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一文说清什么是晶界！ https://mp.weixin.qq.com/s/6aUzz_d-ziTuUWUDkOx2-g 一文说清什么是晶界！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9eAx-tOIGgOqvxcfBLWBzg 准垂直GaN沟槽MOSFET可靠性研究 制备两轮准垂直沟槽型GaN MOSFET器件，以SiO2为栅介质，以Si为衬底

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3Zg92nMJkfsU2e1kNjoFZQ 报告推荐：Process Flow for 22nm Planar Logic — 平面 CMOS 的最后一个关键节点22nm 技术是传统平面 CMOS（Planar CMOS）在进入 Fi

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/BYaEE70Ty2gqDiwfcUahpQ CMP不是“抛光”这么简单：这本经典著作如何重新定义半导体平坦化工艺

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/VCVCeMrOhGL6-jVEZc_3Mw 第502期 | 卡塔尔断供、全球氦气缺口30%！中国贫氦如何自救？ 看国产企业如何在这场突如其来的供应链风暴中寻找定位与机遇。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/pUwzR1-fvGHBic0t94RH0w Current Mirror真的只是复制电流吗？很多模拟电路的问题，其实都死在“镜像不成立” 在模拟IC设计里，Current Mirror几乎无处不在。你很难找到一个真正意义上的模拟芯片，不依赖电流镜。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/kRcgmpXIkisgP-Sdt7vy5w 你以为你在量 CD，其实你在量噪声——Metrology Budgeting：为什么量测精度不等于良率提升

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ILtBfaSPTE_JD-FCuWXBnw 一文讲透：先进制程 Cu ECP（电化学沉积）的核心机理——从电化学基础到 Damascene Superfilling 机制的系统解析 随着集成电路进入深亚微米乃至纳米尺度，互连（Interconnect）逐渐成为限制芯片性能与功耗的关键因素。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7Tvksswm-_YkxqXuCz1Rgg 为什么很多资深IC设计工程师，书架上都会有这本《CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation》？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/mGfvS6OPORE8Zgl1pWlMqw 为什么有些金属线永远不会坏？——读懂这本书，你才真正理解电迁移的底层逻辑 在先进芯片（28nm以下）中，有一个现象让很多工程师困惑：有些金属线电流很大，却一直稳定有些金属线电流不大，却 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/rtWEuDD761WRjm5WrCF51Q 一本网尽CMP关键逻辑的书：《Advances in Chemical Mechanical Planarization》到底讲了什么？ CMP在半导体制造里一直很特殊。它不像光刻那样“站在台前”，也不像刻蚀那样“刀刀见骨”，但很多时候，器件结构能不能真正落地，后续薄膜能 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/c813m7QNs_s3tXbOp5Eocg 为什么差分对永远画不出真正对称？你看到的是镜像布局，硅片看到的是误差 在模拟IC设计里，差分对几乎是所有模拟电路的起点。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/LbxUu9g7jL6RbmcpgS5J0g STI不只是隔离！一文看透浅沟槽隔离（STI）Design Rule背后的“电场与寄生真相”

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/op7j58mq961Nxi3iD1RUyA 深度拆解：14nm FinFET 制造全工艺流程 随着摩尔定律的推进，传统的平面晶体管在 20nm 节点以下遇到了严重的物理瓶颈。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/iU8FL2tU1XXinzPp4_iLfw MOS尺寸完全一样，为什么性能却天差地别？真正决定模拟芯片精度的，不是参数表，而是“环境”

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/zmlhhmtfRL2ep2oTebjsiw 《MOS Devices for Low-Voltage and Low-Energy Applications》

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/qC6WFOHAabDLMSDZ7f2haQ 为什么 NAND 写入速度总是比读取慢？真正拖慢 Program 的，不是接口，而是“精度控制”

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Fx3-ndg7sEzCy1O2uvxXxg 你记住，我们不是凶手。我们只是给凶手提供动机的人。区别在于，凶手会进监狱，而我们会被邀请去达沃斯。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/b_nkCTDxLRtrsGPC9_u4Hw 把NAND“拆开看”：从单元物理到系统演进，这本书讲透了什么才是存储的本质

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/VFELPc7rtVxsFgYh5AWn1A 芯片越做越先进，问题却越来越“原始”？这本经典，把数字IC设计的底层矛盾讲透了 很多人进入芯片行业后都会有一个困惑：工艺节点越来越先进，EDA越来越强大，为什么问题反而越来越难？ ...