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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vJSQiES8P_5y6fZm3NG8hw 【半导体CMP工艺】Dishing与Erosion：CMP工艺中不可忽视的隐形杀手 【半导体CMP工艺】Dishing与Erosion：CMP工艺中不可忽视的隐形杀手

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7PD6V_8uHSTCT1-gKEk6kw 半导体器件（九）:MOSFET的I-V特性

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/wNEA6gl9-WkO3GZY1ZDxYQ DRAM是怎样炼成的？(二)外围晶体管的热稳定之战 本系列文章的第一部分重点介绍了DRAM基础知识和外围电路，而本部分将详细介绍DRAM外围晶体管，解释从平面高k/金属栅极晶体管到FinFET等不同代热稳定外围晶体管技术。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/pd--ZZrVBYfb30sUfSFLDA 半导体工艺揭秘：为什么速度不变，漏电却变大？ 在芯片研发和生产中，我们常常会遇到一个“奇怪”的现象：器件速度基本没变快，但静态漏电流却突然增大了。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/hl3bLMix5QiMraB4z4GhqQ 硅外延工艺原理解读 分享一篇文章。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NMkN_e0TO3N8uPlbkif5fg 番茄小说文章修改错别，170～288/天

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/kR1F-f4f0S4vx39TWpXuqQ 【半导体PCM参数监管】Process Control Monitor, PCM Parameter汇总（2） 【半导体PCM参数监管】Process Control Monitor, PCM Parameter汇总

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/cLBOHht1ysffh7jS3dVNnQ 芯片设计常提到的标准单元（Standard cell）是什么？如何影响整个芯片设计的走向与性能？ 典型的标准单元定义，单元的高度定义为可以容纳的金属数量。宽度定义为在水平轴上栅极（poly）的数量；CPP（Contacted Poly Pitch，接触聚合物间距 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3gLB-_XcJQ4hG9kCqvhKtQ 半导体工艺冷知识：什么是 Blanket Implant？ 在集成电路制造流程中，我们常常会听到各种离子注入（Ion Implantation） 工艺，比如源漏注入、阱注

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/9MSHhuJmEXzUKWUY-_10Vg 为什么光刻胶上的CD不能量两次

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/zDelN8ec9glbT1z9Iu2VXg 一篇讲透：芯片可靠性测试到底测什么？ 分享一篇文章。

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/uM1JJKit9J4jMLFdJAPVbg 芯片测试中，抬高电压测试能够提高pass ratio是否相当于放松spec

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微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/t6OGEYWfNP7WEpYC7QD2Hg 叮咚~您的低门槛兼职上线啦！

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