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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/qmTH1scg0jiIRh3JM4hy3Q 【文献解读】: 基于模型的工艺能力指数——以干法刻蚀半导体为例 在半导体制造中，Cpk早已不只是一个数字。当你把晶圆放进刻蚀机，数据的分布、空间的非均匀性、测量噪声——都在悄悄改变“工艺能力”的真相。 ...

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/25Tie-ij-qw-MfZhOcrT7w 为什么laser anneal要有角度？ 在半导体制程中，Laser Anneal（激光退火）是一种用于激活离子注入杂质或修复晶格损伤的关键工艺。

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DE9vVGR1twBsWFUfess47g FinFET工艺及Flow资料：揭开现代芯片性能飞跃的神秘面纱 分享一篇文章。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vLcfaWonLhrhWNg8YW9fmw “大陆缺什么，我就去做什么。”中国半导体之父【奔流· 张汝京】 分享一篇文章。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/511vJ6gdlaJQ7ISKGBPbhQ Dummy Gate 不只是占位，它在决定 Vt 分布 如果你在fab里的岗位是PIE/PDE，那么经常会去看layout，我们在layout里看到一大堆“假栅”（D

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/GHBAuR-clayvz3Xj8qMraA 后摩尔时代光刻会被替代吗？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/_vUt2HN4stTUHBuUPksDsA Poly Protrusion：藏在栅边缘的秘密 一、背景：从“理想栅”到“真实结构”的距离在MOSFET的理论模型中，我们通常假设多晶硅栅（poly gate

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/jYDQWdVNrfHXJsyDgMaJ6w 低 K 介质的挑战是什么？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/AmN6H7-stzDDM_RotVJlvg 【Study】7nm及以下节点的设计规则与光刻方案分析 分享一篇文章。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NkZo5d-2eCYpbbDSj6-NxA 为什么 EUV 光刻机这么贵？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UED70-D2c2kt6GjHTZxWgw 从铝到铜，从钨到钴：CT与Via材料的“进化史” 上一篇文章为什么 Contact 用钨，Via 却用铜？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/uYSmYndJn0tt7SxQk7L-sQ FinFET 到 GAA 是必然趋势吗？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/GNxWnkzQArVftTLByoTEZA 刻蚀时的“微草”和“鬼影”：等离子体的秘密 在芯片制造中，刻蚀（Etching）是最具“破坏力”的一道工艺。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7zo7bcOWVXHKYoYD2stt-g 如果速度不变但漏电显著增大，可能问题是？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/hVNP4ass1KBydcfdyKYH9w 为什么 Contact 用钨，Via 却用铜？ 在芯片制造中，有两种看似相似的小孔：一个叫 Contact（CT），连接晶体管与第一层金属；另一个叫 Via，

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