封装测试 今日: 0|主题: 741|排名: 17 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/0zcLzTEqOfZoWewaz7uowg 为什么要进行封装？分立式封装介绍、封装的内部结构、封装工艺流程。

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7MVzybfol6IVXxuCIPRodw 3D 堆叠 + 键合技术，如何帮助各类半导体器件跨越式升级？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Z16-i9x5lz68CPxG6a7gvg AOSMD推出600V超结MOSFET产品 Alpha and Omega Semiconductor推出αMOS E2™ 600 V超结MOSFET系列产品，该平台的首款高压产品为AOTL037V60DE2， 这款产品针对服务器、工作站、通信整流器、光伏逆变器、电机驱动和工业电源系统等应用中对高效 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/VLQ5OFs6gzGdgPEF0kJDYg 解剖制样：剖面制样技术 对于芯片内部的纵深缺陷观察或结深测量。样品的制备至关重要，需要根据观察的目的截取适当的截面作为观察面，使得所要观察的缺陷与观察面香蕉。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-PnITo05plGYmlAvJ5k9WA 沟槽栅功率MOSFET多芯片封装方案 聊聊沟槽栅功率MOSFET的多芯片封装

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/SOwfq-wi4_MobcBYKbSxkQ 解决先进封装2.5D/3D散热问题痛点

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/pof1HD8uKzmOSo4g65-nJQ 香港中文大学最新成果：提出3D-IC布图框架， 解决2D IC 互连延迟瓶颈

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/peX7fwnLz4trJwThzuyuHQ SiC MOSFET功率循环能力研究 在不同结温波动ΔTvj下，研究两种相同封装形式、不同芯片结构的SiC MOSFET功率循环能力

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/S_QKDulPQR_vOaCsIiSDCQ 芯片流程中的高度和厚度的测试有哪些？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/CexoDrheRy1hLCnDbvTWfA 中国十大封装厂介绍 截止2025年的中国大陆的封测工厂介绍,不含台资等。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6vaHn6jinMxn2V6FVsbrXw Infineon新型封装750V SiC MOSFET器件 Infineon发布多款第二代CoolSiC™ 750V SiC MOSFET新型封装产品，旨在提升汽车和工业电力转换应用的功率密度和系统效率， 本次推出的产品包括Q-DPAK、D2PAK等多种封装形式，25℃下的典型导通电阻最高为 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/kg_FyaVMRuNNpJW80mlB1g 3亿融资到账，但“桥”不好造：拆解华封集芯与先进封装的冷峻现实 点击蓝字，关注我们3亿融资到账，但“桥”不好造：拆解华封集芯与先进封装的冷峻现实当行业为3亿融资欢呼时，一封 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/kqKEy37R2Z4y7RtFQ7ydMA 全球​先进封装供应链，有哪些核心玩家？

开年“王炸”！多尺度仿真与机器学习算法联合驱动先进半导体封装设计优化，实现“1+1>2”！ https://mp.weixin.qq.com/s/XCz_GgQ9xa95fzkt8gdmLQ

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/XS8T1ak_76504ZsUZpa0sQ 晶圆级老化测试 WLBI：把“早夭芯片”拦在封装之前

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/K7FUWeKEjBwPLGVFQN5F_Q 沟槽栅功率MOSFET封装形式的演变 为推动沟槽栅功率MOSFET技术持续发展，前人在进行芯片层面优化的同时，亦尝试解决封装寄生电阻问题

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/nUnxSEHnujcJZN2nQuEd6g 英飞凌SiC MOSFET器件筛选研究 Infineon采用远厚于本征寿命目标所需厚度的栅氧化层，以实现高栅压筛选