半导体材料 今日: 0|主题: 917|排名: 15 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/oiENWqygQo5sWFmcg5UUQg Guard Ring到底在“吸”什么？很多人把它当隔离环，但《Design Rules in a Semiconductor Foundry》告诉你：它本质是在管理寄生电流 在绝大多数版图工程师眼里，Guard Ring只是一个“标准动作”：模拟模块外围绕一圈高压器件旁边加一圈敏 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/yEXTjUkU5r4tkFXLrbT-CA DRAM为什么这么难设计？这本书把存储单元、感放、刷新背后的门道讲透了 提到DRAM，很多人的第一反应往往都是几个熟悉的词：1T1C、高密度、要刷新。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/FjKRRgHeq1DcoFc2V9l7Og 3D封装电源到底该怎么供？一篇把VRM摆放策略讲透的PDN分析

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/01O981VgCAyH4Nu4LBrX-A 芯片越做越先进，问题却越来越“原始”？这本经典，把数字IC设计的底层矛盾讲透了 很多人进入芯片行业后都会有一个困惑：工艺节点越来越先进，EDA越来越强大，为什么问题反而越来越难？ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/peTQiIW2xY4CYduNDB-UcA STI不只是隔离！一文看透浅沟槽隔离（STI）Design Rule背后的“电场与寄生真相”

芯片制造系列 Vol.03 | 芯片制造的起跑线，为什么不是一片普通硅片 https://mp.weixin.qq.com/s/ZWl7u9HcNf1YB1utgRTGzA 聊芯片制造时，大家更容易关注光刻、刻蚀和先进节点，但真正的起跑线往往在更前面：晶圆衬底、SOI 和外延层。如果起点就带着缺陷、应力或电学均匀性问题，后面几十道工艺只会越来越难收敛。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/q34Q2eeoO9u6S39cg2KNxQ 为什么铜Damascene不会产生空洞？一本书讲透纳米互连最神奇的 Superfilling 机制 在先进逻辑芯片制造中，铜互连有一个几乎“违背直觉”的现象：纳米级沟槽可以被铜完全填满，而且几乎不会产生空洞（v ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/WoJHwoJB50PGxQHzOfLQbg 这不是一本“模拟电路教材”，而是一本“模拟系统设计方法论”——彻底拆解《Analog Electronics Applications》

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/PQOPKFmUKkOVnkceV3oBOA 一本把“芯片是怎么被真正造出来的”讲清楚的书——《Semiconductor Manufacturing Technology》深度解读 在半导体领域，有一类书你很难一口气读完，但一旦你开始做制造相关的工作，就会反复翻它。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Jk3ldPT5RX_zfVtGpNhxDg 当平面走到尽头：3D IC是“延续摩尔定律”的最后工程解法

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ZLXSps_mE8FK57TOdBejbw 文档在手，失效分析不慌：《Microelectronics Failure Analysis Desk Reference》解读 在微电子行业里，Failure Analysis（FA，失效分析）是一门很“反直觉”的学科。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/iPU4x50tj3p3jtQ624hFgg 《Handbook of Thin Film Deposition》在讲什么？ 如果只用一句话概括《Handbook of Thin Film Deposition》这本书，它不是在教你“某

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/XANxF_fHmKH_G08BpjSOkw CMP进入“微结构时代”：3M微复制抛光垫，如何一刀切掉WIDNU？ 在先进制程（14nm及以下），CMP早就不再是“抛平”这么简单。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/L6nBxYpsmBdRiUhncXEQPw 《MOS Devices for Low-Voltage and Low-Energy Applications》

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/QzAuJ3B9BZ68J4sDvLQK0w 为什么平面 MOSFET 走向终点？——从《CMOS: Past, Present and Future》看器件结构的必然演进 当我们回顾CMOS技术的演进历史，会发现一个清晰的分水岭：从平面MOSFET到FinFET，不是技术升级，而是 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Vc78_qqS5_9FHbkWZWFk4A 先进光刻材料的隐形战争：Spin-on Hard Mask如何重塑28nm以下图形转移极限？ 在先进制程（≤28nm，尤其向14nm/7nm演进）的光刻体系中，真正决定图形是否“能落地”的，不是光刻胶本身 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/WGAEm_Dymlain4O3KuQJ4w 《An Introduction to Contact Resistance》先进制程里，那道“最难啃的小骨头”

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/mA7yGaOqodq0cajY67Jyyw 当NAND进入CBA时代：存储密度竞争的真正分水岭——3D Flash正在从“堆层竞赛”转向“系统级工艺重构” 过去十年，3D NAND的主旋律只有一个：堆叠层数。从64L → 128L → 232L → 300L+，行业似乎只在比谁堆得更高。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vLgx_-ayf-IvDDN5Ux-rVg SRAM Vmin为什么“越先进越失控”？——从SNM崩塌到统计尾部失效的完整物理链条 SRAM真正的敌人，不是面积，而是“概率”，很多工程师对Vmin的理解还停留在：“电压低了，驱动弱了，所以失败 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/pJKHbZmqh6Dxnx9fJXguGA 从《Low Power Design Essentials》说起：为什么低功耗设计，第一步不是“降功率” 在很多工程讨论里，“低功耗”往往被简化成一句话：把功率降下来就行了。 ...