半导体材料 今日: 0|主题: 917|排名: 15 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vefmAxFbfMV7CRwABYvlfQ Process Window：为什么光刻工程师更关心“范围”，而不是“最优点” 在很多外行看来，光刻优化似乎是一件很直观的事：找到一个曝光剂量、一个焦距，让 CD 对准目标值不就行了吗？ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/R4mrYZTzqgji0qtWz4u8rg 为什么先进 SoC 越来越依赖 SLT，而不是一味堆 FT 测项？ 在很多芯片项目复盘中，都会出现类似的讨论：“这个问题 FT 能不能测出来？”“要不在 FT 里再加一个 pattern？ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cXEA2leYklJRmVTt-KVQMQ 原子表面迁移能力，如何决定薄膜质量的物理上限

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/nkHyLcm_UUQDeXIzb7WV3A 《Semiconductor Device and Circuits》 —— 从器件到电路的完整知识链

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ESo_EWnYhml6qVLmI_CzhQ 《Design Rules in a Semiconductor Foundry》：一本真正站在晶圆厂视角写出的设计规则全书 在集成电路制造中，“设计规则（Design Rules，DR）”往往被认为是版图团队的专业词汇。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/x5cqc_XdHydMC3cMdUrq4Q 报告推荐：Process Flow for 22nm Planar Logic — 平面 CMOS 的最后一个关键节点22nm 技术是传统平面 CMOS（Planar CMOS）在进入 Fi

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UHw8DjI_o-dyIAc7R7X-QQ 书籍推荐：《FinFET Modeling for IC Simulation and Design》 《FinFET Modeling for IC Simulation and Design》是一本专注于Fin

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/iLIhZl5BcQxmd1-FtIwJ6Q 深度拆解：14nm FinFET 制造全工艺流程 随着摩尔定律的推进，传统的平面晶体管在 20nm 节点以下遇到了严重的物理瓶颈。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/abmIkG9ivOHERDscqHq7nQ 《Reliability Prediction for Microelectronics》：失效物理基础深度解读 在可靠性工程中，一个最容易被忽略、却最致命的问题是：我们常常只在器件“已经坏了”之后，才开始讨论失效。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/LYFShx6OBug6r-PfWOQ6PA 把“可靠性预测”讲清楚的书——《Reliability Prediction for Microelectronics》深度解读 在先进工艺节点和高可靠性应用场景下，“芯片能不能跑”早已不是问题，能稳定跑多久、在什么条件下失效、失效由什么机 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/WIoIZD5qWY3voSy9cF_COg 能带与掺杂：器件性能并不是“调出来”的 在半导体工程中，能带和掺杂常常被视为最基础、也最“理所当然”的概念。它们通常出现在教材的前几章，也最容易在工程实践中被简化为几个参数。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Feh5MlCpW_KF3jC1P4uOig 感谢大家2025年一年的支持，2026我们继续进 感谢大家2025年一年的支持，2026我们继续进步，祝大家新的一年越来越好！ #我的2025公众号总结

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/TwmRrWZzueO-clS8uDY6ow 有源器件与无源器件：半导体电路中最基础、也最容易被忽略的区分 在半导体、电路与芯片设计领域，“有源器件”和“无源器件”是几乎每天都会被提及的两个概念。但真正深入去问：它们到底差在哪里？ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/JF5qU7qzMT24lF1t9_PAlA 富氮设计对SiC MOFET抗辐照能力的影响 富氮设计不影响辐照前的栅氧化层寿命，但会加剧辐照后栅氧寿命的退化

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/WDlghQk9qNZd9_GkhOMNiA 一本把“芯片是怎么被真正造出来的”讲清楚的书——《Semiconductor Manufacturing Technology》深度解读 在半导体领域，有一类书你很难一口气读完，但一旦你开始做制造相关的工作，就会反复翻它。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/YZxXf1-O36Z3xGACIDI5Gw 光刻里的 CD，到底是“哪里”？从《Field Guide to Optical Lithography》重新理解 CD 的本质 在上一篇为什么先进工艺中 CD 窗口会越来越“窄”？，我们介绍了先进工艺CD窗口越来越窄，好多朋友后台私信，CD到底该怎么理解，今天带大家一 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/8J9qFJGhz0_IcsdouMEAKw 从能带到应用边界：半导体为何正在走向多材料时代？ 在相当长的一段时间内，半导体技术的核心问题可以被简化为一个方向：如何在既定材料体系内，通过器件结构与工艺优化持 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Rk-Mbil6Y58wRXztpxxdXw 从器件到平台：解读 3nm CMOS FinFlex™ 技术的工程逻辑与设计价值 在 3nm 节点，制程微缩已经不再只是“线宽继续变小”的问题。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/dVchcrifPBgcAciPX-kJoA 一本把半导体“从物理本质讲到新应用边界”的工具书：《Handbook of Semiconductors: Fundamentals to Emerging Applications》 在半导体领域的相关书籍中，有一类书很不容易被大家看到：它们不是经典教材，也不是某一工艺或器件的“专书 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Wz0pK6jsSlYBxe00tu64Vg 深度拆解：14nm FinFET 制造全工艺流程 随着摩尔定律的推进，传统的平面晶体管在 20nm 节点以下遇到了严重的物理瓶颈。