半导体材料 今日: 0|主题: 917|排名: 15 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Vq6zTeu2B80xtPxya_bbvQ 半导体工艺(二)——STI Step Height：为什么几十纳米的高度差会影响整颗芯片？ 分享一篇文章。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/z6Nr_AzpaIsRSNX5Iyxc8Q 一本把外延“从热力学讲到MBE”的书——《Epitaxy of Semiconductors》全书深度解读 在先进器件架构持续向应变工程、异质集成、量子结构演进的背景下，外延早已不只是“长一层膜”，而是决定器件性能上限 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/6Jh9fP0b8UDc-NV0_-tgiQ 芯片性能的真正天花板，不在晶体管，而在封装：一文读透《Fundamentals of Microsystems Packaging》

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/G3TSj_xli48QXAWbCLIbUQ 芯片越来越快的背后，却藏着一个“隐形杀手”：CMOS电容测试结构深度解析 过去几十年，半导体行业一直在追求一个目标：让晶体管越来越小。晶体管缩小意味着：更短的沟道；更快的开关；更低的功耗。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/29UD4pjUUCoi30zC4nPcig 文档在手，失效分析不慌：《Microelectronics Failure Analysis Desk Reference》解读 在微电子行业里，Failure Analysis（FA，失效分析）是一门很“反直觉”的学科。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/o8ErkTw_cnxSaSYv4odsdg 一部把薄膜生长讲到原子尺度的经典著作：《Thin Film Growth》 在半导体制造、光电子器件以及功能材料研究中，薄膜几乎无处不在。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/OMocTuMNyEefkSE2oZnSzw 半导体的时代，才刚刚开始 分享一篇文章。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/eI62z4bi5Gmqi9JxdqeA9Q ERO研究了20年，原来问题不在Pad？一篇Materials论文揭开DSP边缘滚降的真实形成机制

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/K1h3B0f2ohDKvtWnLrblWg 当NAND进入CBA时代：存储密度竞争的真正分水岭——3D Flash正在从“堆层竞赛”转向“系统级工艺重构” 过去十年，3D NAND的主旋律只有一个：堆叠层数。从64L → 128L → 232L → 300L+，行业似乎只在比谁堆得更高。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/5OXI63sjjwl3gw21MfrMqw Intel 18A：不是简单“2nm”，而是晶体管时代的“架构重构” —— RibbonFET + PowerVia，本质是在重写“芯片供电与器件耦合方式”为什么说 18A 是“范

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/5m-OLyGmfkMeaf2sJxnqgw 芯片工厂里最神秘的“实验田”：为什么一块不卖钱的测试结构，却决定了先进制程的生死？ 一片价值数十万元的先进晶圆，在送入光刻机之前，没有人知道它最终会不会成为一颗合格芯片。晶体管会不会偏移？ ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/COzVACOFaBIjzTaHOQF2ug 22 nm节点PMOS性能“加速器”：SiGe选择外延源漏的工艺、机理与版图耦合全解析 在22 nm及之后节点，PMOS性能提升的核心不再只是栅极材料或HKMG，而是源漏应变工程。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/Z9U6w0rRp7iDporYk_tAJA 光刻的极限在哪里？这本“圣经级教材”，讲透了半导体最核心的战争逻辑 如果你问: 先进制程的瓶颈在哪里？很多人会回答：FinFET、GAA、材料、甚至是EUV。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/LE06INm2WRDn_lChgiHZrA 它从美国的实验室发明诞生，凭借日本的“举国体制”实现第一次跨越，再由韩国的“逆周期投资”和中国台湾的“代工模式”创新接力，如今正伴随着全球化和地缘政治的影响，向着包括中国大陆在内的更多元格局演变。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/I2XSZTlU2R7mpHoH0GYkGg 为什么金属越来越难刻？这篇经典综述，揭开原子尺度金属刻蚀的底层逻辑，从铜互连到MRAM，再到ALE，未来金属刻蚀答案或许藏在“氧化”里

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/UCvKYAS8amgmG4ontif8pQ 《An Introduction to Contact Resistance》先进制程里，那道“最难啃的小骨头”

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/e4xvgwlX9Tj69DWCW0S7jw 《Design Rules in a Semiconductor Foundry》：一本真正站在晶圆厂视角写出的设计规则全书 在集成电路制造中，“设计规则（Design Rules，DR）”往往被认为是版图团队的专业词汇。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/5P0IsEYmi1hXVQeEOWT5OQ 开源EDA全流程！同门师兄弟三年研究接力！AI定义芯片设计将成为常态！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/BDlhY1zo0PMCjF__jxg6OQ 《EUV Lithography（第二版）》深度解读——这不是一本讲光刻机的书，而是一部EUV从“不可能”走向量产的技术史诗 对于半导体从业者而言，如果只能选一本EUV领域的权威著作，那么由Vivek Bakshi主编的《EUV Lit ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NB2ucXWNo_07X7ScVRX0Jw 器件衬底 × 介质材料横向对比 | SiO₂ 与 Si₃N₄ 的衬底依赖 第1篇 界面是长出来的，还是贴上去的导语：先把两种材料和三块衬底摆在一起做工艺时间一长，容易形成一种固定印象： ...