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封装测试 今日: 0|主题: 1053|排名: 18 

  • [功率半导体生态圈] GaAs芯片上倒装Si芯片的金凸点高度与键合工艺参数优化
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/t1PtsUg-1LtTYSVd1kKLUA 关注公众号,点击公众号主页右上角“ · · · ”,设置星标,实时关注功率半导体生态圈最新资讯
    00 zyadmin 发表于 2026-3-24 封装测试
  • [锐芯闻] 香港中文大学最新成果:提出3D-IC布图框架, 解决2D IC 互连延迟瓶颈
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/pof1HD8uKzmOSo4g65-nJQ 香港中文大学最新成果:提出3D-IC布图框架, 解决2D IC 互连延迟瓶颈
    00 zyadmin 发表于 2026-3-23 封装测试
  • [晏小北] SiC MOSFET功率循环能力研究
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/peX7fwnLz4trJwThzuyuHQ SiC MOSFET功率循环能力研究 在不同结温波动ΔTvj下,研究两种相同封装形式、不同芯片结构的SiC MOSFET功率循环能力
    00 zyadmin 发表于 2026-3-22 封装测试
  • [Fab那些事] 芯片制造中的材料高度检测
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/S_QKDulPQR_vOaCsIiSDCQ 芯片流程中的高度和厚度的测试有哪些?
    00 zyadmin 发表于 2026-3-22 封装测试
  • [元器件封装测试之友] 中国十大封装厂介绍
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/CexoDrheRy1hLCnDbvTWfA 中国十大封装厂介绍 截止2025年的中国大陆的封测工厂介绍,不含台资等。
    00 zyadmin 发表于 2026-3-21 封装测试
  • [晏小北] Infineon新型封装750V SiC MOSFET器件
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/6vaHn6jinMxn2V6FVsbrXw Infineon新型封装750V SiC MOSFET器件 Infineon发布多款第二代CoolSiC™ 750V SiC MOSFET新型封装产品,旨在提升汽车和工业电力转换应用的功率密度和系统效率, 本次推出的产品包括Q-DPAK、D2PAK等多种封装形式,25℃下的典型导通电阻最高为 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-3-21 封装测试
  • [半导体工程师萧威] 3亿融资到账,但“桥”不好造:拆解华封集芯与先进封装的冷峻现实
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/kg_FyaVMRuNNpJW80mlB1g 3亿融资到账,但“桥”不好造:拆解华封集芯与先进封装的冷峻现实 点击蓝字,关注我们3亿融资到账,但“桥”不好造:拆解华封集芯与先进封装的冷峻现实当行业为3亿融资欢呼时,一封 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-3-20 封装测试
  • [锐芯闻] 全球​先进封装供应链,有哪些核心玩家?
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/kqKEy37R2Z4y7RtFQ7ydMA 全球​先进封装供应链,有哪些核心玩家?
    00 zyadmin 发表于 2026-3-20 封装测试
  • [半导体先进技术与仿真] 开年“王炸”!多尺度仿真与机器学习算法联合驱动先进半导体封装设计优化,实现“1+1>2”!
    开年“王炸”!多尺度仿真与机器学习算法联合驱动先进半导体封装设计优化,实现“1+1>2”! https://mp.weixin.qq.com/s/XCz_GgQ9xa95fzkt8gdmLQ
    00 zyadmin 发表于 2026-3-19 封装测试
  • [芯域前沿] 晶圆级老化测试 WLBI:把“早夭芯片”拦在封装之前
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/XS8T1ak_76504ZsUZpa0sQ 晶圆级老化测试 WLBI:把“早夭芯片”拦在封装之前
    00 zyadmin 发表于 2026-3-19 封装测试
  • [晏小北] 沟槽栅功率MOSFET封装形式的演变
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/K7FUWeKEjBwPLGVFQN5F_Q 沟槽栅功率MOSFET封装形式的演变 为推动沟槽栅功率MOSFET技术持续发展,前人在进行芯片层面优化的同时,亦尝试解决封装寄生电阻问题
    00 zyadmin 发表于 2026-3-18 封装测试
  • [晏小北] 英飞凌SiC MOSFET器件筛选研究
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/nUnxSEHnujcJZN2nQuEd6g 英飞凌SiC MOSFET器件筛选研究 Infineon采用远厚于本征寿命目标所需厚度的栅氧化层,以实现高栅压筛选
    00 zyadmin 发表于 2026-3-18 封装测试
  • [ChipNote芯笔记] 第七章真实DRC违规案例深度解析DRC:Case Study核心案例 | M2面积违规 · GT间距违规 · DG包围违规 · PAD规则 · CT位置违规 · M1封装改版
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/mjwEfPs2ZltznUM1Vu-SHQ 第七章真实DRC违规案例深度解析DRC:Case Study核心案例 | M2面积违规 · GT间距违规 · DG包围违规 · PAD规则 · CT位置违规 · M1封装改版 真实案例DRC违规案例深度解析DRC:Case Study核心案例 | M2面积违规 · GT间距违规 · DG包围违规 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-3-18 封装测试
  • [芯域前沿] 半导体划片(Wafer Saw)工艺简介
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/0Uu67ktGU-7Un7o2Nb7ieg 半导体划片(Wafer Saw)工艺简介 一刀下去,决定良率:半导体划片(Wafer Saw), 芯片制造的“最后一公里”很多人理解芯片制造,注意力都放
    00 zyadmin 发表于 2026-3-18 封装测试
  • [Jeff的芯片世界] 芯片可靠性测试介绍
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/dzcXZA5eBPw4DU0XaV8Thw 芯片可靠性测试介绍
    00 zyadmin 发表于 2026-3-17 封装测试
  • [锐芯闻] 当CPO融入先进封装:全面梳理硅光子技术和行业供应链!
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/-uHlQS83JiijgqQq-hQchg 当CPO融入先进封装:全面梳理硅光子技术和行业供应链!
    00 zyadmin 发表于 2026-3-16 封装测试
  • [元器件封装测试之友] 封装产品溢胶探讨
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/JI2IWsIMs0FPH0K48Z4Y8Q 封装产品溢胶探讨 一,溢胶的定义: 产品的塑封溢胶(也称模塑料溢料或毛刺)是封装过程中一个常见且棘手的工艺缺陷。
    00 zyadmin 发表于 2026-3-14 封装测试
  • [功率半导体生态圈] 扇出型树脂基晶圆级封装中切割工艺参数对芯片表面脏污的影响研究
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/xvZm2oNrbnzuPT54si3Dfw 关注公众号,点击公众号主页右上角“ · · · ”,设置星标,实时关注功率半导体生态圈最新资讯
    00 zyadmin 发表于 2026-3-13 封装测试
  • [晏小北] SemiQ三代12000V SiC MOSFET模块产品
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/UDRE_n-Hz1TgS5JuqHT4cg SemiQ三代12000V SiC MOSFET模块产品 SemiQ发布了五款第三代12000V SiC MOSFET模块产品,采用SOT-227封装,导通电阻分别为7.4mΩ、14.5mΩ和34mΩ, 该公司GCMS系列模块集成了肖特基势垒二极管(SBD),据称该系列产品在高温下的开关损耗相 ...
    00 zyadmin 发表于 2026-3-13 封装测试
  • [功率半导体生态圈] 功率半导体封装的“微连接”革命:凸点技术研究进展深度解析
    微信公众号资讯文章精选: https://mp.weixin.qq.com/s/992vR5g0kW4JtvQWlEyPEw 关注公众号,点击公众号主页右上角“ · · · ”,设置星标,实时关注功率半导体生态圈最新资讯
    00 zyadmin 发表于 2026-3-12 封装测试
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