封装测试 今日: 0|主题: 1053|排名: 18 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NI39GT-0IjQQFQpW_yetGg 我是一个被观察样本，一个测试新投资逻辑能否成立的试验场。凯格不会轻易下重注，但会密切关注。因为如果青竹的模式最终走通了，那意味着在全球半导体产业链割裂的背景下，会出现一套全新的估值体系和投资机会。这符合凯格寻找‘新出路’的 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/uLagtpjbLuhA0Kr2yDGdvA WLCSP & Bumping process introduction WLCSP（晶圆级芯片尺寸封装）是一种在晶圆阶段完成全部封装工序的先进技术。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/jIZ18o7ttV7441RdZXp47w Flip chip process introduction 芯片倒装工艺介绍 一，倒装焊接定义：倒装芯片是一种先进的芯片封装与互连技术。

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/pqKKBXlitq-5jNCuCiVPGA Underfill Process introduction底部填充工艺介绍

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/IzVWRLCjFmFbZTkQ6fFtsQ 热压键合工艺介绍（Thermo Compression Bonding or TCB） 一，定义热压键合，英文全称：Thermal Compression Bonding，简称：TCB，它是一种先进

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/iuNdrqGTeACqsK7qoZeiPg BM process introduction植球工艺介绍 一，定义BM=Ball Mount 工艺 是指在芯片封装基板或晶圆的焊盘上，精确地放置、固定并形成最终用于电气

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/MlFv4AgWNzKzMFrAo7W9OQ 晶圆解键合（Debonding）介绍

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/iSl6rFKgvEKvZT0OhhEmYQ Die Prep Process Overview芯片封装前道工艺概述 Die Prep（芯片封装前道工艺），也称为芯片准备或后道前工序，

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/MTRnYmDOHgZgPHLVA6DyZg 浅谈SiC功率模块 是集成思想在功率电子领域之延续，是通过封装技术实现系统集成之结晶

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/by-MP5EEIhk-coBitgTorw KLA的先进封装差异化解决方案，从前端到基板

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/X02o3b_HNoyP8u33LvUUkw TSV process introduction 硅通孔技术 一，TSV定义介绍TSV 的全称是 Through-Silicon Via，中文译为 “硅通孔”。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/U-47y5J6ust--t52Y7LyBQ 原来芯片不是出厂就好用!5种“高端包装”，决定手机快不快 #芯片封装技术#芯片封装创新#高端包装决定手机速度

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/CAWIxMR9y3E1HTNKX4ZL1w 芯片可靠性（RE）性能测试与失效机理分析 2025 年9月，国家市场监督管理总局发布了六项半导体可靠性测试国家标准，为中国芯片产业的质量基石奠定了技术规 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ob2nzxISgtZWjcqBfBwtmA SDBG (Stealth Dicing Before Grinding)减薄前隐形切割工艺介绍 一,工艺定义SDBG（Stealth Dicing Before Grinding）是SD激光隐形切割技术中最

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/4AkKKR6re9pbNvQRUU-Lvw SDTT（Stealth Dicing Through Tape）透膜隐形切割介绍 SDTT，全称为 Stealth Dicing Through Tape。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/fNni0kIFVTrsHgr5PRIiBQ SiC MOSFET与Si IGBT模块H3TRB可靠性对比 所有Si IGBT模块寿命均未超过2500小时，所有SiC模块均承受了超过 3000小时的累计H³TRB 应力

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