IC设计 今日: 0|主题: 219|排名: 19 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/hhx84h_WsFRdMsEJPaL02A 45GHz ~100 GHz：超宽带硅基 PA 的关键技术拆解~ 大家好，我是远山，一芯一微波，一日一进步。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/pxQ3OEYFcD5wms9tcJ4ifA 题外：芯片设计师能用两元钱做什么？ 【免责声明】本公众号的主体为个人，作者在本公众号发表的所有文章均是出于无私分享、交流学习的目的。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/aLDkA72-TcTWwVzILkQjeQ 文献研读：22nm Tri-Gate、低功耗SoC和FinFET时代 芯片为什么要把晶体管“竖起来”？

仿真与科研建模札记 Vol.07 | LAMMPS 入门，从界面热阻开始 https://mp.weixin.qq.com/s/E1iWzE8r93bM6yplOjmFkQ 有些学生学 LAMMPS 时，最先学的是命令、输入文件和并行参数。但真正在界面热阻这类分子动力学问题里，更重要的往往不是脚本有没有跑完，而是势函数、系综、尺寸效应和统计收敛能不能支撑你的结论。 ...

仿真与科研建模札记 Vol.06 | ANSYS 封装应力仿真 https://mp.weixin.qq.com/s/vSbQqGL37mVFIsjJULWApQ 一些学生做封装应力仿真时，第一反应是盯着红色区域看最大应力。但在 ANSYS 里，积分点应力、节点平均、路径结果和奇异应力会同时影响你看到的图。真正重要的，不是云图好不好看，而是你知道那一块红色到底代表什么。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/QrKq15JLjft4vtUPRIexzA FEOL Topological Design Rules-AA/OD 芯片版图里最容易被忽视的“红线”：AA有源区规则到底在管什么？很多人以为芯片设计就是写代码、跑综合、做时序。

仿真与科研建模札记 Vol.05 | COMSOL 多物理场建模的检查清单 https://mp.weixin.qq.com/s/ZvdTd3TcXFB9lbgAyh4tLw 有些学生做 COMSOL 多物理场建模时，最先怀疑的是求解器。但更多时候，问题不在“软件会不会算”，而在你有没有把耦合变量、单位、边界条件、初始值和求解顺序定义清楚。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Ns3ntNZCi-OcKC2lweshvQ 从“楼梯”与“斜坡”看微型元件的数模融合 数字信号像一级级台阶，只在“0”和“1”的高低位间跳跃；模拟信号则像一路平滑的斜坡，在连续的时域里自在游走。 ...

母亲，是一生都读不完的那本书 https://mp.weixin.qq.com/s/SE1gIuZX5Ea0ZZ1b5XX7fA 今天是母亲节。每到这样的日子，我们总想说点什么，却又常常觉得语言贫乏。因为“母亲”这两个字，太重，也太深。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/4T_gPXPWp90Mop_lXIZRWQ 拆解 SoC 芯片！带你看懂里面各大功能模块 提到手机、平板、智能穿戴、车载芯片，我们经常都会听到SoC这个词。SoC的全称是“System on Chip”，也就是片上系统。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/F8Akc3LOkLvLA4HppQuBeg （本文为IC知识）MOS合并模拟芯片设计与版图布局中，仍需了解的细微知识点，关于mos合并，布局知识点来源于，

文献阅读_用于高温应用的NMOS 逻辑电路 https://mp.weixin.qq.com/s/88hyxhT-Tm89hO4_307WhQ 1.前言：逻辑场效应管在 1–2 MV/cm 较低场强工作能降低栅介质应力，但高温工作带来多项可靠性挑战：栅介质中可动离子会导致vth漂移可能引发氧化层退化。Brown报道350°C 6HSiC NMOS因热电子注入失效时间显著缩短；本研究报道 ...

仿真与科研建模札记 Vol.04 | 芯片散热仿真到底在算什么？ https://mp.weixin.qq.com/s/ir3RfREJMJqqDl4zt5TCzQ 很多学生做芯片热仿真时，最关心的是“最高温度是多少”。但热仿真真正要回答的，不只是一个温度数字，而是功耗从哪里来、热怎么走、哪一段热阻在抬高温度、哪些边界是假设出来的，以及模型怎样和实测对上。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Y6eOerLeGeGNwTEVf7nXGg 半导体版图邻近敏感性：Device Sensitivity to Layout Proximity 为什么同一颗晶体管，换个“邻居”就变脸？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/XdX2HwI0I_uoU8ldHlUoQg 为什么ROMOS计算DC性能时，不能用Idsat而要用Ieff？ 环形振荡环形振荡器（Ring Oscillator，RO）是由奇数个反相器首尾相连组成。在CMOS数字电路设计中，反相器是最基本、最常用的单元。 ...

仿真与科研建模札记 Vol.03 | 封装翘曲仿真：从热膨胀到残余应力 https://mp.weixin.qq.com/s/N08nrJAme2SMPaOeVDrOfQ 很多学生一做封装翘曲仿真，就先去看 CTE 表，再画一张变形云图。但真正决定翘曲判断的，往往不只是热膨胀系数，还包括固化收缩、材料模量演化、工艺温度路径和释放约束的方式。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3EXqtE18SKwUFFoUolcY_A 格科半导体（上海）：科创板上市+12英寸产线，不卷还稳！ 今天重点唠一唠格科半导体（上海）有限公司——科创板上市企业全资子公司、国内首条12英寸CIS特色产线拥有者！ ...

仿真与科研建模札记 Vol.02 | 边界条件为什么比网格更容易骗你 https://mp.weixin.qq.com/s/1wBAPplIrNmt29SG8-0IDA 网格粗，通常会让结果不够精细；边界条件错，可能会让你研究的根本不是原来的问题。边界条件不是软件里的一个选项，而是你对真实世界如何作用于模型的假设。 ...

文献阅读_高速高频IC ESD 保护的系统性研究 https://mp.weixin.qq.com/s/DH0jLnPBnCPuDMJb1SL0IQ 1. 前言：随着工艺尺寸缩小，集成电路器件击穿电压急剧下降，而电源电压仅小幅降低，导致 ESD 设计窗口持续收窄。因此，先进工艺集成电路亟需量化的 ESD 保护设计方法，尤其适用于多电源域的数模混合集成电路（图 1）。另一 ...

仿真与科研建模札记 Vol.01 | 科研仿真不是把软件跑起来 https://mp.weixin.qq.com/s/I-9OKN52VAo6sCZwq0hxfA AI 正在改变科研仿真：代理模型、神经算子、物理约束神经网络和数字孪生，让许多原本要跑几小时甚至几天的计算变成秒级预测。但这并没有降低建模门槛，反而让问题定义、训练数据、边界条件、验证校准和适用范围 ...