封装测试 今日: 0|主题: 741|排名: 17 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/mjwEfPs2ZltznUM1Vu-SHQ 第七章真实DRC违规案例深度解析DRC：Case Study核心案例 | M2面积违规 · GT间距违规 · DG包围违规 · PAD规则 · CT位置违规 · M1封装改版 真实案例DRC违规案例深度解析DRC：Case Study核心案例 | M2面积违规 · GT间距违规 · DG包围违规 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/0Uu67ktGU-7Un7o2Nb7ieg 半导体划片（Wafer Saw）工艺简介 一刀下去，决定良率：半导体划片（Wafer Saw）, 芯片制造的“最后一公里”很多人理解芯片制造，注意力都放

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/dzcXZA5eBPw4DU0XaV8Thw 芯片可靠性测试介绍

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-uHlQS83JiijgqQq-hQchg 当CPO融入先进封装：全面梳理硅光子技术和行业供应链！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/JI2IWsIMs0FPH0K48Z4Y8Q 封装产品溢胶探讨 一，溢胶的定义： 产品的塑封溢胶（也称模塑料溢料或毛刺）是封装过程中一个常见且棘手的工艺缺陷。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/xvZm2oNrbnzuPT54si3Dfw 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UDRE_n-Hz1TgS5JuqHT4cg SemiQ三代12000V SiC MOSFET模块产品 SemiQ发布了五款第三代12000V SiC MOSFET模块产品，采用SOT-227封装，导通电阻分别为7.4mΩ、14.5mΩ和34mΩ， 该公司GCMS系列模块集成了肖特基势垒二极管（SBD），据称该系列产品在高温下的开关损耗相 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/YWFTJYreeFHeimUcv5QNmw 英飞凌3300V XHP™2半桥模块 Infineon首次将.XT连接技术引入XHP™2封装3.3kV功率模块

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/B1pd8mAa4zuPINETRY9HHw 引线键合工艺的核心耗材Capillary是什么？

先进封装技术(Semiconductor Advanced Packaging) - 44 一文看懂：先进封装中的刻蚀技术及应用（Etching） https://mp.weixin.qq.com/s/8jRCRo76CiT7s2cgwSlY7w 深入探讨了刻蚀工艺在半导体制造和先进封装中的核心作用，湿法和干法刻蚀均是重布线层、硅通孔、微机电系统元器件等关键结构制备的基础工艺 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/GYVrLLOSVumjQZQh0rB_8w TOLL封装 650V SJ MOSFET产品 美格纳半导体（Magnachip Semiconductor）推出两款采用无引脚TO封装（TOLL）的 650V SJ MOSFET产品， 旨在满足高端消费电子产品（高端电视、游戏显示器、人工智能笔记本电脑适配器和充电器）对高功率和大电流的 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/4WuE01fBJLqrB9z442F42Q 4款新产品速递——CPAK-EDC封装1200V/300A IGBT模块 介绍各家公司近期推出的4种产品，包括600V超结MOSFET，1200V/300A IGBT模块等

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/V0cvyzqqDutspqDbVQPnlQ 日本SCREEN 2026增长战略，聚焦半导体湿法工艺、先进封装

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/dp1w7uXJnfCOwEV40C6wOQ 解剖制样：去钝化层技术 因钝化层的不导电性和对观察和测试芯片的阻碍作用，去除钝化层成为样品制备的重要步骤。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/VJjbEatSBmLwrJ98tDOCUA TCI对比TSV：穿线圈互连技术的优缺点

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/iHWGUp6fKCk_BF4EEUjBxA 从 0.3 nm 到 3 μm：把膜厚“量准”的9大方法，半导体人都该懂 椭偏、反射率、XRR、XRF、四探针…薄膜膜厚测量为什么这么“卷”？