半导体材料 今日: 0|主题: 917|排名: 15 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/R0EGQfi_KgfxXSACocbgug RTP 中的 DSA 与 LSA：两种退火方式，决定了先进节点的“成败” 在先进 CMOS 工艺中，退火（Anneal） 不再只是一个“加热激活”的简单步骤，而是决定阈值电压、漏电、接 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/w9ChZP2PUhodO63gBYfHaQ 《Semiconductor Device and Circuits》 —— 从器件到电路的完整知识链

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cK7LM5dVrAVXtO3KKm702Q 《Design Rules in a Semiconductor Foundry》：一本真正站在晶圆厂视角写出的设计规则全书 在集成电路制造中，“设计规则（Design Rules，DR）”往往被认为是版图团队的专业词汇。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ml4PQDOhix8uLQG7ufbFwA 书籍推荐：《FinFET Modeling for IC Simulation and Design》 《FinFET Modeling for IC Simulation and Design》是一本专注于Fin

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ACbZrkp_QVnS6lf4cPeLpA 《Semiconductor Device and Circuits》 —— 从器件到电路的完整知识链

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/T6mKmW4nWR0CMQq1UECJZw The “Not Allowed Rule”：版图中那些绝对不能出现的“禁区”

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/2QFhiBQf2njvOzKkP_9rwA 《HIGH-K MATERIALS IN MULTI-GATE FET DEVICES》

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/LluIOtfT3lV0ILm6GiNILg 密钥:73FN2-3VWHF-83KJQ-F4XWK-6CQGG

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-PWHVC5kVy2sA8IKb99vbA 从【圆的wafer】到【方的panel】，芯片行业经历了怎样的过程？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/4lDBiKhXK0ToikK1SPZzng Notch Rule：IC 版图中最“隐蔽”的杀手，为何一个小缺口会毁掉整片晶圆？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/jdwJ5qZxDzF155CsfCI4OQ Extension Rule：决定器件有效尺寸的“隐藏几何规则”

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9YwZuKVWBy_Q3TuR-4QAWw 《Design Rules in a Semiconductor Foundry》：一本真正站在晶圆厂视角写出的设计规则全书 在集成电路制造中，“设计规则（Design Rules，DR）”往往被认为是版图团队的专业词汇。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/bBddBfAW8BcG6xsWivLEJw 书籍推荐：《FinFET Modeling for IC Simulation and Design》 《FinFET Modeling for IC Simulation and Design》是一本专注于Fin

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/avI35orAmg33pFRU7Kw1LQ 报告推荐：Process Flow for 22nm Planar Logic — 平面 CMOS 的最后一个关键节点22nm 技术是传统平面 CMOS（Planar CMOS）在进入 Fi

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6tCc9PUT2r-YOM7DZ3rjWA Overlap Rule：IC 设计中最容易忽视，却最致命的设计规则之一

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/1TQ8dqoAbtFBwlKOREd6DQ 《22 nm Gate-Last FinFET Process Flow》 想真正看懂当代先进晶体管是如何“长出来”的吗？22 nm Gate-Last FinFET 这条工艺流程，就是摩尔定律从平面走向三维的转折点。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9JrAgnSO2_OE7lTO_k-_MA 导图：正文：一、天然的硅材料：石英砂的主要成分是二氧化硅，如何将其制备成我们所用的硅片呢？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DgoCKvN74YqJMxwfzInaDA 《SRAM Design in Advanced CMOS Nodes》 电路工艺协同优化引领先进SRAM设计未来 在摩尔定律放缓与算力需求爆发并存的当下，内存不再只是“装容量”的部件，而是影响芯片功耗与性能的核心战场。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/pql5YKjjQVKosxnvgTYDrw 书籍推荐：Co-Optimization of SRAM Design in Advanced CMOS Nodes 在摩尔定律放缓与算力需求爆发并存的当下，内存不再只是“装容量”的部件，而是影响芯片功耗与性能的核心战场。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/yyqhG3TTViUmBikvTUCD8w Overlap Rule：IC 设计中最容易忽视，却最致命的设计规则之一