半导体材料 今日: 0|主题: 917|排名: 15 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/vyCr3kRWHEA8k7vJYppjHg 版图的物理边界：从几何规则到掩膜数据闭环——《IC Mask Design: Essential Layout Techniques》系统解读 在很多数字设计流程里，版图往往被视为“后端实现”；在模拟设计语境中，版图又常被简化为“匹配技巧”。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/7C797srMlbPM_qxiqI-yyA 《22 nm Gate-Last FinFET Process Flow》 想真正看懂当代先进晶体管是如何“长出来”的吗？22 nm Gate-Last FinFET 这条工艺流程，就是摩尔定律从平面走向三维的转折点。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/fbuzcwnvGPrwJGL5zLp-lg 当芯片制造开始精确到“原子”，下一代刻蚀技术已经悄悄来了 ：一篇最新SiO₂原子层刻蚀论文，揭示后摩尔时代制造工艺的新方向

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/LjuYSibZp-FeGtURPIjIjA 为什么平面 MOSFET 走向终点？——从《CMOS: Past, Present and Future》看器件结构的必然演进 当我们回顾CMOS技术的演进历史，会发现一个清晰的分水岭：从平面MOSFET到FinFET，不是技术升级，而是 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lhOFftbJ4yl4b7e_D5NI4A 一本系统讲透封装材料与可靠性的经典书：《Semiconductor Packaging》深度解读 在先进制程逐渐逼近物理极限的今天，封装技术已经从“后段工艺”变成半导体性能提升的重要路径。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/NpinfjhsSG-CReZd47M_PA 为什么3nm以后传统刻蚀开始失效？揭秘原子层刻蚀（ALE）背后的底层逻辑

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/v1cEHo0S3QYmJrKoXmSlYA 从“秒级热处理”到先进芯片制造：一本讲透 RTP 本质的经典著作——《Rapid Thermal Processing of Semiconductors》内容深度解读

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/paGjNwjwL41l0vupLbvSYQ 《Inside NAND Flash Memories》：不是一本“讲NAND”的书，而是一套完整的 NAND 工程体系 对于很多做存储、工艺、测试、可靠性、控制器甚至SSD架构的人来说，市面上关于 NAND 的资料很多，但真正能把 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/r555AokWLta2UCYZcJz9Wg 为什么没人刻铜？一个困扰半导体行业20年的难题：读懂铜刻蚀的失败史，也就读懂了Damascene工艺为什么统治先进制程

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/WipAA1U7zTSWEuj6GboQ4Q 《Integrated Circuit Test Engineering: Modern Techniques》 《Integrated Circuit Test Engineering: Modern Techniques

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/agcshoePKPusyzju8Qb-Lw 为什么LDMOS的Poly一定要 overlap STI？——从电场重分布到工艺协同的底层逻辑 在很多工艺review或者版图review中，你一定见过这样一个“看似奇怪”的结构：LDMOS的Gate Po ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/qW9eCwZ0ruyFP1SKPo6QnA 深度拆解：14nm FinFET 制造全工艺流程 随着摩尔定律的推进，传统的平面晶体管在 20nm 节点以下遇到了严重的物理瓶颈。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/YlDIhZ-eGxCat_JpStQsxQ 为什么铜Damascene不会产生空洞？一本书讲透纳米互连最神奇的 Superfilling 机制 在先进逻辑芯片制造中，铜互连有一个几乎“违背直觉”的现象：纳米级沟槽可以被铜完全填满，而且几乎不会产生空洞（v ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/GfMz7H_94HfWjCiJJ_vTqw BCD 工艺中的模拟电路设计：器件、物理极限与系统权衡（基于 ISSCC 2022 Tutorial） BCD（Bipolar-CMOS-DMOS）是电源管理、车规驱动、LED、电机控制等领域的核心工艺平台，其本质 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/4z2JTP25bWtsnKu1XzrxDg 拆解 232 层 3D NAND：TechInsights 深度解析长江存储 Xtacking 3.0 如果你想真正看懂一颗 3D NAND 的技术水平，最直接的方式只有一个：拆开它，看清它。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/MbBQEuTmqj6oosBypw0kww 报告推荐：Process Flow for 22nm Planar Logic — 平面 CMOS 的最后一个关键节点22nm 技术是传统平面 CMOS（Planar CMOS）在进入 Fi

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/_F0pw7JBOXSbBE7Y7KcHrg 1、废氦回收深冷提纯再利用 2、氦、氖、氪、氙、超纯氨、CO、CO₂ 3、氢能：纯化、液化、储存、运输、加注

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/YF1NH7E4gno3gEaJiZZQWQ 深度解析：半导体 Cu ECP 工艺中的关键缺陷机理——从 Void、Seam 到 Overplating 的系统分析 在先进半导体制造中，Cu 电化学沉积（ECP, Electrochemical Plating）是实现 Dam ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/VJIQS9noONNLALwXjTDLJQ 为什么Mask不用光刻机曝光，而要用电子束直写？一台EUV光刻机都造不出的东西，为什么Mask Writer却能做到？ 很多人第一次真正接触Mask制造时，都会产生一个疑问，既然晶圆制造已经有：ArF浸没式光刻机EUV光刻机Hig ...

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