5MM1_KbmErQ 写的太好了!真心建议所有做芯片设计的研究者都去学一遍,赢麻了!!! AI4EDA・前沿学术做芯片的朋友,谁没经历过这种绝望:Placement跑了一宿,早上看还是个烂结果。 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-6-2 IC设计
  • [芯片设计之路] 五探有源偏置
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/1ST07GxynMKJ0kemuZ7svw 五探有源偏置 本公众号的主体为个人,作者在本公众号发表的所有文章均是出于无私分享、交流学习的目的。作者在该公众号发表文章纯属个人行为,文章的观点也纯属个人观点,与作者曾经任职或者正在任职的公司、其他个人或组织均没有任何关系 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-5-31 IC设计
  • [IC资源集合站] 一文回顾搞清polycide-silicide-salicide
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/fY67kYPlqQ5Wrh91lSRYTg 利用硅化物来降低POLY上的连接电阻
    00 zyadmin 发表于 2026-5-31 IC设计
  • [芯片设计之路] 再探有源偏置
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/wEiAAmqSH6qYmcpbh9P98A 再探有源偏置 本公众号的主体为个人,作者在本公众号发表的所有文章均是出于无私分享、交流学习的目的。作者在该公众号发表文章纯属个人行为,文章的观点也纯属个人观点,与作者曾经任职或者正在任职的公司、其他个人或组织均没有任何关系 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-5-30 IC设计
  • [锐芯闻] 台积电展望未来:N2、CFET 、SRAM、CoWoS、SoIC 3D 堆叠、CPO等
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/Y-coUpnntJMpFPQqEjh4ag 台积电展望未来:N2、CFET 、SRAM、CoWoS、SoIC 3D 堆叠、CPO等
    00 zyadmin 发表于 2026-5-30 IC设计
  • [芯片设计之路] 45GHz ~100 GHz:超宽带硅基 PA 的关键技术拆解~
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/hhx84h_WsFRdMsEJPaL02A 45GHz ~100 GHz:超宽带硅基 PA 的关键技术拆解~ 大家好,我是远山,一芯一微波,一日一进步。
    00 zyadmin 发表于 2026-5-29 IC设计
  • [芯片设计之路] 题外:芯片设计师能用两元钱做什么?
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/pxQ3OEYFcD5wms9tcJ4ifA 题外:芯片设计师能用两元钱做什么? 【免责声明】本公众号的主体为个人,作者在本公众号发表的所有文章均是出于无私分享、交流学习的目的。
    00 zyadmin 发表于 2026-5-23 IC设计
  • [芯域前沿] 文献研读:22nm Tri-Gate、低功耗SoC和FinFET时代
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/aLDkA72-TcTWwVzILkQjeQ 文献研读:22nm Tri-Gate、低功耗SoC和FinFET时代 芯片为什么要把晶体管“竖起来”?
    00 zyadmin 发表于 2026-5-23 IC设计
  • [中南微电人] 仿真与科研建模札记 Vol.07 | LAMMPS 入门,从界面热阻开始
    仿真与科研建模札记 Vol.07 | LAMMPS 入门,从界面热阻开始 https://mp.weixin.qq.com/s/E1iWzE8r93bM6yplOjmFkQ 有些学生学 LAMMPS 时,最先学的是命令、输入文件和并行参数。但真正在界面热阻这类分子动力学问题里,更重要的往往不是脚本有没有跑完,而是势函数、系综、尺寸效应和统计收敛能不能支撑你的结论。 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-5-21 IC设计
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