半导体材料 今日: 0|主题: 917|排名: 15 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/udLR_IEmcAlS7lAQApxylw 为什么28nm之后MOSFET越做越慢？High-k引发的“三大隐形散射”，才是性能崩塌的真相 很多工程师都有一个直觉认知：工艺越先进，晶体管应该越快但现实却是：从90nm → 45nm：性能明显提升到28 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/YGdaizLLCiBzsRmC4jjhkA 硅片制造厂：半导体产业里最安静的一环

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/VNxkDhTSX8U_HX0KJYRPKQ 一本全面解析CVD前沿进展的书：《Advances in Chemical Vapor Deposition》 在现代材料科学与半导体工艺体系中，Chemical Vapor Deposition（CVD，化学气相沉积）已

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/DrqpYlniZGirSAX9-2pKiw 全球晶圆代工全面涨价！供需紧张延续至 2027 年

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/QxKUjXhkVQ_ZUiWxwEf48Q 半导体工艺(四)——28nm工艺技术解析：SiGe为什么如此重要？从SiGe生长原理到良率挑战全面解读 分享一篇文章。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/jWmiDj3oYgXBSbPhLZn5IA 当硅基MOSFET缩放遇到极限，3Å EOT会成为下一代晶体管的新方向吗？——2025 VLSI论文解析：W掺杂In₂O₃ MOSFET实现3Å EOT与高稳定性 在过去半个世纪里，半导体工业的发展几乎围绕一个核心规律展开：不断缩小晶体管尺寸，不断降低栅介质 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/94zExKzIxw4qt5-q-4atMA 从 2025 NVIDIA Annual Review，看英伟达“不可复制”的技术护城河 很多公司都有 AI 芯片，但在这份 2025 NVIDIA Annual Review 里，英伟达反复想证明的

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-EvYmnP12DsDh3cQNj9Meg 为什么LDMOS的Poly一定要 overlap STI？——从电场重分布到工艺协同的底层逻辑 在很多工艺review或者版图review中，你一定见过这样一个“看似奇怪”的结构：LDMOS的Gate Po ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/nn3OhrKBLK1Ag6QIAHl-zw STI与DTI：芯片内部的“隔离墙”，如何守护先进制程？ 分享一篇文章。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/1bD5Xml0DPQROWTXKoY1nw 芯片设计师真正的战场，其实在Layout ——读懂《CMOS Circuit Design, Layout, and Simulation》后最大的震撼 很多工程师刚进入半导体行业时，都会有一个共同认知：芯片设计最重要的是电路设计。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/kvPqATrA6H2IhS55xWvbMQ 器件衬底 × 介质材料横向对比 | SiC 上的 SiO₂_界面机理与栅氧可靠性 SiC 栅氧的核心难题可以收束成一条因果链。热氧化时碳排不净，界面留下碳相关缺陷态，导带边附近的界面态密度升高，反型层电子被大量俘获，沟道迁移率随之跌到个位数。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/a9vnfbNjMwtl5j7bgUhkYw 先进封装与Chiplet：AI算力时代的系统级工艺革命——IEDM 2025 Short Course 核心内容解读 当单颗SoC的光刻成本与reticle尺寸同时逼近物理与经济极限时，系统性能提升的路径已经从晶体管缩放转向封装 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/iHnW29veDB1cGBWen27AYw Ultra-Thin-Body MOSFETs and FinFETs——从平面MOSFET走向三维多栅的关键演进路线 在先进制程持续迈向 22nm、14nm、10nm 乃至 7nm 的过程中，传统平面 MOSFET 面临越来越多 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/nvvSgsuPIcNHsijB_ThmeA 为什么DC_SCAN Pass TRANS却 Fail？一张图看懂所有SCAN测试 分享一篇文章。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ylbXFazMleQwOtNG-nN52g 一颗MOSFET是如何被“体检”的？揭秘晶圆厂如何用测试结构判断晶体管健康状态 在一颗现代芯片中，晶体管无疑是最核心的单元。几十亿颗MOSFET共同组成逻辑电路、存储单元和各种功能模块。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/sU0tjuhEXkq1Z6hltMUlgw DOF对芯片制造有多重要？ 分享一篇文章。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/iWrXyzUb6P9IbxDsdnBJlA 为什么平面 MOSFET 走向终点？——从《CMOS: Past, Present and Future》看器件结构的必然演进 当我们回顾CMOS技术的演进历史，会发现一个清晰的分水岭：从平面MOSFET到FinFET，不是技术升级，而是 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/2mdUT7Z_6UqN1MwQJ-wXoA 半导体工艺(三)——28nm芯片制备中的Gate Oxide：从“薄门锁”到高-k金属栅的关键跃迁 28nm芯片制备中的Gate Oxide：从“薄门锁”到高-k金属栅的关键跃

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/K10Xp7iWnmM6QQ9EwQGqHQ 《CMOS Image Sensors》

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/SZ83saHoz71fYSvTVlmszw 当FinFET/GAA逼近极限，下一代CMOS为什么盯上了一层原子厚的WSe₂？——2025 VLSI报告解析：单层WSe₂如何让二维PMOS性能实现突破 过去几十年，晶体管性能提升主要依靠传统硅基技术路线：平面MOS → FinFET → GAA纳米片。 ...