半导体材料 今日: 0|主题: 917|排名: 15 

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/MV1cap1cnZJqIwNnDB_-HQ 为什么Mask不用光刻机曝光，而要用电子束直写？一台EUV光刻机都造不出的东西，为什么Mask Writer却能做到？ 很多人第一次真正接触Mask制造时，都会产生一个疑问，既然晶圆制造已经有：ArF浸没式光刻机EUV光刻机Hig ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/kPNeJPKQ7tyi9R9H3OpGJw 芯片从业者的春天要来了，大家提前做好准备吧！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/C6NWvfg9J3Y7pocxzVq1Ng 《System on a Chip：Design and Test》 在 SoC 时代，芯片已经不再是单一模块的堆叠，而是一个“系统级平台”：处理器、DSP、加速器、存储、模拟/混

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/s33X4t85jYeQLHqGAZZbyg 先进制程背后的真正战场：谁在决定中国半导体材料的未来？从硅片、光刻胶到CMP与靶材，一份报告看懂国产材料替代的核心逻辑

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/a_noyBZP4tLl89b9F47lDg 为什么一块石英玻璃，能决定3nm芯片的生死？Quartz基板：被整个半导体行业低估的“光刻地基” 很多人谈先进制程，喜欢讨论：EUV光刻机High-NAGAA晶体管纳米级CD控制但很少有人意识到：真正决定光刻 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/C7rKsUGEC0Hx3m-T2iryXg 关注公众号，点击公众号主页右上角“ · · · ”，设置星标，实时关注功率半导体生态圈最新资讯

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/iDiMsedEavj4E30GF-v0lA Ultra-Thin-Body MOSFETs and FinFETs——从平面MOSFET走向三维多栅的关键演进路线 在先进制程持续迈向 22nm、14nm、10nm 乃至 7nm 的过程中，传统平面 MOSFET 面临越来越多 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/m7UiJ7unHJOxdFSTGhmyeg 第504期 | 光刻气稍有偏差，光刻机可能“罢工”！听听一线光刻气供应的实操门道 国内能稳定供应光刻气的企业，一只手数得过来。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/izH2Iy21uB8CGmtQNbOtWw 曝光结束后，晶圆上到底发生了什么？从《Field Guide to Optical Lithography》看“潜像”的真正含义 在光刻讨论中，“曝光”往往被当作一个分水岭：曝光之前是准备，曝光之后就是结果。 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/psdLOKKQczDR67f5DfRXuw AI定义EDA！建议所有芯片设计研究者都去学一遍，仿真设计加速十倍！！！

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/SGKhC2SuIR4LOIVr752unQ 功率晶体管的常关要求 功率晶体管欲实现商业化，必须满足三个要求： 1）能够承受足够高的电压和功率， 2）具有低开关损耗和导通损耗， 3）实现常关功能， 前两个要求容易理解，为什么一定要常关？ 有一个术语，fail-safe power applicat ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/lhDSCPNgD4MChekPFkxU0Q 光刻里的 CD，到底是“哪里”？从《Field Guide to Optical Lithography》重新理解 CD 的本质 在上一篇为什么先进工艺中 CD 窗口会越来越“窄”？，我们介绍了先进工艺CD窗口越来越窄，好多朋友后台私信，CD到底该怎么理解，今天带大家一 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/-OqSceCdXfI3pPT8RulHng 准垂直GaN沟槽MOSFET可靠性研究 制备两轮准垂直沟槽型GaN MOSFET器件，以SiO2为栅介质，以Si为衬底

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/3skZ5pGoHZgjQGe1GWkWvw 当 CD-SEM 不再只是 CD：E-beam 量测的六条技术跃迁路径——解读 IMEC《Trends in e-beam Metrology and Inspection》 在 High-NA EUV 与 GAA/CFET 器件结构双重驱动下，传统 CD-SEM 正在经历一次“角色重 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/AShlqfDcbL3zjMM2p-GlNg Guard Ring到底在“吸”什么？很多人把它当隔离环，但《Design Rules in a Semiconductor Foundry》告诉你：它本质是在管理寄生电流 在绝大多数版图工程师眼里，Guard Ring只是一个“标准动作”：模拟模块外围绕一圈高压器件旁边加一圈敏 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/bxW-UbsTty4MJWu74mwLQA 【光刻胶全流程硬核解析】从 i-line 到 EUV，一文读懂光刻材料的分类、原理与应用。深度对比PAC/PAG正负型PR详解 EUV 光刻胶三大技术路线 【光刻胶全流程硬核解析】从 i-line 到 EUV，一文读懂半导体光刻材料的分类、化学原理与工艺应用。深 ...

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/toQg4KxK8R9w4YHflrUMNg 光刻的终极进化：从436nm到13.5nm，人类是如何把芯片线宽逼进纳米世界的？

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/ktVXrmZwUZ44JspLqwDafA 从器件到平台：解读 3nm CMOS FinFlex™ 技术的工程逻辑与设计价值 在 3nm 节点，制程微缩已经不再只是“线宽继续变小”的问题。

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/nEBJuMpvy9rT8VzNNhMTXw 当SiO₂走到尽头：High-k材料如何“续命”摩尔定律？一本文献级著作讲透HKMG的底层逻辑

微信公众号资讯文章精选： https://mp.weixin.qq.com/s/rlT18hKdtDoQIiDe-LLebA BEOL Low-k材料：从BDI到BDIII，多孔介质如何拯救RC延迟？ 在先进工艺节点，晶体管越做越小，栅极延迟同步降低，但互联延迟（RC Delay）却成了“拖后腿”的那一个。 ...