封装测试 今日: 0|主题: 1053|排名: 18 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/FDgl0oEOgud1zrp3Kdx4AQ 先进封装工艺-常压低压兼容 PI 固化炉 常压低压兼容 PI 固化炉，以 “双模无缝切换、极致精准控温、全域无氧洁净” 为核心，一站式解决 WLP/RDL、MEMS、功率器件的 PI 固化全场景需求。低压模式高效脱溶剂、无黄变，适配高端先进封装；常压 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Nr1tDWhnABtDXD0UmJafIw 三星：先进封装材料属性模拟方法，帮助缩短开发周期

先进封装技术(Semiconductor Advanced Packaging) - 46 共封装光学（CPO）技术的现状、挑战与未来展望 https://mp.weixin.qq.com/s/sowYBgZ_Uv80SqE05nH6Tg 随着人工智能（AI）、高性能计算（HPC）及云服务的爆炸式增长，传统基于可插拔光模块的数据中心互联架构正面临带宽密度、能耗、延迟与信号完整性等多重物理极限的 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/k2n_CmSoPEywsFT-_KsWXA 混合键合工艺全流程：良率控制与失效分析 在后摩尔时代，混合键合（Hybrid Bonding） 已经成为3D先进封装的核心技术。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/p1Mas13lI7UDWSj_xB3xNg 芯片的“第一道体检”：一文读懂CP测试，半导体人必看！ 在芯片从晶圆到成品的漫长旅程里，有一道看不见却至关重要的关卡 ——CP 测试。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wO934IxS96dHUtCC8DzRCg Wafer Water Mark（水印/水痕）的形成机理、改善与去除 你以为只是没吹干，其实是表面在“重新长氧化层”：Wafer Water Mark 深度科普在半导体制造里，最可

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3O8RfuUcrl7Nuiy_Ni761w 先进封装未来发展趋势 先进封装未来发展趋势：后摩尔时代的系统级革命摩尔定律放缓，先进封装已从“配角”变成算力突破的核心引擎。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lGM_25ltb7O7JjzbG7Ct1Q 代寻资源 | DIP21功率器件封装厂资源 代国产SiC MOS原厂寻找：DIP21封装厂商，欢迎推荐！行业朋友如有需要寻找资源，也可私信我们，免费发文！

Intel Foveros 的救赎：为什么“盖浇饭”式的堆叠才是 3D 封装的真谛？ https://mp.weixin.qq.com/s/LVbtoKo2vrfreZe8MpvPBQ 从 Active Base Die 到背面供电，拆解 Intel 异构集成背后的物理秩序与混乱。为什么说 Intel 正在垂直空间重构整个芯片的“社会分层”？ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/KM0T4aL0hsnFhSyZ-gIxlA CP测试必懂：Hard Bin vs Soft Bin、SOF vs COF、PLY vs DLY 在芯片CP测试（Chip Probing，晶圆探针测试）的日常工作中，工程师嘴里经常会冒出一些“行话”和“黑话”。如果你刚入行，或者经常需要跟测试团队打交道，下面这些词你一定要搞懂 ...

Apple UltraFusion 的“镜面反射”：为什么库克拼出来的芯片损耗几乎为零？ https://mp.weixin.qq.com/s/RNmtNr57BueK9B6wE6buGg 从亚皮焦功耗到 10,000 条信号的“唇齿相依”，拆解 Mac Studio 背后极致的物理极简主义。为什么 Apple 的“镜像对称”设计是芯片物理学的魔术？ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/jz8SrDWRSVEHDtQ25g5lZg 大家好，今天给大家介绍一下芯片的封装！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/dJJ2l06atN-1yhtGXCDwuA TOLT封装 | 深度解析TOLT封装SiC MOS的技术变革与应用实战 TOLT封装 | 深度解析TOLT封装SiC MOS的技术变革与应用实战

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/dYTG4CbapVBHf8BA9rwwrA 测试数据异常分析思路 在元器件封装测试产线上，几乎每天都会遇到：数据飘移、批量超标、高低温异常、良率突然跳水……很多工程师一上来就调

Tesla Dojo 的“晶圆级”狂想：既然缝不齐，为什么不干脆做成一整块？ https://mp.weixin.qq.com/s/dDe4w8YqK_k9qiwUOy4XrA 从 25 颗芯片的“强行拼图”到 InFO-SoW，拆解马斯克对物理极限的暴力美学。为什么晶圆级集成是 80 年代工程师的噩梦，却是 Tesla 的算力大陆？ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/_tw0dGDmA3d2cgK4jGxHuA 台积电CoWoS再扩产，CoPoS最早2028年量产

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cHA0V9gOdxE23tDulMZkDA 漏电流测试异常原因分析 在元器件封装测试、车规可靠性测试（THB、HAST、HTSL）中，漏电流偏大、漏电超标、高低温漏电异常是非常高

AMD 的“缝合术”：为什么苏妈敢在 5 毫米厚度里塞进 13 颗芯片？ https://mp.weixin.qq.com/s/G18RKXBI_jxapcv3ZSoJvw 如果说 NVIDIA 走的是平面扩张的“暴力美学”，AMD 则在垂直空间玩起了“微缩乐高”。拆解 MI300X 背后关于原子扩散、界面热阻与三维布线的物理豪赌。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/D7WHkqkKyp77y21xZhRaTg 固定or脉冲栅压对SiC MOSFET功率循环寿命的影响 SiC MOSFET功率循环实验中，固定栅压的Vth漂移远大于脉冲栅压

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/V07nRtgr79jUyqBU_ikFDg ESD测试等级速查表+HBM/CDM判定标准 针对元器件级ESD测试，人体模型（HBM）和充电器件模型（CDM）是两大核心标准，判定逻辑完全不同：HBM看器