封装测试 今日: 0|主题: 1053|排名: 18 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/YWFTJYreeFHeimUcv5QNmw 英飞凌3300V XHP™2半桥模块 Infineon首次将.XT连接技术引入XHP™2封装3.3kV功率模块

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Tpahr-DIocUuDP37EVs7Kw 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/B1pd8mAa4zuPINETRY9HHw 引线键合工艺的核心耗材Capillary是什么？

先进封装技术(Semiconductor Advanced Packaging) - 44 一文看懂：先进封装中的刻蚀技术及应用（Etching） https://mp.weixin.qq.com/s/8jRCRo76CiT7s2cgwSlY7w 深入探讨了刻蚀工艺在半导体制造和先进封装中的核心作用，湿法和干法刻蚀均是重布线层、硅通孔、微机电系统元器件等关键结构制备的基础工艺 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/GYVrLLOSVumjQZQh0rB_8w TOLL封装 650V SJ MOSFET产品 美格纳半导体（Magnachip Semiconductor）推出两款采用无引脚TO封装（TOLL）的 650V SJ MOSFET产品， 旨在满足高端消费电子产品（高端电视、游戏显示器、人工智能笔记本电脑适配器和充电器）对高功率和大电流的 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/4WuE01fBJLqrB9z442F42Q 4款新产品速递——CPAK-EDC封装1200V/300A IGBT模块 介绍各家公司近期推出的4种产品，包括600V超结MOSFET，1200V/300A IGBT模块等

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/V0cvyzqqDutspqDbVQPnlQ 日本SCREEN 2026增长战略，聚焦半导体湿法工艺、先进封装

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/c1ry5Vfk2Sf-szPB1WmCAw 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/dp1w7uXJnfCOwEV40C6wOQ 解剖制样：去钝化层技术 因钝化层的不导电性和对观察和测试芯片的阻碍作用，去除钝化层成为样品制备的重要步骤。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/VJjbEatSBmLwrJ98tDOCUA TCI对比TSV：穿线圈互连技术的优缺点

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/uOsjA0iLELN4vJhh1lA8_Q 美银：2026中国半导体供应链展望，先进封装/设备/传感器是优选赛道

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/iHWGUp6fKCk_BF4EEUjBxA 从 0.3 nm 到 3 μm：把膜厚“量准”的9大方法，半导体人都该懂 椭偏、反射率、XRR、XRF、四探针…薄膜膜厚测量为什么这么“卷”？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Kyp8HuXIVGNBJAPaABAZoA 英飞凌SiC MOSFET器件筛选研究 Infineon采用远厚于本征寿命目标所需厚度的栅氧化层，以实现高栅压筛选

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/mkK9ENrRs1xGdR-Y1ES8tw TO-263-7封装对SiC MOSFET开关损耗的降低 通过引入KS电极，将驱动源和功率源分离，避免源极寄生电感产生的感应电动势对驱动电路产生影响

先进封装技术(Semiconductor Advanced Packaging) - 43 一文看懂：半导体封装中的化学气相沉积（CVD） https://mp.weixin.qq.com/s/zZU7wN8IhLXIaTnfBFY-yQ 本文系统阐述了化学气相沉积技术在半导体封装领域的核心原理、工艺、材料与应用

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/TjDYj18d4Tb3ZYFTpfksGA 芯片CP和FT测试分别是什么？有什么区别？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/hLw14ndBSezqWmub-awweg 3亿融资砸向先进封装，华封集芯的“桥”，能否让国产芯片绕过“内存墙”？ 3个亿砸向先进封装！华封集芯的“桥”，能帮国产芯片绕过“内存墙”吗？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/XFHejjJUV2F0ipXL6lesxQ SiC MOSFET与Si IGBT模块H3TRB可靠性对比 所有Si IGBT模块寿命均未超过2500小时，所有SiC模块均承受了超过 3000小时的累计H³TRB 应力

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ZKZgsnsnJyxHWE9JInNK0Q 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9J7K_Tr-0GbxnUKwkHm-lA RMG里 Dummy Gate是怎么被去除的？ 为什么要先做多晶硅假栅？