[元器件封装测试之友] 一文吃透 LU 闩锁测试|IO 电流注入 + 电源过压全流程
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一文吃透 LU 闩锁测试|IO 电流注入 + 电源过压全流程
[元器件封装测试之友] BESI Datacon 8800 系列全型号详解
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BESI Datacon 8800 系列全型号详解
[中南微电人] 光进了封装以后,AI 芯片的热问题会更简单吗
光进了封装以后,AI 芯片的热问题会更简单吗
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CPO 把光学引擎放到计算芯片附近,能缩短高频电通道,也会把热稳定、光电联合测试和返修边界压进封装系统。它改变的是系统集成方式。
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[功率半导体生态圈] 半导体行业先进封装专题报告:AI浪潮催化产业链成长
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[晏小北] 沟槽栅功率MOSFET多芯片封装方案
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沟槽栅功率MOSFET多芯片封装方案
聊聊沟槽栅功率MOSFET的多芯片封装
[功率半导体生态圈] 攻克大尺寸基板低温去胶难题,北方华创首台面板级封装Descum设备成功出厂
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[功率半导体生态圈] imec & EVG,全球首创超细间距混合键合!
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[中南微电人] 算力背后的物理 Vol.08 | 先进封装可靠性需要提前看见失效
算力背后的物理 Vol.08 | 先进封装可靠性需要提前看见失效
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先进封装可靠性难的地方,不是失效之后把样品切开,而是在系统还没坏之前,看见损伤怎样累积、余量怎样消耗、参数怎样漂移。热、翘曲、材料、液冷和多物理场最后都要落到一个闭环:设计、仿真、测试、失效分 ...
[晏小北] SiC器件终端可靠性:HV‑H3TRB与温度循环联合评估
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SiC器件终端可靠性:HV‑H3TRB与温度循环联合评估
传统 HV H3TRB 测试不足以完整评估SiC器件终端可靠性,必须补充温度循环测试才能进行全面评价
[晏小北] SiC MOSFET与Si IGBT模块H3TRB可靠性对比
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SiC MOSFET与Si IGBT模块H3TRB可靠性对比
所有Si IGBT模块寿命均未超过2500小时,所有SiC模块均承受了超过 3000小时的累计H³TRB 应力
[芯域前沿] 半导体 Mold 塑封工艺解析
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半导体 Mold 塑封工艺解析
手机芯片的黑色外壳从哪来?走进半导体封装 Mold 现场一块晶圆完成制造,并不意味着芯片已经能够装进手机、汽车或服务器。
[半导体工程师萧威] 半导体封测:为什么它是国产突围最容易的环节?
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半导体封测:为什么它是国产突围最容易的环节?
你有没有想过,我们手机里、电脑里、AI服务器里的芯片,是怎么从一片薄薄的晶圆变成能插在主板上的成品的? ...
[中南微电人] 算力背后的物理 Vol.05 | TIM、底填胶、EMC 为什么决定可靠性
算力背后的物理 Vol.05 | TIM、底填胶、EMC 为什么决定可靠性
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先进封装的可靠性,常常不是被某一个芯片参数决定,而是被几层很薄、很软、很容易被忽略的材料决定。TIM 决定热能否稳定跨过接触界面,底填胶决定微凸块和芯片界面如何分担热机械应力,EMC 决定封装整体形 ...
[功率半导体器件] 异质异构集成时代:晶圆键合如何支撑下一代光电子芯片?
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异质异构集成时代:晶圆键合如何支撑下一代光电子芯片?
异质异构集成已成为突破光电子芯片性能上限的主流技术路线。将高效发光的 Ⅲ‑Ⅴ 材料与高集成度、低成本的硅光子平台融合,是当前最具产业化前景的方案,而实现这一路线的核心基础 ...
[中南微电人] 算力背后的物理 Vol.04 | 热循环如何慢慢改变互连和界面
算力背后的物理 Vol.04 | 热循环如何慢慢改变互连和界面
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热循环最危险的地方,不是某一次温度升高,而是材料反复膨胀、收缩、受约束和释放后留下的累积损伤。先进封装里,硅、铜、焊料、underfill、EMC、基板和 TIM 的热膨胀行为都不一样。每一次开机、停机、负载波动 ...
[半导体先进技术与仿真] 先进封装技术(Semiconductor Advanced Packaging) - 47 共封装光学(CPO)在AI集群中...
先进封装技术(Semiconductor Advanced Packaging) - 47 共封装光学(CPO)在AI集群中的应用价值量化:机遇、挑战与技术路径
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CPO技术已在早期商用系统中验证了其在AI集群中的量化优势,但要实现大规模部署,仍需在封装良率、热管理方案、光纤可靠性及标准体系方面取得 ...
[李傲谈芯] CP测试必看|BSCAN 原理、应用与失效根因定位
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CP测试必看|BSCAN 原理、应用与失效根因定位
在CP测试项目里,BSCAN通常不是最“显眼”的那一个。相比MBIST、SCAN、IDDQ、TRANS这些项目,BSCAN的测试时间不一定最长,fail率也未必最高,但它往往是判断芯片“能不能被正确控制、能不能被正 ...
[中南微电人] 算力背后的物理 Vol.03 | 先进封装为什么怕翘曲
算力背后的物理 Vol.03 | 先进封装为什么怕翘曲
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翘曲不是封装“弯了一点”这么简单。它背后是 CTE 失配、固化收缩、粘弹性、界面约束、工艺热历史和大尺寸结构共同留下的残余应力。到了 Chiplet、HBM、Fan-Out、Panel-Level 和 2.5D/3...
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[半导体Power SEMI学习笔记] 干法刻蚀 · 等离子体仿真平台
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1.Debye长度 (λD)
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[芯片揭秘] 邀您观会|3000+行业精英齐聚无锡!一场搞定封测全产业链合作
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邀您观会|3000+行业精英齐聚无锡!一场搞定封测全产业链合作
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